电阻R22，在正常供电时装置自体电路几乎没有待机电流，SP耗电功率几乎为零。 (3)该装置使用的全是分立元件，元件数量少，电路简单，对原市场售卖的断路器无破坏性改装，所以整个装置简单可靠，易于制造和安装使用，适用条件较为宽泛，有较大的推广使用价值。
【附图说明】:
图1:NL输入规定综合漏电断路器电路图附图图1中:
规定中线接入端N 规定相线接入端S 规定中线输出端N1 规定相线输出端S1 电容 Q、C2、C3 检测电路1.1:
整流二极管1N4007VDH 整流二极管1N4007VD12 碳膜电阻(1.62m Ω ) R10 氖泡辉光管(测电笔氖灯)Ne 近地金属块(13.2mm X 5.QmmX0.5mm) GD 激励电路1.2:
半波整流二极管1N4007VD21 半波整流二极管(1N4007) VD22 整流二极管1N4007VD23 硫化镉(CdS ) € 5mm光敏电阻R20 限流分压电阻电阻R21和R22 分压电阻R23 (24ΚΩ )
傍路电容 C2 (50V、0.33PF)
单向可控硅(BT1690)T2
断路器2零序互感器加绕初级线圈L2
低频扼流电感L5
附图图1中各元件参数:
1、全部二极管VD均为整流二极管1N4007。
2、!\、1~2均为单向可控硅BT1690。
3、L1为原厂家绕制的零序互感器的二次线圈，L2为原厂家绕制的零序互感器的加绕初级线圈(I至60匝)，L3为过载(或短路)脱扣器，L4S漏电脱扣器，L 5为330μΗ功率电感。
4、电容C1容量为104PF,电容C2和C 3耐压50V,容量0.33PF。
5、R2tl为硫化镉(CdS) C 5mm光敏电阻。R 21、R31、R33均为670欧阻值。R23、R32、R34均为24千欧阻值，R10为1.62兆欧阻值，R22为20兆欧阻值。
6、Ne为一般电笔氖泡。
7、近地金属块⑶:13.2mmX5.9mmX0.5mm，铝制、铜制均可。
【具体实施方式】: 把整个装置安装在墙面上，离地(地板)约1.8米至2.2米高左右，外来相线接入S端，外来中性线接入N端，S1与N 1分别为负载侧的相线与中性线输出，近地金属板GD与墙体平行安装并且与墙体距离不大于5厘米，近地金属板GD不与墙体连通，墙面材料不限。可在任何高度楼层安装整个装置，Rltl—脚连接VD 12，另一脚连接电器外壳(即连接负载侧所有插座保护孔)。若发生相线与中性线的反规定输入，或发生负载外壳常电，或发生漏电故障与电流过大等，该装置之断路器均可在0.1移内跳闸分断电源，直接到把以上几种故障排除才可复扣供电。
【主权项】
1.一种断路器，同时具备四种功能:1、发生相线和中线反预设规定接入时立即断路不供电；2、发生电器外壳带上危险电压而漏电电流不达到15毫安时立即断路；3、发生触电等情形引起漏电电流达到15毫安(含)以上的立即断路；4、负载侧发生电流过大或短路故障的，迅速断路。
2.根据这四种功能特点将本断路器命名为“NL输入规定综合漏电断路器”。
3.如附图图1所示，该发明装置分为两大部分，第一部分为相线中线违反预设规定输入及电器外壳异常带电信号检测及其激励电路，简称规定电路I。
4.第二部分为现有市场销售的DZ15LE型漏电断路器(单相漏电断路器)，在本文简称断路器2。
5.规定电路I中又分为检测电路1.1和激励电路1.2。
6.其特征包括:检测电路由整流二极管1N4007VDn、整流二极管1N4007VD12、碳膜电阻(1.62mΩ ) R1。、氖泡辉光管Ne (测电笔氖灯)和近地金属块(13.2mmX5.9mmX0.5mm) GD组成，其中抑12和Rltl串联，VD ^的阴极和VD 12的阴极互相连接，VD η阳极连接中性线输出规定端N1，VD12W极连接R 1(1某一脚，R 1(1另一脚连接被保护电器外壳，氖泡辉光管Ne某一脚和近地金属块GD相连接，氖泡辉光管Ne的另一脚同时连接VD1J^阴极和VD 12的阴极，近地金属板GD与墙体平行安装并且与墙体距离不大于5厘米，近地金属板GD可不与墙体连通，氖泡辉光管Ne发光面紧接光敏电阻R2tl受光面，二者无电气连接，二者用黑色材料密切封装，做到不漏气不漏光，以防外光线和周围水汽影响。
7.激励电路1.2由半波整流二极管1N4007VD21、半波整流二极管(1N4007)VD22、整流二极管1N4007VD23、光敏电阻Rm (硫化镉(CdS )光敏电阻0 5mm)、限流分压电阻电阻R21和R22、分压电阻R23 ( 24ΚΩ )、傍路电容C2 (50V、0.33PF)、单向可控硅(ΒΤ1690)Τ2、断路器2零序互感器加绕初级线圈L2、低频扼流电感L5组成，其中整流二极管1N4007VD 23的阴极、R2(1、R21、R22互相串联，二极管1N4007VD 23的阳极连接半波整流二极管1N4007VD 21阳极，R21另一脚连接单向可控硅T2的控制极G，R 23和C 2并联在单向可控硅T 2的控制G和阴极K之间，VDn、VD21、VD23三者的阳极共同连接中性线输入规定端N S VD22阳极与单向可控硅T 2阴极K连接，VD22阴极和断路器零序互感器初级加绕线圈L2以及低频扼流电感L5相串联，L2另一脚与相线输出规定端S1相连接。
8.以上第7段所述元件以单向k可控硅T2为核心，组成开关回路。
9.断路器2为厂家现有的单相断路器产品，在本装置中将其电源输入侧的左端作为相线输入规定端S，右端作为中性线输入规定端N，相应地将其负载输出侧左端作为相线输出规定端S1,右端作为中性线输出规定端N1。
【专利摘要】一种NL输入规定综合漏电断路器，当发生所列4种情形之一时：相线中线反规定输入、电器外壳异常带电而漏电电流小于15毫安、负载侧漏电、负载电流过大或短路，试验表明该装置均能在0.1秒内动作分断，切断电源。该装置由规定电路和市场现有断路器组成，规定电路内分为检测电路和激励电路，二者间通过光电耦合发生实现反拒相线中性线反规定输入，对电器外壳带电迅速反应，检测电路另一端为不触地之近地金属板，由其对地电容效应可灵敏检测反规定输入相线信号和电器外壳带电信号。断路器部分与规定电路通过断路器的零序互感器加绕初级线圈发生电信号耦合产生分断动作效果，断路器仍可保持原有的各种断路功能。
【IPC分类】H02H3-32, H02H3-14, H02H11-00, H02H3-08
【公开号】CN104701835
【申请号】CN201510088295
【发明人】韦明肯, 蒙治旱
【申请人】韦明肯
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年2月26日