漏电保护装置自动上电电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及漏电保护装置技术领域，特别涉及一种漏电保护装置自动上电电路。
【背景技术】
[0002]单相可控硅运用在直流电中一旦触发后将有维持导通功能，若运用在交流电中触发后因可控硅阳极有过零周期存在造成可控硅自动关断，为了让可控硅能在交直流混合控制电路中使用且不断电的前提下，实现导通或截止且导通角受控则必须要有专用触发电路，由于专用电路成本高且需要外接元件辅助，造成线路板体积大，安装空间时常受到限制，不易小型化设计。
【发明内容】
[0003](一 )要解决的技术问题
[0004]本发明的目的就是要克服上述缺点，旨在提供一种漏电保护装置自动上电电路。
[0005]( 二)技术方案
[0006]为达到上述目的，本发明的漏电保护装置自动上电电路，包括整流电路、机构连锁装置和漏电保护电路，还设有自动上电触发电路、上电线圈L1和可控硅Q2 ;所述自动上电触发电路连接可控硅Q2触发极，所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置；上电线圈L1和可控硅Q2进行电气连接，Q2导通，上电线圈L1吸合。
[0007]所述自动上电触发电路包括储能电容C1、三极管Q1、电容C2和电阻R3 ;所述电阻R3 —端连接储能电容C1正极，另一端连接电容C2，所述三极管Q1基极受控于电容C2 ;所述三极管Q1集电极连接电容C3的一端，所述电容C3另一端与可控硅Q2触发极进行电气连接。
[0008]还包括二次开关电路，所述二次开关电路为复位键S1、二极管D2以及所述的电容C2构成的回路。
[0009]所述储能电容C1和三极管Q1集电极之间设有电阻R2 ;所述可控硅Q2触发极连接有电容C4和电阻R5。
[0010]电容C3另一端与可控硅Q2触发极之间设置稳压二极管D7。
[0011]所述电阻R2、电容C3、稳压二极管D7、电阻R5和电容C4组成延时控制电路。
[0012]所述延时控制电路的延时时间可调节。
[0013]所述漏电保护电路包括用于感应零火线漏电的零序电流互感器，以及用于感应地线漏电的地线互感器，以及漏电保护1C ;漏电保护1C用于接收零序电流互感器和地线互感器的感应电势。
[0014]所述稳压二极管D7用降压电阻代替。
[0015]还包括断电线圈L2以及与断电线圈L2电气连接的可控硅Q3，所述断电线圈L2用于断开机构连锁装置，所述可控硅Q3触发极受控于漏电保护1C。
[0016](三)有益效果
[0017]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:用较少的元件实现单次触发，省去专用电路，减少成本及体积；自动上电吸合技术关键是自动触发及二次人为被动触发，该功能实现可延伸到多用途运用领域，上电吸合即等效开关，代替了大功率继电器控制方式且二次被动触发可实现单片机扩展运用实现了智能化组合控制模式。
【附图说明】
[0018]图1为本发明的漏电保护装置自动上电电路的模块图；
[0019]图2为本发明的漏电保护装置自动上电电路的实施例一的电路原理图；
[0020]图3为本发明的漏电保护装置自动上电电路的实施例二的电路原理图；
[0021]图4为本发明图2中降压电阻替代稳压二极管的电路原理图；
[0022]图5为本发明图3中降压电阻替代稳压二极管的电路原理图。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0024]实施例一
[0025]电路模块图如图1所示，本发明的漏电保护装置自动上电电路，包括整流电路、机构连锁装置S2-S3和漏电保护电路，整流电路包括限流电阻R1和整流二极管D1，还设有自动上电触发电路、上电线圈L1和可控硅Q2 ;所述自动上电触发电路连接可控硅Q2触发极，所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置S2-S3 ;上电线圈L1和可控硅Q2进行电气连接，Q2导通，上电线圈L1吸合。
[0026]电路原理图如图2所示，所述自动上电触发电路包括储能电容C1、三极管Q1、电容C2和电阻R3 ;所述电阻R3 —端连接储能电容C1正极，另一端连接电容C2，所述三极管Q1基极受控于电容C2 ;所述三极管Q1集电极连接电容C3的一端，所述电容C3另一端与可控硅Q2触发极进行电气连接。其中，储能电容C1并联有稳压二极管D6。
[0027]本实施例中，为了保证后续电压的稳定性，电容C3另一端与可控硅Q2触发极之间设置稳压二极管D7。
[0028]还包括二次开关电路，所述二次开关电路为复位键S1、二极管D2以及所述的电容C2构成的回路。
[0029]所述储能电容C1和三极管Q1集电极之间设有电阻R2 ;所述可控硅Q2触发极连接有电容C4和电阻R5。
[0030]所述电阻R2、电容C3、稳压二极管D7、电阻R5和电容C4组成延时控制电路。稳压二极管D7能够保证延时时间的精确性。
[0031]如图4、5所示，所述稳压二极管D7用降压电阻RV1代替。
[0032]所述延时控制电路的延时时间可调节。
[0033]所述漏电保护电路包括用于感应零火线漏电的零序电流互感器ZCT1，以及用于感应地线漏电的地线互感器ZCT2，以及漏电保护1C ;漏电保护1C用于接收零序电流互感器ZCT1和地线互感器ZCT2的感应电势。
[0034]还包括断电线圈L2以及与断电线圈L2电气连接的可控硅Q3，所述断电线圈L2用于断开机构连锁装置S2-S3，所述可控硅Q3触发极受控于漏电保护1C。
[0035]实施例二
[0036]如图3所示，在电阻R3两端增加抗干扰电容，提高了漏电保护装置的抗干扰性能，二极管D2可以用电阻R6替代。
