平衡声波滤波器及声波滤波器件的制作方法

专利名称：平衡声波滤波器及声波滤波器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含多个彼此相连之声波元件的声波滤波器和声波滤波器件，具体地说，涉及一种具有平衡-不平衡转换功能的中点接地平衡声波滤波器及声波滤波器件。
背景技术：
通常，各种声表面波(SAW)滤波器已被用作比如便携式电话类通信设备所用的带通滤波器。特别需要便携式电话RF(射频)段用的SAW滤波器具有平衡-不平衡转换功能。在具有这种平衡-不平衡转换功能的情况下，SAW滤波器不需要包含用作平衡-不平衡转换元件的平衡-不平衡转换器。
下面所说的专利文献1公开了一种具有平衡-不平衡转换功能之中点接地平衡SAW滤波器的举例。图24是表示专利文献1所述SAW滤波器的平面示意图，图25表示它的电路结构。
如图24所示，SAW滤波器200包括表面波基板301。表面波基板301上设置有第一和第二SAW滤波元件201和202，以及第一和第二SAW谐振器203和204。如图25所示，第一滤波元件201是纵向耦合SAW滤波元件，它包含沿表面波传送方向对准的IDT(叉指变换器)205-207和反射器208和209。滤波元件202的结构相同，包含IDT210-212和反射器213和214。应予说明的是，第二滤波元件202的相位与第一滤波元件201的相位差180°。
第一滤波元件201的中心IDT206和第二滤波元件202的中心IDT211与不平衡接线端215连接。IDT205-207的一端经SAW谐振器203与第一平衡接线端216连接。另一方面，第二滤波元件202的外面的IDT210-212的一端经SAW谐振器204与第二平衡接线端217连接。采用这样的结构，SAW滤波器200可用作包含不平衡接线端215和第一及第二平衡接线端216、217的平衡SAW滤波器。
在第一和第二滤波元件中，使与IDT206和211的不平衡接线端215相连各端的相对各端接地。如图24所示，IDT206和211分别与设在表面波基板301上的电极垫片302和303相连。所述电极垫片302和303是与地电位相接的电极垫片。
制作时，将金属凸缘结合到电极垫片302和303上，并将金属凸缘与接到封装侧上的地电位的电极负载电连接。相应地，电极垫片302和303，也就是IDT206和211的接地端，彼此连到与封装侧上的地电位相连的电极负载上。
另一方面，使第一滤波元件的IDT205和207的平衡信号接线端216相连的端部对着的各端也被接地。也就是说，在图24中，IDT205的接地端与电极垫片311电连接。另外，IDT207与电极垫片312电连接。电极垫片311和312都是与地电位相连的电极垫片。
同样地，在第二滤波元件202一侧，使与IDT210和212的平衡信号接线端217相连的端部对着的各端都接地。具体地说，有如图24中所示那样，IDT210的接地端与电极垫片312连接，而IDT212的接地端与电极垫片313电连接。电极垫片311-313与上述电极垫片302和303一样，都和设在封装基板上的电极焊盘相连，接到地电位。也就是说，如图所示那样，电极垫片311-313互相连接在封装基板中。
专利文献1日本未审专利申请公开No.2004-88551。

发明内容
通过面朝下安装于封装基板上的方法制得SAW滤波器200。在这种情况下，将多个金属凸缘结合到包括上述电极垫片302、303和311-313的多个电极垫片上。然后，将SAW滤波器200安装在封装基板上，使与所述金属凸缘结合的表面为下表面，从而，各金属凸缘使所述电极垫片302、303和311-313，能够与封装基板上的各金属凸缘结合。
由于采用面朝下的方法装配上述SAW滤波器200，而且，由于有平衡-不平衡转换功能的缘故，所以，无需包含平衡-不平衡转换器，以致还能使包含RF段的SAW滤波器200小型化。
然而，在将所述SAW滤波器200实际用作具有平衡-不平衡转换功能的平衡SAW滤波器，并如上述那样安装在封装基板上时，不利的是，带域外衰减量并不充分。
