用于电气电源的整流电路的制作方法

本发明涉及用于电气电源的整流电路。

背景技术：

本部分提供与本发明相关的背景信息，该背景信息不一定是现有技术。

在使用桥式整流器校正极性或将交流(alternatingcurrent，ac)转换为直流(directcurrent，dc)的电源中，桥式二极管引入压降和相关联的损失。一些电源使用跨越现有桥式整流器的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductorfield-effecttransistor，mosfet)桥来降低与桥式二极管压降相关联的损失并提高转换效率。

技术实现要素：

本部分提供本发明的概括性总结，且不是本发明的全部范围或本发明的所有特征的全面公开。

根据本发明的一个方面，一种用于电源的整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端、以及用于输出整流电压的二极管桥，所述二极管桥联接在所述线输入端和所述中性输入端之间。所述二极管桥包括多个二极管。所述整流电路还包括：与所述多个二极管中的第一个二极管并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、以及与所述多个二极管中的第二个二极管并联的第二mosfet。第一mosfet和第二mosfet均包括栅极。所述整流电路还包括自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述线输入端和所述第一mosfet的栅极之间且联接在所述中性输入端和所述第二mosfet的栅极之间，并且用于在所述ac输入电压的相应半周期(half-cycles)期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述第一mosfet和所述第二mosfet的切换操作，以将所述第一mosfet和所述第二mosfet操作为高侧浮动同步整流器。

根据本发明的另一个方面，一种用于电源的整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端、以及用于输出整流电压的二极管桥，所述二极管桥联接在所述线输入端和所述中性输入端之间。所述二极管桥包括多个二极管。所述整流电路还包括与所述多个二极管中的第一个二极管并联的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，所述mosfet包括栅极。所述整流电路还包括自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述mosfet的栅极和所述线输入端或所述中性输入端之间，并且用于在所述ac输入电压的半周期期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述mosfet的切换操作，以将所述mosfet操作为高侧浮动同步整流器，所述自驱动的驱动电路包括晶体管，所述晶体管联接在所述mosfet的所述栅极和所述线输入端、所述中性输入端或电接地端之间。

根据本发明的另一个方面，公开了一种借助电源的整流电路供应电力的方法。所述整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端，以及联接到所述线输入端和所述中性输入端的二极管桥。所述二极管桥包括多个二极管。所述整流电路还包括：与四个二极管中的第一个二极管并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、与所述四个二极管中的第二个二极管并联的第二mosfet、以及自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述线输入端和所述第一mosfet的栅极之间且联接在所述中性输入端和所述第二mosfet的栅极之间。所述方法包括：通过所述自驱动的驱动电路在所述ac输入电压的第一半周期期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述第一mosfet的切换操作，以将所述第一mosfet操作为高侧浮动同步整流器。所述方法还包括：通过所述自驱动的驱动电路在所述ac输入电压的另一半周期期间根据所述ac输入电压的所述线频率和极性控制所述第二mosfet的切换操作，以将所述第二mosfet操作为高侧浮动同步整流器。

概念1：一种用于电源的整流电路，所述整流电路包括：

用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端；

用于输出整流电压的二极管桥，所述二极管桥联接在所述线输入端和所述中性输入端之间，所述二极管桥包括多个二极管；

与所述多个二极管中的第一个二极管并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极；

与所述多个二极管中的第二个二极管并联的第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极；以及

自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述线输入端和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间且联接在所述中性输入端和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间，并且用于在所述ac输入电压的相应半周期期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作，以将所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管操作为高侧浮动同步整流器。

概念2：如概念1所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管联接在所述中性输入端和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作；和第二晶体管，所述第二晶体管联接在所述中性输入端和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间以控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作。

概念3：如概念1或2所述的整流电路，其中：

所述多个二极管中的所述第一个二极管联接在所述线输入端和正整流电压输出端之间；

所述多个二极管中的所述第二个二极管联接在所述中性输入端和所述正整流电压输出端之间；

所述多个二极管中的第三个二极管联接在所述线输入端和电接地端之间；以及

所述多个二极管中的第四个二极管联接在所述中性输入端和所述电接地端之间。

概念4：如概念2或3所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

第一分压器，所述第一分压器联接在所述线输入端和电压供应节点之间，所述第一分压器包括至少两个电阻器以及在所述至少两个电阻器之间的可操作地联接到所述第一晶体管的栅极或基极的第一节点，以控制所述第一晶体管的切换操作；以及

第二分压器，所述第二分压器联接在所述中性输入端和所述电压供应节点之间，所述第二分压器包括至少两个电阻器以及在所述第二分压器的所述至少两个电阻器之间的可操作地联接到所述第二晶体管的栅极或基极的第二节点，以控制所述第二晶体管的切换操作。

概念5：如概念4所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括联接在所述电压供应节点和所述第一分压器之间以及联接在所述电压供应节点和所述第二分压器之间并且用于供应自举偏置的二极管。

概念6：如概念4或5所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

第一偏置电路，所述第一偏置电路联接在所述线输入端和所述电压供应节点之间，所述第一偏置电路包括第一电容器、第一电阻器和第一二极管；以及

第二偏置电路，所述第二偏置电路联接在所述中性输入端和所述电压供应节点之间，所述第二偏置电路包括第二电容器、第二电阻器和第二二极管。

概念7：如概念4至6中任一项所述的整流电路，还包括电容器，所述电容器联接在所述电压供应节点和所述二极管桥的所述多个二极管中的至少两个二极管之间并且用于解耦所述电压供应节点。