[0037]本发明工作原理如下
[0038]自动上电功能
[0039]接通电源，电源电压经R1限流，D1整流，C1滤波，D6稳压后，经R3，C2使Q1饱和导通，完成上电延时使整机处于稳定状态，当C2电压充满后，电源电压经R2，C3，D7使Q2可控娃导通20?30mS (时间可调)，此时上电线圈L1吸合1次，上电线圈L1的吸合带动机械连锁装置S2-S3同步吸合并自锁，负载持续供电输出；当负载零序电流互感器ZCT1或地线互感器ZCT2有漏电电流时，漏电保护1C保护电路驱动可控硅Q3导通，断电线圈L2吸合，使负载开关S2，S3同步释放，从而实现了漏电跳闸保护功能；
[0040]二次上电功能
[0041]出于断电状态，按下复位按键Sl，C2端电压经Sl，D2构成短路回路释放，当松开S1后即回到自动上电触发模式，负载获电输出。
[0042]本电路具有如下特点
[0043]1、接通电源自动上电且维持在机械自锁负载供电状态；
[0044]2、产生漏电或按K1试验按键时负载自动断电且维持在机械自锁状态；
[0045]3、保护电路连接在机构连锁装置S2-S3开关输出端，在机构连锁装置S2-S3断开状态下负载回路元件无需消耗电能；
[0046]4、S1复位开关释放有效，可实现每次触发时间确保一致；
[0047]5、为确保低电压不允许工作，电路中调整R2，R3分压电阻比例参数可实现低电压不触发现象，保护了控制器及用电负载安全用电。
[0048]本发明用较少的元件实现单次触发，省去专用电路，减少成本及体积；自动上电吸合技术关键是自动触发及二次人为被动触发，该功能实现可延伸到多用途运用领域，上电吸合即等效开关，代替了大功率继电器控制方式且二次被动触发可实现单片机扩展运用实现了智能化组合控制模式。
[0049]综上所述，上述实施方式并非是本发明的限制性实施方式，凡本领域的技术人员在本发明的实质内容的基础上所进行的修饰或者等效变形，均在本发明的技术范畴。
【主权项】
1.一种漏电保护装置自动上电电路，包括整流电路、机构连锁装置和漏电保护电路，其特征在于:还设有自动上电触发电路、上电线圈L1和可控硅Q2 ;所述自动上电触发电路连接可控硅Q2触发极，所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置；上电线圈L1和可控硅Q2进行电气连接。2.如权利要求1所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述自动上电触发电路包括储能电容C1、三极管Q1、电容C2和电阻R3 ;所述电阻R3 —端连接储能电容C1正极，另一端连接电容C2，所述三极管Q1基极受控于电容C2 ;所述三极管Q1集电极连接电容C3的一端，所述电容C3另一端与可控硅Q2的触发极进行电气连接。3.如权利要求2所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:还包括二次开关电路，所述二次开关电路为复位键S1、二极管D2以及所述的电容C2构成的回路。4.如权利要求2所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述储能电容C1和三极管Q1集电极之间设有电阻R2 ;所述可控硅Q2触发极连接有电容C4和电阻R5。5.如权利要求2所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述电容C3另一端与可控硅Q2触发极之间设置稳压二极管D7。6.如权利要求5所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述电阻R2、电容C3、稳压二极管D7、电阻R5和电容C4组成延时控制电路。7.如权利要求6所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述延时控制电路的延时时间可调节。8.如权利要求6所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述漏电保护电路包括用于感应零火线漏电的零序电流互感器，以及用于感应地线漏电的地线互感器，以及漏电保护1C ;漏电保护1C用于接收零序电流互感器和地线互感器的感应电势。9.如权利要求6所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:所述稳压二极管D7用降压电阻代替。10.如权利要求8所述的漏电保护装置自动上电电路，其特征在于:还包括断电线圈L2以及与断电线圈L2电气连接的可控硅Q3，所述断电线圈L2用于断开机构连锁装置，所述可控硅Q3触发极受控于漏电保护1C。
【专利摘要】本发明公开一种漏电保护装置自动上电电路，包括整流电路、机构连锁装置和漏电保护电路，还设有自动上电触发电路、上电线圈L1和可控硅Q2；所述自动上电触发电路连接可控硅Q2触发极，所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置；上电线圈L1和可控硅Q2进行电气连接,Q2导通,上电线圈L1吸合。用较少的元件实现单次触发，省去专用电路，减少成本及体积；自动上电吸合技术关键是自动触发及二次人为被动触发，该功能实现可延伸到多用途运用领域，上电吸合即等效开关，代替了大功率继电器控制方式且二次被动触发可实现单片机扩展运用实现了智能化组合控制模式。
【IPC分类】H02H3/32, H02H3/14, H02H3/06
【公开号】CN105356409
【申请号】CN201510834207
【发明人】钱加灿
【申请人】余姚市嘉荣电子电器有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月26日