本发明的目的在于克服上述公知技术的缺点，提供一种进一步被小型化的平衡声波滤波器，能有效地改善带域外衰减量，因此而具有良好的滤波特性，还提供一种包含这种声波滤波器的声波滤波器件。
按照本发明的最宽方案，提供一种平衡声波滤波器，它包含不平衡接线端和第一、第二平衡接线端。所述平衡声波滤波器包括声波基板；第一纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括连接在所述不平衡接线端与第一平衡接线端之间的至少三个IDT；第二纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括连接在所述不平衡接线端与第二平衡接线端之间的至少三个IDT，与第一滤波元件的第一平衡接线端中信号的相位相反的信号流过该第二平衡接线端；第一连接线，它把与第一滤波元件的第一平衡接线端相连的IDT的接地端连接到与第二滤波元件的第二平衡接线端相连的IDT的接地端，从而形成共用中点接地部分；以及第二连接线，它把与第一滤波元件中的不平衡接线端相连的各IDT的接地端连接到与第二滤波元件中的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，从而形成不平衡侧接地部分，并设置与所述声波基板上。所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
按照本发明的另一最宽方案，提供一种平衡声波滤波器，包括声波基板；第一纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括不平衡接线端、第一和第二平衡接线端，以及连接在所述不平衡接线端与第一和第二平衡接线端之间的至少三个IDT；第二纵向结合型滤波元件，它包括连接在第一滤波元件的第一和第二平衡接线端的第三和第四平衡接线端、第五和第六平衡接线端，以及连接在所述第三和第四平衡接线端以及第五和第六平衡接线端之间的多个IDT；第一连接线，它把与第一滤波元件的第一和第二平衡接线端相连的IDT的接地端连接到与第二滤波元件的第三和第四平衡接线端相连的IDT的接地端，从而形成共用中点接地部分，并被设置在声波基板上；以及第二连接线，它连接到与第一滤波元件的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，并设置在声波基板上，从而形成不平衡侧接地部分。所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
按照本发明的一个特定方案，所述平衡声波滤波器还包括第三连接线，它把不平衡接线端连接到与该不平衡接线端相连的至少一个IDT，并在声波基板上与第一连接线相交；层间绝缘膜，在第一和第三连接线的交叉点处，设置在第一和第三连接线之间。
按照本发明的另一特定方案，所述平衡声波滤波器还包括封装。所述封装包括通过凸缘与所述共用中点接地部分相连的第一电极焊盘，以及通过凸缘与所述不平衡侧接地部分相连的第二电极焊盘。所述第一和第二电极焊盘在所述封装上彼此分离。
按照本发明平衡声波滤波器的又一特定方案，用声表面波作为所述声波，从而使本发明提供一种平衡声表面波滤波器。本发明中的“声波”不仅包括声表面波，还包括其它类型的声波，如边界声波。
按照本发明一种特定方案的声波滤波器件，在声波基板上设置如同本发明平衡声波滤波器的第一平衡声波滤波器和如同本发明平衡声波滤波器的第二平衡声波滤波器。第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同。第一平衡声波滤波器的共用中点接地部分和第二平衡声波滤波器的共用中点接地部分互相连接，而且，第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分和第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分也互相连接。所述互相连接共用中点接地部分与互相连接不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
