2和 第=电阻R3对该预设电压进行分压获得的。其中，根据不同的欲保护的低温温度点，可W 通过改变电阻R2和电阻R3的阻值来改变参考电压。
[0064] 在实际电路应用中，为了保证电路中各种电压信号的稳定，需要在电路中增加滤 波设计。因此，本实施例中，该低温保护电路还包括；至少一个第一滤波电容，所述至少一个 第一滤波电容并联后的一端与所述源端输入电压连接，另一端接地。该至少一个第一滤波 电容，用于滤除源端输入电压中的纹波，如图4所示，图4中仅示意出一个第一滤波电容C1， 该第一滤波电容C1的规格比如为0.luF，16V，0402。
[00化]该低温保护电路中还可W包括；至少一个第二滤波电容，所述至少一个第二滤波 电容并联后的一端与所述DC-DC电压转换巧片的输入端连接，另一端接地。在开关管为MOS 管的时候，该至少一个第二滤波电容并联后的一端与所述MOS管的漏极连接，另一端接地。 所述至少一个第二滤波电容，用于滤除所述第二输出电压中的纹波，如图4所示，图4中示 意出了由电容C2和电容C3并联在MOS管漏极的情形，C2的规格比如为1证，10V，0402 ;C3 的规格比如为0.luF，16V，0402。
[0066] 该低温保护电路中还可W包括；至少一个第=滤波电容，所述至少一个第=滤波 电容并联后的一端与所述电压比较器的同相输入端连接，另一端接地。所述至少一个第S 滤波电容，用于滤除所述采样电压中的纹波，如图4所示，图4中仅示意出一个第=滤波电 容C4,C4的规格比如为0.luF，16V, 0201。
[0067] 图5为本实用新型实施例四提供的低温保护电路的电路图，如图5所示，本实施例 提供的所述低温保护电路中，电压比较器U1为开漏输出结构，从而，该低温保护电路在W 上实施例的基础上，还包括第四电阻R4,所述第四电阻R4的一端连接开关管控制电压，所 述第四电阻R4的另一端连接所述电压比较器的输出端OUT。在开关管为MOS管时，相应的， 所述第四电阻R4的一端连接M0S管栅极控制电压VCC_C0NTR0L，所述第四电阻R4的另一端 连接所述电压比较器U1的输出端OUT和所述MOS管的栅极G间。
[0068] 此时，在电压比较器U1采用开漏输出（open-化ainoutput)结构的电压比较器 时，电压比较器U1的输出电压的高电平电压值即第一输出电压VU的电压值由电阻R4的 供电电压VCC_Control决定。具体地，所述电压比较器U1的输出的所述第一输出电压VlwT 的电压值根据所述MOS管栅极控制电压VCC_C0NTR0L的电压值确定，可等于VCC_C0NTR0L 的电压值。开漏输出（open-化ainoutput)结构的电压比较器的工作原理为现有技术，本 实施例中不寶述。
[0069] 从而，当环境温度大于欲保护低温温度点时，所述负温度系数热敏电阻NTC的采 样电压小于所述参考电压，所述源端输入电压P〇WER_INPUT与M0S管栅极控制电压VCC_ Control之间的电压差值处于所述MOS管的口限电压范围之外，MOS管导通；当环境温度小 于或等于欲保护低温温度点时，负温度系数热敏电阻NTC的采样电压大于所述参考电压， 所述源端输入电压P〇WER_INPUT与M0S管栅极控制电压VCC_Control之间的电压差值处于 所述M0S管的口限电压范围W内，M0S管截止。
[0070] W下将结合图5,W-个具体的示例来说明用于DC-DC电压转换巧片的低温保护 电路。
[007U其中，电压比较器U1采用的是开漏输出结构的电压比较器，源端输入电压P0WER_INPUT采用5V，负温度系数热敏电阻NTC采样的驱动电压采用12V，电压比较器U1的供电电 压VCC采用5V，电阻R4的供电电压VCC_C0NTR0L采用4. 3V，M0S管Q1采用A03401A型号， 负温度系数热敏电阻NTC采用TSM0A103F34D型号，欲保护低温温度点为-20°C，DC-DC电压 转换巧片采用MP2161型号。
[007引根据前述说明可知，电压比较器U1的同相输入端m+输入的采样电压可W根据如 下公式确定：
[0073]
【主权项】
1. 一种低温保护电路，其特征在于，包括：热敏电阻元件、电压比较器，以及设置在源 端输入电压和直流-直流DC-DC电压转换芯片之间的开关管； 所述热敏电阻元件与所述电压比较器的同相输入端连接，用于对驱动电压进行采样以 获得采样电压，并将所述采样电压输入到所述电压比较器的同相输入端，所述电压比较器 的反相输入端连接参考电压； 所述开关管分别与所述电压比较器的输出端、所述源端输入电压以及所述DC-DC电压 转换芯片连接； 所述电压比较器用于通过比较所述采样电压与所述参考电压的大小，来输出输出电压 以控制所述开关管的导通或截止。
2. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，所述电压比较器具体用于在环 境温度小于或等于欲保护低温温度点，所述采样电压大于所述参考电压时，输出第一输出 电压，所述第一输出电压与所述源端输入电压之间的电压差值处于所述开关管的门限电压 范围之内，所述开关管截止； 所述电压比较器还用于在环境温度大于所述欲保护低温温度点，所述采样电压小于所 述参考电压时，输出第二输出电压，所述第二输出电压与所述源端输入电压的电压差值处 于所述开关管的门限电压范围之外，所述开关管导通。
3. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，所述开关管包括场效应MOS管， 所述MOS管的栅极与所述电压比较器的输出端连接，所述MOS管的源极与所述源端输入电 压连接，所述MOS管的漏极与所述DC-DC电压转换芯片连接。
4. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，还包括： 第一电阻，所述第一电阻的一端与所述驱动电压连接，所述第一电阻的另一端与所述 热敏电阻元件的一端连接，所述热敏电阻元件的另一端接地；所述热敏电阻元件的一端与 所述电压比较器的同相输入端连接。
5. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，还包括： 第二电阻和第三电阻，所述第二电阻的一端与预设电压连接，所述第二电阻的另一端 与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端接地；所述第三电阻的一端与所述电 压比较器的反相输入端连接。
6. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，所述电压比较器为推挽输出结 构。
7. 根据权利要求1所述的低温保护电路，其特征在于，所述电压比较器为开漏输出结 构，所述低温保护电路还包括第四电阻； 所述第四电阻的一端连接开关管控制电压，所述第四电阻的另一端连接所述电压比较 器的输出端。
8. 根据权利要求1至7中任一项所述的低温保护电路，其特征在于，还包括： 至少一个第一滤波电容，所述至少一个第一滤波电容并联后的一端与所述源端输入电 压连接，另一端接地； 所述至少一个第一滤波电容，用于滤除所述源端输入电压中的纹波。
9. 根据权利要求1至7中任一项所述的低温保护电路，其特征在于，还包括： 至少一个第二滤波电容，所述至少一个第二滤波电容并联后的一端与所述DC-DC电压 转换芯片的输入端连接，另一端接地； 所述至少一个第二滤波电容，用于滤除所述开关管导通时所述开关管输入到所述DC-DC电压转换芯片的电压中的纹波。
10. 根据权利要求1至7中任一项所述的低温保护电路，其特征在于，还包括： 至少一个第三滤波电容，所述至少一个第三滤波电容并联后的一端与所述电压比较器 的同相输入端连接，另一端接地； 所述至少一个第三滤波电容，用于滤除所述采样电压中的纹波。
11. 一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的低温保护电 路，以及DC-DC电压转换芯片、负载电子器件、源端输入电压和驱动电压； 所述源端输入电压与所述低温保护电路中的所述开关管连接； 所述驱动电压与所述低温保护电路中的所述热敏电阻元件连接； 所述DC-DC电压转换芯片的输入端与所述低温保护电路中的所述开关管连接，所述DC-DC电压转换芯片的输出端与所述负载电子器件连接。
【专利摘要】本实用新型提供一种低温保护电路和电子装置，该低温保护电路包括热敏电阻元件、电压比较器，以及设置在源端输入电压和DC-DC电压转换芯片之间的开关管。热敏电阻元件与电压比较器的同相输入端连接，用于对驱动电压进行采样以获得输入到电压比较器同相输入端的采样电压；电压比较器的反相输入端连接参考电压；开关管分别与电压比较器的输出端、源端输入电压以及述DC-DC电压转换芯片连接；电压比较器用于通过比较采样电压与参考电压的大小，来输出输出电压以控制开关管的导通或截止。在欲保护低温温度点时，开关管截止，DC-DC电压转换芯片的输入端电压为零，实现在欲保护低温温度点对DC-DC电压转换芯片后端电子器件的保护。
【IPC分类】H02H5-04
【公开号】CN204464953
【申请号】CN201520022031
【发明人】刘兴远, 唐姝旻, 孙超群, 沈锦祥
【申请人】生迪光电科技股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年1月13日