概念8：如概念2至7中任一项所述的整流电路，还包括至少一个电阻器，所述至少一个电阻器联接在所述线输入端和所述中性输入端之间并且用于感测所述ac输入电压。

概念9：如概念8所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

联接在所述至少一个电阻器和电压供应节点之间的第二电阻器、在所述第二电阻器和所述至少一个电阻器之间的可操作地联接到所述第一晶体管的栅极或基极的第一节点，以控制所述第一晶体管的切换操作；以及

联接在所述至少一个电阻器和所述电压供应节点之间的第三电阻器、在所述第三电阻器和所述至少一个电阻器之间的可操作地联接到所述第二晶体管的栅极或基极的第二节点，以控制所述第二晶体管的切换操作。

概念10：如概念8或9所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：第二电阻器，所述第二电阻器联接在所述第一节点和第一晶体管电阻器之间并且用于控制栅极阻抗；和第三电阻器，所述第三电阻器联接在所述第二节点和第二晶体管电阻器之间并且用于控制栅极阻抗。

概念11：如概念8至10中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：第二电阻器，所述第二电阻器联接在所述电压供应节点和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间并且用于供应电压偏置；和第三电阻器，所述第三电阻器联接在所述电压供应节点和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间并且用于供应电压偏置。

概念12：如概念8至11中任一项所述的整流电路，还包括至少两个二极管，所述至少两个二极管联接在所述线输入端和所述中性输入端之间并且用于提供电压箝位。

概念13：一种用于电源的整流电路，所述整流电路包括：

用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端；

用于输出整流电压的二极管桥，所述二极管桥联接在所述线输入端和所述中性输入端之间，所述二极管桥包括多个二极管；

与所述多个二极管中的第一个二极管并联的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极；以及

自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述线输入端或所述中性输入端之间并且用于在所述ac输入电压的半周期期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作，以将所述金属氧化物半导体场效应晶体管操作为高侧浮动同步整流器，所述自驱动的驱动电路包括联接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极与所述线输入端、所述中性输入端或电接地端之间的晶体管。

概念14：如概念13所述的整流电路，其中：

所述金属氧化物半导体场效应晶体管为第一金属氧化物半导体场效应晶体管；

所述整流电路还包括与所述多个二极管中的第二个二极管并联的第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极；以及

所述自驱动的驱动电路包括第二晶体管，所述第二晶体管联接在所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述线输入端、所述中性输入端或所述电接地端之间，并且用于在所述ac输入电压的另一半周期期间根据所述ac输入电压的所述线频率和极性控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作，以将所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管操作为高侧浮动同步整流器。

概念15：如概念14所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

第三晶体管，所述第三晶体管联接在所述第一晶体管的栅极或基极与所述线输入端、所述中性输入端或电压供应节点之间，并且用于控制所述第一晶体管的切换操作；以及

第四晶体管，所述第四晶体管联接在所述第二晶体管的栅极或基极与所述线输入端、所述中性输入端或所述电压供应节点之间，并且用于控制所述第二晶体管的切换操作。

概念16：如概念15所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

第一分压器，所述第一分压器联接在所述线输入端和所述电压供应节点之间，所述第一分压器包括至少两个电阻器、在所述至少两个电阻器之间的可操作地联接到所述第三晶体管的栅极或基极的第一节点，以控制所述第三晶体管的切换操作；以及

第二分压器，所述第二分压器联接在所述中性输入端和所述电压供应节点之间，所述第二分压器包括至少两个电阻器、在所述第二分压器的所述至少两个电阻器之间的可操作地联接到所述第四晶体管的栅极或基极的第二节点，以控制所述第四晶体管的切换操作。

概念17：如概念13至16中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括二极管，所述二极管联接在所述晶体管与所述线输入端或所述中性输入端之间并且用于从所述晶体管移除基极偏置。

概念18：如概念13至17中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括偏置电路，所述偏置电路联接在所述晶体管和电压供应节点之间并且用于控制所述晶体管的切换操作，所述偏置网络电路包括至少三个电阻器，以及所述自驱动的驱动电路的所述二极管联接在所述偏置电路与所述线输入端或所述中性输入端之间。

概念19：如概念13至18中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括：

电容器，所述电容器联接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述线输入端或所述中性输入端之间，并且用于控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述切换操作的时序和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极；以及

电阻器，所述电阻器联接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极与所述线输入端或所述中性输入端之间，以控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极处的阻抗。

概念20：一种借助电源的整流电路供应电力的方法，所述整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端；联接到所述线输入端和所述中性输入端的二极管桥，所述二极管桥包括多个二极管；与四个二极管中的第一个二极管并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管；与所述四个二极管中的第二个二极管并联的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；以及自驱动的驱动电路，所述自驱动的驱动电路联接在所述线输入端和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间并且联接在所述中性输入端和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间，所述方法包括：

通过所述自驱动的驱动电路在所述ac输入电压的第一半周期期间根据所述ac输入电压的线频率和极性控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作，以将所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管操作为高侧浮动同步整流器；以及

通过所述自驱动的驱动电路在所述ac输入电压的另一半周期期间根据所述ac输入电压的所述线频率和极性控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的切换操作，以将所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管操作为高侧浮动同步整流器。

概念21：如概念20所述的方法，其中，所述整流电路包括联接在所述线输入端和第一晶体管之间的第三晶体管、以及联接在所述中性输入端和第二晶体管之间的第四晶体管，所述方法还包括：