按照本发明声波滤波器件的另一种特定方案，在所述声波基板上设置如同权利要求1-5任一种平衡声波滤波器的第一平衡声波滤波器，以及如同权利要求1-5任一种平衡声波滤波器的第二平衡声波滤波器。第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同。第一平衡声波滤波器的共用中点接地部分和第二平衡声波滤波器的共用中点接地部分互相连接。互相连接的共用中点接地部分、第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分，以及第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。所述声波滤波器件还包括封装，所述封装包括通过凸缘与所述共用中点接地部分相连的第一电极焊盘，和通过凸缘与第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分相连的第二电极焊盘，以及通过凸缘与第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分相连的第三电极焊盘。所述第一电极焊盘、第二电极焊盘和第三电极焊盘在所述封装上彼此分离。
按照本发明声波滤波器件的另一种特定方案，提供形成为双工器或多频带滤波器的声波滤波器件。
在本发明的平衡声波滤波器中，第一连接线，它把与第一滤波元件的第一平衡接线端相连的IDT的接地端连接到与第二滤波元件的第二平衡接线端相连的IDT的接地端，从而形成共用中点接地部分；以及第二连接线，它把与第一滤波元件的不平衡接线端相连的各IDT的接地端连接到与第二滤波元件中的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，从而形成不平衡侧接地部分，并且，所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。因此，在具有平衡-不平衡转换功能的中点接地平衡声波滤波器中，可使带域外衰减量得到有效的改善。理由如下。这就是，中点接地平衡声波滤波器中的地电流只在与不平衡接线端相连的IDT的接地侧中流动。也就是说，当与平衡接线端相连的各IDT的接地端互相连接时，并且在它的中点接地时，两个IDT被串联连接在两个平衡信号接线端之间。在这种情况下，在平衡侧上的两个IDT中产生大小相同，相位相反的电压，电流从一个IDT的平衡接线端流到另一个IDT的平衡接线端，并且相反方向的电流流入所述中点接地部分，彼此抵销。
然而，在这种结构中，第一与第二滤波元件相连，在通常的情况下，不能把两个滤波元件的IDT的中点接地部分组合在声波基板上。因此，就如同专利文献1中所述的那样，使各中点接地部分在封装基板上的接地电极侧互相连接。不过，由于SAW基板通过凸缘与封装基板结合，并因此而使封装基板上的接地电极与SAW基板上的各IDT的共用中点接地部分之间的距离较大，也使凸缘的面积较大，并使各凸缘间的间隔较大，所以难于实现小型化。另外，也使带域外衰减量不利地变差。
这就是说，在封装基板的电极焊盘中，因声表面波所引起的电流从与一个地电位相连的凸缘的连接点流到与另一个地电位相连的凸缘的连接点，电气中点存在于封装基板上电极焊盘的两个凸缘连接点之间的一点处，而且，该点与第一和第二滤波元件的IDT的中点接地部分之间的阻抗增大。因此，平衡度以及带域外衰减量都变差。
另一方面，按照本发明，在声波基板上实现共用中点接地部分的共用连接。因而，电气中点存在于声波基板上，共用中点接地部分与该电气中点之间的距离较短，它们之间的阻抗较小，使平衡度得到提高，也使滤波器的带域外衰减量得以扩展。也就是说，通过由阻抗或电感使分离的共用中点接地部分与不平衡侧接地部分相连，使通频带的高频段上的衰减量得到改善。这种情况下的电感值并无限制，但可以大约为0.1nH-10nH。另外，在所述声波基板上，通过第二连接线，使与不平衡接线端相连的第一滤波元件的各IDT的接地端和与不平衡接线端相连的第二滤波元件的各IDT的接地端互相连接，从而形成不平衡侧接地部分。也就是说，在声波基板上共享不平衡侧的地。相应地，可使地电流的流动适当地受到控制，由此而使带域外衰减量得以扩展。
