Ddr芯片提供电源的电路结构的制作方法

文档序号:9262976阅读:294来源:国知局
Ddr芯片提供电源的电路结构的制作方法
【技术领域】
本申请涉及DDR芯片提供电源的电路结构。
【背景技术】
目前,DDR芯片的供电芯片一般都是采用配套的电源芯片,但因配套的电源芯片一般价格都比较昂贵,而且是与专门的DDR芯片配合使用,当DDR芯片更换时,相应的电源芯片也需更换,增加了维修或更换成本。
[0003]目前也有选用单路的DC-DC电源芯片作为DDR芯片的供电芯片。DC-DC供电芯片中上下两端均设有MOS管(绝缘性场效应管),由上下两端的MOS管调节控制DC-DC供电芯片的开关时间。由于电路板上存在各种高频信号,会对DC-DC电源芯片造成各种干扰,如果在DC-DC电源芯片的PFM(脉冲频率调制信号)/PWM(脉冲宽度调制信号)切换期间,电压反馈信号受到干扰,DC-DC供电芯片不能及时打开下端的MOS管,造成过大的冲击电流流过上端MOS管的体二极管,长期使用,会使得DC-DC电源芯片甚至DDR芯片烧毁。

【发明内容】

为了克服现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种价格低廉、供电稳定的DDR芯片提供电源的电路结构。
本申请DDR芯片提供电源的电路结构,其包括单路DC-DC电源芯片,DC-DC电源芯片输入端设有输入电容,其输出端设有输出电容,DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接,DDR芯片上设有高速总线,高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。
所述输入电容与DC-DC电源芯片的间距一般为5mm以内。
所述输入电容和输出电容在同层布线中电连接。
所述DC-DC电源芯片为PWM模式芯片。
采用本申请的电路结构,为DDR芯片提供一种通用的提供电源的电路结构,这样DDR芯片不需采用专门配套供电芯片,降低成本,使DDR芯片维修和更换更为方便。同时,DDR芯片连接的高速总线与DC-DC电源芯片间设有地层,从而避免了电路板上各种高频信号的干扰,保护DDR芯片和DC-DC电源芯片,延长DDR芯片和DC-DC电源芯片的使用寿命。
【附图说明】
下面结合附图和【具体实施方式】对本申请作进一步详细的说明:
图1是本申请DDR芯片提供电源的电路结构的结构示意图。
【具体实施方式】
如图1所示,本申请DDR芯片提供电源的电路结构,其包括DC-DC电源芯片I,DC-DC电源芯片I输入端设有输入电容2,其输出端设有输出电容3,DC-DC电源芯片I与DDR芯片4电连接,DDR芯片4上设有高速总线5,高速总线5与DC-DC电源芯片I间设有屏蔽干扰的地层6。
本申请选用DC-DC电源芯片I对DDR芯片4进行供电,DDR芯片4连接的高速总线5与DC-DC电源芯片I间设有地层6,从而避免了电路板上各种高频信号的干扰,保护DDR芯片4和DC-DC电源芯片1,延长DDR芯片4和DC-DC电源芯片I的使用寿命。
所述输入电容2与DC-DC电源芯片I的间距一般为5mm以内,从而可以减小电流的回流路径,大大改善低频部分EMI (电磁干扰)辐射。
所述输入电容2和输出电容3在同层布线中电连接,从而减小输入输出的阻抗,使电压输入输出等电势,避免产生大的电势差,并且增加DC-DC电源芯片I的负载跳变响应速度。
所述DC-DC电源芯片I为PWM模式芯片。因为此类DC-DC电源芯片I的开关频率固定,没有电流的过零检测机制。DC-DC电源芯片I中的上下MOS管一开一闭,不存在上下MOS管都关闭的状态,更不会产生负电流,保证DC-DC电源芯片I安全使用。
【主权项】
1.DDR芯片提供电源的电路结构,其特征在于:其包括单路DC-DC电源芯片,DC-DC电源芯片输入端设有输入电容,其输出端设有输出电容,DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接,DDR芯片上设有高速总线,高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。2.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构,其特征在于:所述输入电容与DC-DC电源芯片的间距一般为5mm以内。3.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构,其特征在于:所述输入电容和输出电容在同层布线中电连接。4.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构,其特征在于:所述DC-DC电源芯片为PWM模式芯片。
【专利摘要】本申请公开了DDR芯片提供电源的电路结构,其包括单路DC-DC电源芯片,DC-DC电源芯片输入端设有输入电容,其输出端设有输出电容,DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接,DDR芯片上设有高速总线,高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。采用本申请的电路结构,为DDR芯片提供一种通用的提供电源的电路结构,这样DDR芯片不需采用专门配套供电芯片,降低成本,使DDR芯片维修和更换更为方便。同时,DDR芯片连接的高速总线与DC-DC电源芯片间设有地层,从而避免了电路板上各种高频信号的干扰,保护DDR芯片和DC-DC电源芯片,延长DDR芯片和DC-DC电源芯片的使用寿命。
【IPC分类】H02M3/155
【公开号】CN104980017
【申请号】CN201510398075
【发明人】王永顺
【申请人】王永顺
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年6月30日
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