通过所述第三晶体管根据所述ac输入电压的所述线频率和极性控制所述第一晶体管的切换操作；以及

通过所述第四晶体管根据所述ac输入电压的所述线频率和极性控制所述第二晶体管的切换操作。

概念22：如概念13至19中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括电阻器，所述电阻器联接在所述晶体管和所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极之间并且用于限制流到所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极的电流。

概念23：如概念13至19中任一项所述的整流电路，其中，所述自驱动的驱动电路包括与所述晶体管并联并且用于控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极侧阻抗的电阻器。

从本文提供的描述中，应用的其它方面和领域将变得明显。应当理解，本发明的各个方面可以单独实施或者与一个或多个其它方面组合实施。还应当理解，本文的描述和具体示例仅仅用于说明性目的，并不意图限制本发明的范围。

附图说明

本文中所描述的附图仅用于所选实施方式而非所有可能的实现方式的说明性目的，且不意图限制本发明的范围。

图1为根据本发明的一个示例性实施方式的用于电源的整流电路的示意图。

图2为根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的整流电路的电路图。

图3a至图3d为示出图2的整流电路的示例性电压和电流波形的曲线图。

图4a至图4c为示出用于图2的整流电路的、在输入电压的零点交叉期间的示例性电压波形的曲线图。

图5为根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的、包括电阻器链的整流电路的电路图。

图6a至图6d为示出图5的整流电路的示例性电压和电流波形的曲线图。

图7a至图7e为示出图5的整流电路的四个晶体管的示例性电压波形的曲线图。

图8为根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的、包括两个偏置移除二极管(biasremovaldiode)的整流电路的电路图。

图9a至图9c为示出图8的整流电路的示例性电压波形的曲线图。

图10a至图10c为示出用于图8的整流电路的、在输入电压在负方向上的零点交叉期间的示例性电压波形的曲线图。

图11a至图11c为示出用于图8的整流电路的、在输入电压在正方向上的零点交叉期间的示例性电压波形的曲线图。

图12为根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的、包括六个晶体管的整流电路的电路图。

图13a至图13d为示出用于图12的整流电路的、在输入电压在负方向上的零点交叉期间的示例性电压波形的曲线图。

图14a至图14d为示出用于图12的整流电路的、在输入电压在正方向上的零点交叉期间的示例性电压波形的曲线图。

贯穿附图中的多个视图，对应的附图标记指示对应的部分或特征。

具体实施方式

提供示例性实施方式，使得本发明将是透彻的且将向本领域的技术人员全面传达范围。提出多个具体细节，诸如具体组件、设备、和方法的示例，以提供对本发明的实施方式的透彻理解。对于本领域的技术人员来说显而易见的是，不需要采用具体细节，示例性实施方式可以以许多不同形式来体现，以及具体细节和示例性实施方式二者均不应当被理解为限制本发明的范围。在一些示例性实施方式中，没有详细地描述公知的过程、公知的设备结构、和公知的技术。

本文中所使用的术语仅出于描述特定示例性实施方式的目的且不意图进行限制。如本文中所使用，单数形式“一”和“该”也可以意图包括复数形式，除非上下文另有明确指示。术语“包括”、“包含”和“具有”是包含性的且因此指所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。本文中所描述的方法步骤、过程和操作不应被理解为必须要求它们以所讨论或所示出的特定次序来执行，除非具体被认定为执行次序。也将理解，可以采用附加或替选步骤。

尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语可以仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数字术语在本文中使用时不暗示顺序或次序，除非上下文有明确指示。因此，下文讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离示例性实施方式的教导。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语，诸如“内部”、“外部”、“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的一个或多个元件或特征的关系。除了图中示出的取向之外，空间相对术语可以意图涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为在其它元件或特征的“下方”或“下面”的元件将被取向为在该其它元件或特征的“上方”。因而，示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方两种取向。该设备可以被另外地取向(旋转90度或以其它取向旋转)且本文中所使用的空间相对描述符被相应地理解。

现在将参照附图更全面地描述示例性实施方式。

根据本发明的一个示例性实施方式的一种改进的用于电源的二极管桥式整流电路在图1中示出且总体上用附图标记100来表示。整流电路100包括用于(例如从ac电压源等)接收输入电压的线输入端102和中性输入端104。

整流电路100还包括二极管桥106，该二极管桥106联接到线输入端102和中性输入端104(例如用以接收ac输入)并输出整流电压。如图1所示，二极管桥106包括四个二极管108、110、112和114，但是其它实施方式可以包括更多或更少的二极管。

整流电路100包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)120和122，这两个mosfet可以被视为高侧(例如顶侧)浮动同步整流器。例如，如果电压输出端118适用于提供正整流输出电压且电压输出端116与电接地端联接，则mosfet120和mosfet122可以被视为高侧浮动同步整流器，这是因为mosfet120和mosfet122未连接到电接地端。mosfet120与二极管108并联、且mosfet122与二极管110并联。mosfet120和mosfet122均包括栅极、源极和漏极。

改进的整流电路100通过包括自驱动的驱动电路124来提供改善，该自驱动的驱动电路124用于根据ac输入电压控制mosfet120和mosfet122(例如，在该自驱动的驱动电路124不包括控制器、微处理器等的情况下)。

自驱动的驱动电路124联接在线输入端102和第一mosfet120的栅极之间且联接在中性输入端104和第二mosfet122的栅极之间。自驱动的驱动电路124布置成在ac输入电压的相应半周期期间根据ac输入电压的线频率和极性控制第一mosfet120和第二mosfet122的切换操作，以将第一mosfet120和第二mosfet122操作为高侧浮动同步整流器。