在本发明的平衡声波滤波器中，在声波基板上设置第一滤波元件和第二滤波元件，其中，第一滤波元件包含不平衡接线端和第一、第二平衡接线端，并具有平衡-不平衡转换功能，而第二滤波元件包含与第一滤波元件的第一、第二平衡接线端相连的第三、第四平衡接线端，以及第五和第六平衡接线端。第一连接线使与第一、第二平衡接线端相连的各IDT的接地端和与第二滤波元件的第三、第四平衡接线端相连的各IDT的接地端相连，从而形成共用中点接地部分。第二连接线连接到与第一滤波元件的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，从而形成不平衡侧接地部分。所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分互相电隔离。在这种情况下，可使所述声波滤波器小型化，并能有效地扩展开带域外衰减量，从而能够得到良好的滤波特性。
按照本发明，第三连接线在声波基板上与所述第一连接线交叉，该第三连接线使至少一个与不平衡接线端相连的IDT与所述不平衡接线端相连。在二者之间的交点处，在所述第一和第三连接线之间设置多个层间绝缘膜。在这种情况下，所述各层间绝缘膜可靠地防止所述第一和第三连接线之间的短路。另外，由于第一和第三连接线互相交叉，所以，可使第一和第三连接线的长度变短，并可在所述声波基板上高密度地布置各连接线和电极。从而，能够进一步使声波滤波器小型化。
在本发明中，所述封装包括通过凸缘与共用中点接地部分相连的第一电极焊盘和通过凸缘与不平衡侧接地部分相连的第二电极焊盘。所述第一和第二电极焊盘在封装上互相分离。既然如此，就能得到利用各凸缘把平衡声波滤波器结合在封装上的结构。在这种平衡声波滤波器中，在声波基板上形成共用中点接地部分，并使带域外衰减量扩展。因而，可以在小型化的结构下实现良好的滤波特性，对于所说的小型化结构，是利用凸缘连接，按面朝下的方法，将声波滤波器安装在封装上的。在把声表面波用为声波的情况下，按照本发明，可以提供一种具有扩展的带域外衰减量的小型化平衡声表面波滤波器。
在这种声波滤波器件中，在声波基板上设置有如本发明这样的平衡声波滤波器的第一和第二平衡声波滤波器，第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同，两个滤波器的共用中点接地部分互相连接，并且，两个滤波器的不平衡侧接地部分也互相连接。既然如此，按照本发明，利用声波基板，可将多个具有平衡-不平衡转换功能的声波滤波器构造成芯片组件。因此，能够给出具有扩展的带域外衰减量的小型化双工器或多频带滤波器。
在这种声波滤波器件中，在声波基板上设置有如本发明这样的平衡声波滤波器的第一和第二平衡声波滤波器，第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同，两个滤波器的共用中点接地部分互相连接，并且，两个滤波器的不平衡侧接地部分也互相连接。另外，这种声波滤波器件包括封装，该封装包含第一至第三电极焊盘，通过凸缘使共用中点接地部分与第一电极焊盘连接，通过凸缘使第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分与第二电极焊盘连接，而第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分通过焊盘与第三电极焊盘连接，并且，第一至第三电极焊盘是彼此分离的。在这种情况下，利用声波基板，可将多个具有平衡-不平衡转换功能的声波滤波器构造成芯片组件。另外，能够给出一种小型化的声波滤波器件，其中，声波滤波器芯片通过多个凸缘与封装基板相连。在这种声波滤波器件中，第一至第三电极焊盘在封装上彼此分离，从而使第一和第二平衡声波滤波器之间的隔离性得到改善。