例如，如在下文进一步阐述的，自驱动的驱动电路124可以包括：晶体管，该晶体管联接在线输入端102和mosfet120的栅极之间，用以根据接收的ac输入电压控制mosfet120的切换操作；和另一晶体管，该另一晶体管联接在中性输入端104和mosfet122的栅极之间，用以根据接收的ac输入电压控制mosfet122的切换操作。

二极管桥106可以校正在线输入端102和中性输入端104处接收的输入电压的极性，可以将交流(ac)电压转换为直流(dc)电压等，以及可以借助两个电压输出端116和118输出整流电压。例如，电压输出端116可以供应正整流电压、电压输出端118可以供应负整流电压或连接到电接地端等。在其它实施方式中，二极管桥106可以借助更多或更少的输出端输出具有不同的相对正或负输出电压值或极性等的整流电压。

如图1所示，二极管108联接在线输入端102和电压输出端116之间、二极管110联接在中性输入端104和电压输出端116之间、二极管112联接在线输入端102和电压输出端118之间、以及二极管114联接在中性输入端104和电压输出端118之间。线输入端102、中性输入端104、电压输出端116和电压输出端118可以包括任何合适的端子、管脚、电线、电连接器等。

mosfet120和mosfet122可以通过降低二极管108和二极管110的桥式二极管压降上的功率损失来提高整流电路100的转换效率。例如，mosfet120和mosfet122可以在自驱动(例如自主)操作模式下操作而不从控制器接收外部驱动信号，这是因为mosfet的切换操作受自驱动的驱动电路124控制。

当根据线电压频率和极性驱动和/或控制mosfet120和mosfet122时，整流电路100可以降低电路复杂度、零件计数、成本等。在一些实施方式中，整流电路100可以在用于功率因数校正的非连续电流操作期间提高效率、可以在以半负载操作期间通过降低二极管108和二极管110中的功率损失来提高效率、等等。

图2示出根据本发明的一个示例性实施方式的用于电源的整流电路200。整流电路200包括用于从ac电压源接收输入电压的线输入端l1和中性输入端n1。整流电路200还包括二极管桥106，该二极管桥106联接到线输入端l1和中性输入端n1以从ac电压源接收输入电压并将整流电压输出到电压输出端ac_rect+和ac_rect-。二极管桥106包括四个二极管d1、d2、d3和d4。

整流电路200还包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)q2和q3、以及两个晶体管q5和q6。mosfetq2与二极管d2并联，且mosfetq3与二极管d3并联。mosfetq2和mosfetq3以及晶体管q5和晶体管q6均可以包括栅极、源极和漏极。

晶体管q5联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq2的切换操作。晶体管q6联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq3的切换操作。

整流电路200还包括电压供应节点vcc和自举二极管d9，该自举二极管d9联接在电压供应节点vcc和晶体管q6的栅极之间。线输入端l1和中性输入端n1可以接收ac电压输入。当中性输入端n1相对于线输入端l1接近零时，桥式二极管d4两端的电压降低(例如，二极管d4的阴极处的电压接近二极管d4的阳极处的电压)。当自举二极管d9的阳极电压大于该二极管的正向电压(例如0.6v)时，自举二极管d9导通。当晶体管q6的栅极处的电压增大到高于晶体管q6的栅极阈值时，晶体管q6接通以从mosfetq3移除栅极电荷，从而断开mosfetq3。

在中性输入端n1变为比线输入端l1更正(例如，线输入端l1接近零)的相反的(opposite)半周期期间，晶体管q5接通以断开mosfetq2。具体地，当二极管d5的阳极处的电压比二极管d5的阴极处的电压大至少0.6v时，二极管d5允许传导电流以接通晶体管q5，晶体管q5然后从mosfetq2移除栅极电荷以断开mosfetq2。

两个电阻器r9和r10联接在中性输入端n1和电压供应节点vcc之间以限定用于控制晶体管q6的接通的分压器。电阻器r9和电阻器r10之间限定的节点联接到晶体管q6，以及电阻器r9和电阻器r10的电阻值的比可以设置用于晶体管q6的接通和/或断开电压阈值。

类似地，两个电阻器r2和r3联接在线输入端l1和电压供应节点vcc之间以限定用于控制晶体管q5的接通的分压器。电阻器r2和电阻器r3之间限定的节点联接到晶体管q5，以及电阻器r2和电阻器r3的电阻值的比可以设置用于晶体管q5的接通和/或断开电压阈值。

整流电路200还包括用于将高侧偏置提供给mosfetq3的自举偏置电路228、和用于将高侧偏置提供给mosfetq2的自举偏置电路230。自举偏置电路228包括二极管d10、电阻器r8和电容器c3，并且二极管d10使电容器c3与电阻器r9和电阻器r10隔离。自举偏置电路230包括二极管d6、电阻器r1和电容器c2，并且二极管d6使电容器c2与电阻器r2和电阻器r3隔离。

整流电路200还包括：联接到mosfetq2的栅极的两个电阻器r4和r5、以及联接到mosfetq3的栅极的两个电阻器r6和r7。电阻器r4和电阻器r6可以分别为mosfetq2和mosfetq3提供电压偏置，以及电阻器r5和电阻器r7可以分别为mosfetq2和mosfetq3提供栅极侧阻抗控制。

二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4在图2中被示出为桥式整流电路，该桥式整流电路联接在线输入端l1、中性输入端n1、与两个电压输出端ac_rect+和ac_rect-之间。在一些实施方式中，二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4可以为集成桥式整流器(例如集成电路芯片等)的一部分。二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4可以在电源启动期间、电压丢失(dropout)、电压瞬变等期间提供用于涌入电流和/或浪涌电流的旁路。

解耦电容器c1联接在电压供应节点vcc和电压输出端ac_rect-之间。解耦电容器c1还联接到电接地端且为电压节点vcc提供解耦。

电阻器r1至电阻器r5、二极管d5和二极管d6、电容器c2和晶体管q5可以被视为用于mosfetq2的自驱动的驱动电路。类似地，电阻器r6至电阻器r10、二极管d9和二极管d10、电容器c3和晶体管q6可以被视为用于mosfetq3的自驱动的驱动电路。

图3a至图3d示出整流电路200的示例性电压和电流波形。具体地，图3a示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电压203，该输入电压203具有对应于ac输入的正弦波形。

图3b示出mosfetq3的栅源电压205，以及图3c示出mosfetq2的栅源电压207。如图3b和图3c所示，在输入电压203的相反的半周期(oppositehalf-cycles)期间接通mosfetq2和mosfetq3。

具体地，在输入电压203的正半周期期间接通mosfetq2，以及在输入电压203的负半周期期间接通mosfetq3。图3d示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电流209。

图4a至图4c示出示例性波形，这些示例性波形示出了晶体管q5和晶体管q6在输入电压203的零点交叉处的接通和断开。具体地，图4a示出晶体管q6的栅源电压211，以及图4b示出晶体管q5的栅源电压213。

当输入电压203减小且过零时，在晶体管q6的断开与晶体管q5的接通之间存在停滞时间(td)。该停滞时间(td)可以抑制(例如防止)(例如，在mosfetq2和mosfetq3之间、从线输入端l1到中性输入端n1等)电流击穿(currentshootthrough)。可以借助用于晶体管q5的电阻器r2和电阻器r3以及借助用于晶体管q6的电阻器r9和电阻器r10来调整停滞时间(td)的长度。

图5示出根据本发明的一个示例性实施方式的用于电源的整流电路300。整流电路300包括用于从ac电压源接收输入电压的线输入端l1和中性输入端n1。整流电路300还包括二极管桥106，该二极管桥106联接到线输入端l1和中性输入端n1以从ac电压源接收输入电压并将整流电压输出到电压输出端ac_rect+和ac_rect-。二极管桥106包括四个二极管d1、d2、d3和d4。

整流电路300包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)q2和q3、以及两个晶体管328和330。mosfetq2与二极管d2并联，并且mosfetq3与二极管d3并联。mosfetq2和mosfetq3均可以包括栅极、源极和漏极，以及晶体管328和晶体管330均可以包括基极、集电极和发射极。尽管图5将晶体管328和晶体管330示出为双极面结型晶体管(bipolar-junctiontransistor，bjt)，但是其它实施方式可以使用其它晶体管，诸如mosfet等。

晶体管328联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq2的切换操作。晶体管330联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq3的切换操作。

例如，当线输入端l1处的电压相对于中性输入端n1变为正的时，晶体管330可以接收正向偏置电流以接通晶体管330。然后晶体管330可以通过移除mosfetq3的栅极电荷而断开mosfetq3。类似地，当中性输入端n1处的电压相对于线输入端l1变为正的时，晶体管328可以接收正向偏置电流以接通晶体管328。然后晶体管328可以通过移除mosfetq2的栅极电荷而断开mosfetq2。

整流电路300还包括电阻器偏置网络，该电阻器偏置网络包括四个电阻器332a、332b、332c和332d。电阻器332a借助反向电压箝位二极管334联接到线输入端l1，且电阻器332d借助反向电压箝位二极管336联接到中性输入端n1。

尽管图5示出联接在线输入端l1和中性输入端n1之间的一连串的四个分立的电阻器332a、332b、332c和332d，但是其它实施方式可以包括更多或更少的电阻器、集成高压阵列等。类似地，反向电压箝位二极管334和反向电压箝位二极管336是可选的且在晶体管328和晶体管330上的偏置电压不超过这些器件的反向击穿电压额定值的情况下可以被去除(或用一个或多个电阻器等替换)，等等。图2的电路200相比于图5的电路300的一个潜在优势是，电路200可以不需要高压电阻器链等来感测电压。

电阻器338与电阻器332a、电阻器332b、电阻器332c和电阻器332d联接以形成用于晶体管328的偏置网络。电阻器332a、电阻器332b、电阻器332c、电阻器332d和电阻器338的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管328的阈值。类似地，电阻器340与电阻器332a、电阻器332b、电阻器332c和电阻器332d联接以形成用于晶体管330的偏置网络。电阻器332a、电阻器332b、电阻器332c、电阻器332d和电阻器340的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管330的阈值。

整流电路300包括可选的阻抗控制电阻器342和阻抗控制电阻器344。阻抗控制电阻器342联接在线输入端l1和晶体管328的基极之间，且阻抗控制电阻器344联接在中性输入端n1和晶体管330的基极之间。可以基于晶体管328和晶体管330的切换操作的速度、整流电路300的电路布置的布局等去除阻抗控制电阻器342和阻抗控制电阻器344。

用于mosfetq2的自举偏置电路包括二极管346、电阻器348和电容器c2，以及用于mosfetq3的自举偏置电路包括二极管352、电阻器350和电容器c3。整流电路300还包括：联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器354、联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器356、联接在电压供应节点vcc和mosfetq2的栅极之间的电压偏置电阻器358、以及联接在电压供应节点vcc和mosfetq3的栅极之间的电压偏置电阻器360。