图1是表示本发明第一实施例声表面波(SAW)滤波器电路结构的平面示意图；图2是表示第一实施例SAW滤波器电极结构的平面示意图；图3是表示第一实施例SAW滤波器中所用封装的平面视图；图4是表示第一实施例SAW滤波器的正视图；图5是表示一种比较例SAW滤波器电路结构的平面示意图；图6是表示所述比较例SAW滤波器中所用封装的平面视图；图7表示第一实施例和所述比较例的SAW滤波器的相位平衡度与频率间的特性；图8表示第一实施例和所述比较例的SAW滤波器的振幅平衡度与频率间的特性；图9表示第一实施例和所述比较例的SAW滤波器的插入损失与频率间的特性；图10表示第一实施例和所述比较例的SAW滤波器的共模衰减量与频率间的特性；图11是表示本发明第二实施例SAW滤波器电路结构的平面示意图；图12是表示本发明第二实施例SAW滤波器电极结构的平面示意图；图13是表示本发明第三实施例SAW滤波器电路结构的平面示意图；图14是表示本发明第三实施例SAW滤波器电极结构的平面示意图；图15是表示本发明第四实施例SAW滤波器件电路结构的平面示意图；图16是表示本发明第四实施例SAW滤波器件电极结构的平面示意图；图17是表示本发明第五实施例SAW滤波器件电路结构的平面示意图；图18是表示本发明第五实施例SAW滤波器件电极结构的平面示意图；图19是表示本发明第六实施例SAW滤波器芯片的电极结构平面示意图；图20是说明作为第六实施例中所用封装的封装基板上各电极焊盘的平面视图；图21表示第六实施例和一种参照例的声波器件的分离度特性；
图22是说明所述参照例的声波器件中所用封装基板的上表面上各电极焊盘的平面示意图；图23是表示应用本发明的边界声波滤波器的正视剖面图；图24是表示一种公知SAW滤波器的电极结构的平面示意图；图25是表示图24所示公知SAW滤波器的电路结构平面示意图。
参考标号1 声表面波滤波器2 声表面波基板2a 主表面3 不平衡接线端3A 不平衡接线端4和5第一和第二平衡接线端4A和5A 第一和第二平衡接线端6 SAW谐振器6a IDT6b和6c 反射器7 第一滤波元件7a-7c IDT7d和7e 反射器8 第二滤波元件8a-8c IDT8d和8e 反射器9和10 SAW谐振器11 第一连接线12 第二连接线13 凸缘14 电极焊盘15 凸缘16 第三连接线
17a-17c，18和18b 层间绝缘膜19和20连接线22电极焊盘23凸缘24和25凸缘31封装32-36 电极焊盘51声表面波滤波器52声表面波基板54-57 滤波元件54a-54c，55a-55c，56a-56c，57a-57cIDT58和59第一和第二平衡接线端101 声表面波滤波器103 不平衡接线端104和105 第一和第二平衡接线端106 第一滤波元件106a-106c IDT107 第二滤波元件107a-107c IDT107b1和107b2 IDT部分108 第二连接线109 电极焊盘110 凸缘111 第一连接线112 电极焊盘114 凸缘151 声表面波滤波器件161 声表面波滤波器件171 边界声波滤波器172和173 介质层
174a-174cIDT175a-175c通孔电极176a-176c电极垫片177a-177c凸缘181 声表面波滤波芯片182 封装基板183 封装基板301-309 电极焊盘308b 电极焊盘具体实施方式
以下通过描述本发明的具体实施例，使本发明愈见清楚。
图1是表示本发明第一实施例声表面波(SAW)滤波器电路结构的平面示意图；图2是表示第一实施例SAW滤波器电极结构一种特殊形式的平面示意图。
如图1所示，SAW滤波器1包括SAW基板2，用作声波基板。本实施例中，所述SAW基板2由压电单晶与压电陶瓷制成，并成矩形形状。下面有述的多个电极和连接线设置于SAW基板2的一个主表面2a上，从而实现图1中所示的电路结构。
如图1所示，所述SAW滤波器1包括不平衡接线端3和第一、第二平衡接线端4、5，从而具有平衡-不平衡转换功能。
单端SAW谐振器6连到不平衡接线端3。第一和第二滤波元件7和8连接在单端SAW谐振器6的后段中。第一和第二滤波元件7和8都是3-IDT纵向耦合SAW滤波元件，包括三个IDT7a，7b，7c或8a，8b，8c。
第一滤波元件7的外部IDT7a和7c的一端经SAW谐振器6连到不平衡接线端3。中央IDT7b的一端经SAW谐振器9连到第一平衡接线端4。类似地，第二滤波元件8的外部IDT8a和8c的一端经SAW谐振器6连到不平衡接线端3。中央IDT8b的一端经SAW谐振器10连到第二平衡接线端5。
跟IDT7b、8b的与第一和第二平衡接线端4和5相连的端部相对的接地端，通过第一连接线11互相连接，形成共用中点接地部分。
另一方面，根IDT7a，7c，8a，8c的与不平衡接线端相连的端部相对的接地端，通过第二连接线12互相连接，形成不平衡侧接地部分。
本实施例SAW滤波器1的特性是设置有如上述的共用中点接地部分和不平衡侧接地部分，而且，所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在SAW基板2上是彼此分开的。这将在下面参照图2予以特别的描述。
图2中以同样的参考标号表示与图1中相同的各部分，并省去那些已参照图1所做的描述。
如图2所示，把与不平衡接线端3相应的电极垫片置于SAW基板2的主表面2a上，并使凸缘13结合到所述电极垫片之上。
将电极垫片14布置在设于SAW基板2上的第一连接线的端部。把凸缘15结合在电极垫片14上。使电极垫片14经凸缘15与接于封装侧上(下面有述)地电位的电极焊盘结合。
虽然图1中未予示出，但有如图2所示那样，SAW谐振器6、滤波元件7和8，以及SAW谐振器9和10当中的每一个都包括一对沿表面波的垂直方向设置于外侧的反射器。譬如，在SAW谐振器6中，在IDT6a的两侧设置有反射器6b和6c。应予说明的是，图1中为表示简单计，并未示出这些反射器。
类似地，下述其它各实施例的电路图中，作为同样的需要，也省略示出反射器。
回过来再参照图2，设置第三连接线16，用以使SAW谐振器6的IDT6a与滤波元件7和8的IDT7a，7c及8a，8c相连。
在滤波元件7和8中，第一连接线11连接到中央IDT7b和8b，而第三连接线16连接到两侧的IDT7a，7c及8a，8c。第一连接线11连接在电极垫片14上，该垫片14相对于滤波元件7和8被设置于SAW基板2的一个边缘2b侧面上。第三连接线16经SAW谐振器6连接到被设置在所述边缘2b一侧的不平衡接线端3。因此，第一连接线11自然地与第三连接线16互相交叉。
在本实施例中，在第一连接线11与第三连接线16之间的内层处设置有层间绝缘膜17a-17c，用以防止两线之间的短路。也就是在交点处设置层间绝缘膜17a-17c，用以盖住第三连接线16。第一连接线11通过层间绝缘膜17a-17c的上方，实现第一连接线11与第三连接线16之间的电绝缘。
作为适宜的绝缘材料，比如可将SiO2用于所述层间绝缘膜17a-17c，而且形成的方法不限。
在本实施例中，第一连接线11包括从第一滤波元件7的中央IDT7b延伸到电极焊盘14上的第一直线部分11a，从第二滤波元件8的中央IDT8b直线延伸的第二直线部分11b，以及在与直线部分11b的IDT8b相对端部处向着第一滤波元件7弯成直角并直线延伸的第三直线部分11c。第三直线部分11c的端部与第一直线部分11a相连。因此，所述第一连接线11包括上述多个直线部分11a-11c，使IDT7b和8b以短距离相连。
另一方面，第三连接线16包括直线部分16a、16b、16c和16d，它们从IDT7a，7c及8a，8c的端部，沿IDT的电极指延伸的方向向外延伸，还包括与这些直线部分16a-16d的外端相连的直线部分16e。直线部分16e经SAW谐振器6连到不平衡接线端3。因此，第三连接线16也包括上述直线部分16a-16e，从而使IDT7a，7c及8a，8c能以相对比较短的距离连接到SAW谐振器6和不平衡接线端3。
与上述IDT7b和8b的共用中点接地部分相对的各端分别经连接线19和20连接到SAW谐振器9和10，并因此而分别连接到第一和第二平衡接线端4和5。另一方面，跟IDT7a，7c及8a，8c的与不平衡接线端3相连的各端相对的各端连接到第二连接线12。第二连接线12使能够IDT7a，7c及8a，8c的接地端互相连接，并连到电极垫片22。凸缘23结合在所述电极垫片22上。凸缘23连接到与封装的地电位相连的电极焊盘上。因而，第二连接线12形成不平衡侧接地部分。不平衡侧接地部分与由第一连接线11形成的共用中点接地部分在SAW基板2上分离。