图6a至图6d示出整流电路300的示例性电压和电流波形。具体地，图6d示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电压303，该输入电压303具有对应于ac输入的正弦波形。图6c示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电流309。

图6a示出mosfetq2的栅源电压307，以及图6b示出mosfetq3的栅源电压305。如图6a和图6b所示，在输入电压303的相反的半周期期间接通mosfetq2和mosfetq3。具体地，在输入电压303的正半周期期间接通mosfetq2，以及在输入电压303的负半周期期间接通mosfetq3。

当输入电压303减小且过零时，在mosfetq2的断开与mosfetq3的接通之间存在停滞时间(td)。该停滞时间(td)可以抑制(例如防止)(例如，在mosfetq2和mosfetq3之间、从线输入端l1到中性输入端n1等)电流击穿。可以借助用于晶体管328的电阻器338和电阻器358的值以及借助用于晶体管330的电阻器340和电阻器360的值来调整停滞时间(td)的长度。

图7a至图7e示出示例性波形，这些示例性波形示出了晶体管328和晶体管330的接通和断开相比于mosfetq2和mosfetq3的接通和断开。具体地，图7a示出晶体管330的基极-发射极电压313，图7b示出mosfetq3的栅源电压307，图7c示出mosfetq2的栅源电压305，图7d示出晶体管328的基极-发射极电压311，以及图7e示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电压303。

如图7a至图7e所示，在输入电压303的正半周期期间，接通晶体管330以断开mosfetq3。在输入电压303的负半周期期间，接通晶体管328以断开mosfetq2。

图8示出根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的整流电路400。整流电路400包括用于从ac电压源接收输入电压的线输入端l1和中性输入端n1。整流电路400还包括二极管桥106，该二极管桥106联接到线输入端l1和中性输入端n1以从ac电压源接收输入电压并将整流电压输出到电压输出端ac_rect+和ac_rect-。二极管桥106包括四个二极管d1、d2、d3和d4。

整流电路400还包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)q2和q3、以及两个晶体管q1和q4。mosfetq2与二极管d2并联、且mosfetq3与二极管d3并联。mosfetq2和mosfetq3均可以包括栅极、源极和漏极，以及晶体管q1和晶体管q4均可以包括基极、集电极和发射极。

尽管图8将晶体管q1和晶体管q4示出为双极面结型晶体管(bjt)，但是其它实施方式可以使用其它晶体管，诸如mosfet等。在一些实施方式中，晶体管q1和晶体管q4可以包括(例如具有高vce击穿电压的)高压npn晶体管且可以基于最大线电压和降低定额值来选择。

晶体管q1联接在中性输入端n1和mosfetq2的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq2的切换操作。晶体管q4联接在线输入端l1和mosfetq3的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq3的切换操作。

例如，当线输入端l1处的电压相对于中性输入端n1开始朝着零降低时，借助高压线同步基极偏置移除二极管(highvoltagelinesynchronousbasebiasremovaldiode)470移除晶体管q4的基极偏置电流，这导致晶体管q4断开。晶体管q4的断开通过允许经过电压偏置电阻器460的电流对mosfetq3的栅极充电而使mosfetq3接通。可以基于晶体管q1所需的闭塞电压来选择偏置移除二极管470的参数。

在输入电压的下一半周期(nexthalf-cycle)期间，当中性输入端n1相对于线输入端l1正朝着零降低时，借助高压线同步基极偏置移除二极管472移除晶体管q1的基极偏置电流，这导致晶体管q1断开。晶体管q1的断开通过允许经过电压偏置电阻器458的电流对mosfetq2的栅极充电而使mosfetq2接通。可以基于晶体管q1所需的闭塞电压来选择偏置移除二极管472的参数。

整流电路400包括：形成用于晶体管q1的偏置网络的三个电阻器462a、462b和462c，以及形成用于晶体管q4的偏置网络的三个电阻器464a、464b和464c。电阻器462a、电阻器462b和电阻器462c的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管q1的阈值。类似地，电阻器464a、电阻器464b和电阻器464c的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管q4的阈值。

整流电路400包括两个可选的限流电阻器466和468。限流电阻器466联接在晶体管q1和mosfetq2的栅极之间，且限流电阻器468联接在晶体管q4和mosfetq3的栅极之间。在一些实施方式中，(例如，通过借助偏置电阻器462a、偏置电阻器462b、偏置电阻器462c、偏置电阻器464a、偏置电阻器464b和偏置电阻器464c设计适当的时序，等等)，可以去除可选的限流电阻器466和限流电阻器468。

用于mosfetq2的自举偏置电路包括二极管474、电阻器476和电容器c2，以及用于mosfetq3的自举偏置电路包括二极管478、电阻器479和电容器c3。整流电路400还包括：联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器454和接通时序控制电容器(turnontimingcontrolcapacitor)c4，以及联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器456和接通时序控制电容器c5。

图9a至图9c示出整流电路400的示例性电压和电流波形。具体地，图9c示出横跨线输入端l1和中性输入端n1所测量的输入电压403，该输入电压403具有对应于ac输入的正弦波形。

图9a示出晶体管q1的基极-发射极电压411和晶体管q4的基极-发射极电压413。图9b示出mosfetq2的栅源电压405和mosfetq3的栅源电压407。如图9a至图9c所示，在输入电压403的相反的半周期期间接通mosfetq2和mosfetq3。具体地，在输入电压403的正半周期期间，在断开晶体管q1的同时，接通mosfetq2，以及在输入电压403的负半周期期间，在断开晶体管q4的同时，接通mosfetq3。

图10a至图10c示出示例性波形，这些示例性波形示出了晶体管q1和晶体管q4以及mosfetq2和mosfetq3在输入电压403的零点交叉处的接通和断开。具体地，图10c示出输入电压403在该输入电压正在降低时的零点交叉。

图10a示出晶体管q1的基极-发射极电压411和晶体管q4的基极-发射极电压413，其中，在晶体管q1的接通与晶体管q4的断开之间具有停滞时间。类似地，图10b示出mosfetq2的栅源电压405和mosfetq3的栅源电压407，其中，在mosfetq3的接通和mosfetq2的断开之间具有停滞时间。

图11a至图11c示出示例性波形，这些示例性波形示出了在输入电压403在该输入电压403正在升高时的零点交叉处，晶体管q1和晶体管q4以及mosfetq2和mosfetq3的接通和断开。

图11a示出晶体管q1的基极-发射极电压411和晶体管q4的基极-发射极电压413，其中，在晶体管q4的接通与晶体管q1的断开之间具有停滞时间。类似地，图11b示出mosfetq2的栅源电压405和mosfetq3的栅源电压407，其中，在mosfetq2的接通和mosfetq3的断开之间具有停滞时间。

图12示出根据本发明的另一个示例性实施方式的用于电源的整流电路500。整流电路500包括用于从ac电压源接收输入电压的线输入端l1和中性输入端n1。整流电路500还包括二极管桥106，该二极管桥106联接到线输入端l1和中性输入端n1以从ac电压源接收输入电压并将整流电压输出到电压输出端ac_rect+和ac_rect-。二极管桥106包括四个二极管d1、d2、d3和d4。

整流电路500还包括两个金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)q2和q3、以及四个晶体管q1、q4、580和582。mosfetq2与二极管d2并联、且mosfetq3与二极管d3并联。mosfetq2和mosfetq3均可以包括栅极、源极和漏极，以及晶体管q1、晶体管q4、晶体管580和晶体管582均可以包括基极、集电极和发射极。

尽管图12将晶体管q1、晶体管q4、晶体管580和晶体管582示出为双极面结型晶体管(bjt)，但是其它实施方式可以使用其它晶体管，诸如mosfet等。在一些实施方式中，晶体管q1、晶体管q4、晶体管580和/或晶体管582可以包括(例如具有高vce击穿电压的)高压npn晶体管且可以基于最大线电压和降低定额值来选择。

晶体管q1和晶体管580联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq2的切换操作。晶体管q4和晶体管582联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间以根据接收的输入电压控制mosfetq3的切换操作。

例如，当线输入端l1处的电压相对于中性输入端n1开始增大到高于零时，随着高压线同步基极偏置移除二极管570变为反向偏置而移除晶体管580的基极偏置电流。这导致晶体管580接通，从而断开晶体管q1。断开晶体管q1允许经过电压偏置电阻器558的电流对mosfetq2的栅极充电，从而接通mosfetq2。可以基于晶体管580所需的闭塞电压来选择偏置移除二极管570的参数。

在输入电压的下一半周期期间，当中性输入端n1相对于线输入端l1增大到高于零时，随着高压线同步基极偏置移除二极管572变为反向偏置而移除晶体管582的基极偏置电流，这导致晶体管582接通。晶体管582的接通使晶体管q4断开，这通过允许经过电压偏置电阻器560的电流对mosfetq3的栅极充电而接通mosfetq3。可以基于晶体管582所需的闭塞电压来选择偏置移除二极管572的参数。

整流电路500包括：形成用于晶体管580的偏置网络的两个电阻器584a和584b、形成用于晶体管582的偏置网络的两个电阻器586a和586b、形成用于晶体管q1的偏置网络的两个电阻器562a和562b、以及形成用于晶体管q4的偏置网络的两个电阻器564a和564b。

电阻器584a和电阻器584b的值可以设置用于接通晶体管580的阈值，而电阻器562a和电阻器562b的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管q1的阈值。类似地，电阻器586a和电阻器586b的值可以设置用于接通晶体管582的阈值，而电阻器564a和电阻器564b的值可以根据输入电压设置用于接通晶体管q4的阈值。

整流电路500包括两个可选的限流电阻器566和568。限流电阻器566联接在晶体管q1和mosfetq2的栅极之间，且限流电阻器568联接在晶体管q4和mosfetq3的栅极之间。在一些实施方式中，(例如，通过借助偏置电阻器562a、偏置电阻器562b、偏置电阻器564a、偏置电阻器564b、偏置电阻器584a、偏置电阻器584b、偏置电阻器586a和偏置电阻器586b设计适当的时序，等等)，可以去除可选的限流电阻器566和限流电阻器568。

用于mosfetq2的自举偏置电路包括二极管574、电阻器576和电容器c2，以及用于mosfetq3的自举偏置电路包括二极管578、电阻器579和电容器c3。整流电路500还包括：联接在线输入端l1和mosfetq2的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器554和接通时序控制电容器c4，以及联接在中性输入端n1和mosfetq3的栅极之间的栅极侧阻抗控制电阻器556和接通时序控制电容器c5。

图13a至图13d示出示例性波形，这些示例性波形示出了晶体管q1、晶体管q4、晶体管580和晶体管582以及mosfetq2和mosfetq3在输入电压503的零点交叉处的接通和断开。具体地，图13d示出输入电压503在该输入电压正在降低时的零点交叉。

图13a示出晶体管q1的基极-发射极电压511和晶体管q4的基极-发射极电压513，其中，在晶体管q1的接通与晶体管q4的断开之间具有停滞时间。图13b示出晶体管580的基极-发射极电压515和晶体管582的基极-发射极电压517，其中，在晶体管582的接通与晶体管580的断开之间具有停滞时间。图13c示出mosfetq2的栅源电压505和mosfetq3的栅源电压507，其中，在mosfetq3的接通和mosfetq2的断开之间具有停滞时间。

如图13a至图13d所示，在输入电压503的相反的半周期期间接通mosfetq2和mosfetq3。具体地，在输入电压503的正半周期期间，在断开晶体管q1且接通晶体管580的同时，接通mosfetq2，以及在输入电压503的负半周期期间，在断开晶体管q4且接通晶体管582的同时，接通mosfetq3。

图14a至图14d示出示例性波形，这些示例性波形示出了在输入电压503在该输入电压503正在升高时的零点交叉处，晶体管q1、晶体管q4、晶体管580和晶体管582以及mosfetq2和mosfetq3的接通和断开。

图14a示出晶体管q1的基极-发射极电压511和晶体管q4的基极-发射极电压513，其中，在晶体管q4的接通与晶体管q1的断开之间具有停滞时间。图14b示出晶体管580的基极-发射极电压515和晶体管582的基极-发射极电压517，其中，在晶体管580的接通与晶体管582的断开之间具有停滞时间。图14c示出mosfetq2的栅源电压505和mosfetq3的栅源电压507，其中，在mosfetq2的接通和mosfetq3的断开之间具有停滞时间。

如本文中所描述的，示例性电源可以包括微处理器、微控制器、集成电路、数字信号处理器等，这些部件可以包括存储器。电源可以配置成使用任何合适的硬件和/或软件实现来执行(例如可操作以执行等)本文中所描述的任何示例过程。例如，电源可以执行存储在存储器中的计算机可执行指令，可以包括一个或多个逻辑门、控制电路等。

根据另一个示例性实施方式，一种用于电源的整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端、以及用于输出整流电压的二极管桥，该二极管桥联接在线输入端和中性输入端之间。该二极管桥包括多个二极管。该整流电路还包括与多个二极管中的第一二极管并联的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，该mosfet包括栅极。该整流电路还包括自驱动的驱动电路，该自驱动的驱动电路联接在mosfet的栅极和线输入端或中性输入端之间、用于在ac输入电压的半周期期间根据ac输入电压的线频率和极性控制mosfet的切换操作，以将mosfet操作为高侧浮动同步整流器，该自驱动的驱动电路包括晶体管，该晶体管联接在mosfet的栅极和线输入端、中性输入端或电接地端之间。

根据又一个示例性实施方式，公开了一种借助电源的整流电路供应电力的方法。该整流电路包括：用于接收ac输入电压的线输入端和中性输入端，以及联接到线输入端和中性输入端的二极管桥。该二极管桥包括多个二极管。该整流电路还包括：与四个二极管中的第一二极管并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、与四个二极管中的第二二极管并联的第二mosfet、以及自驱动的驱动电路，该自驱动的驱动电路联接在线输入端和第一mosfet的栅极之间且联接在中性输入端和第二mosfet的栅极之间。

该方法包括：通过自驱动的驱动电路在ac输入电压的第一半周期期间根据ac输入电压的线频率和极性控制第一mosfet的切换操作，以将第一mosfet操作为高侧浮动同步整流器。该方法还包括：通过自驱动的驱动电路在ac输入电压的另一半周期期间根据ac输入电压的线频率和极性控制第二mosfet的切换操作，以将第二mosfet操作为高侧浮动同步整流器。

本文中所描述的示例性实施方式可以被用在任何合适的电源中，这类电源诸如开关模式电源(switched-modepowersupply，smps)、线性转换器、ac/dc转换器、包括前端pfc配置的电源、图腾柱转换器、无桥转换器、dc-dc转换器、电池充电器、电镀电源、功率逆变器、用于dc输入的低损耗自动极性校正器、用于线频率逆变器(诸如准方(例如大约47hz到大约400hz))的桥式布置驱动电路等。

本文中所描述的示例性实施方式可以允许对输入电压极性相对于mosfet的浮动源极的改变进行可靠且先进的检测，即使该电路可能相对于公共电接地节点为浮动的。电路可以通过使用自举二极管的桥式布置和测量电压来生成用于产生栅极驱动信号的自举电压而不需要直接的输入电压感测。示例性电压偏置网络可以允许对于晶体管、mosfet等的接通的精确电压阈值控制。在一些实施方式中，可以将单独的电压供应节点用于不同的高侧电路，因此对于两个高侧电路来说无需公共vcc。在一些实施方式中，整流电路可能不适于桥式整流器之后是用于产生过滤的dc输出的大型电容器电路布置的dc电源。

出于说明和描述的目的，已经提供了前述实施方式的描述。这并不旨在穷举或限制本发明。特定实施方式的各个元件或特征通常不限于该特定实施方式，而是在可适用时，可以互换并且可以在所选定的实施方式中使用，即使没有具体示出或描述。特定实施方式的各个元件或特征也可以以多种方式变化。这些变化不应当视为背离本发明，并且所有的这些修改旨在包括在本发明的范围内。