以与层间绝缘膜17a-17c同样方式形成的层间绝缘膜18a和18b被置于第二连接线12与连接线19和20相交的位置处。
第一和第二平衡接线端4和5形成为具有预定面积的电极垫片。金属凸缘24和25结合在所述各电极垫片上。
在生产SAW滤波器1时，将SAW滤波器1结合在图3的平面视图中所示的封装31上，使SAW基板2的主表面2a为下表面。也就是说，有如图4的简化主视图中所示那样，按面朝下的方法，通过凸缘结合，使SAW滤波器1附于封装31上，从而将SAW滤波器1制成成品。
如图3所示，用扁平状基板形成封装31，并将多个电极焊盘32-36置于该封装的上表面31a上。可以通过在整个表面上形成由适宜的导电材料制成的膜，然后再进行绘制图样，或者按印制的方法等提供导电材料，而形成所述电极焊盘32-36。
把与输入接线端3相结合的金属凸缘13(见图2)结合到电极焊盘32上。另一方面，把设置于共用中点接地部分中的凸缘15结合到与地电位相连的电极焊盘33上。
另一方面，把图2中所示的金属凸缘23、24和25分别结合到电极焊盘34、36和35上。
如上所述，按照本实施例的SAW滤波器1，由第一连接线11使IDT7b和8b互相连接，从而形成共用中点接地部分，而所述共用中点接地部分与由第二连接线12形成的不平衡侧接地部分在SAW基板2上分离。采用这种结构，与普通等效的SAW滤波器相比，能够有效地改善带域外衰减。下面根据上述实施例与图5和图6中所示比较例之间的比较，对此予以澄清。
图5是表示与专利文献1中所述具有平衡-不平衡转换功能的公知SAW滤波器相应的SAW滤波器的电路结构的平面示意图。在这种SAW滤波器中，中点接地部分和不平衡接地部分都没有公共连接的结构。图6是表示在一个封装上，以面朝下方法安装有这种SAW滤波器的平面视图。图5中与图1所示相应的部分都用图1中所示参考标号+400表示。
在SAW401中，第一滤波元件407的IDT407b以及第二滤波元件408的IDT408b的接地端单独接地。这就是说，在SAW基板402上不设置共用中点接地部分。
另外，IDT407a和IDT407c的接地端分开接地。同样地，IDT408a和IDT408c的接地端也分开接地。注意，IDT407c和IDT408a的接地端互相连接。
除此而外，SAW滤波器401的结构与SAW1的相同。
在图6所示的封装431中，图5中所示的不平衡接线端403与设置于上表面431a上的电极焊盘432相接。与IDT407b和408b的接地端相接的凸缘都结合到呈L形的电极焊盘433上。换句话说，在电极焊盘433上形成共用中点接地部分。这就是说，利用电极焊盘433形成所述共用中点接地部分。
类似地，与IDT407a相结合的凸缘、共同连接到IDT407c和408a的接地端的凸缘，以及连到IDT408c的接地端的金属凸缘都接到电极焊盘434上。这就是说，连接到不平衡侧上的IDT407a、407c、408a和408c接地端的多个凸缘彼此连接在封装431上的电极焊盘434上。
另一方面，平衡接线端405和404分别接在电极焊盘435和436上。
在将上述实施例的SAW滤波器1和所述比较例的SAW滤波器401分别安装在封装31和431的情况下，测量频率特性。图7-10表示测量的结果。图7表示相位平衡度与频率间的特性；图8表示振幅平衡度与频率间的特性；图9表示插入损失与频率间的特性；图10表示共模衰减量与频率间的特性。每一幅图中的实线表示本实施例的结果，虚线表示比较例的结果。
上述振幅平衡度和相位平衡度表示一对平衡接线端4和5之间振幅特性的相等程度，以及相位反转180°的程度。所述振幅平衡度和相位平衡度表示如下。
也就是将振幅平衡度和相位平衡度表示如下假设具有平衡-不平衡转换功能的SAW滤波器为3端器件，其中，不平衡输入接线端为第一端口，而平衡输出接线端为第二和第三端口，则振幅平衡度＝[A]，A＝20log(S21)-20log(S31)，相位平衡度＝B-180，B＝∠S21-∠S31。S21表示从第一端口到第二端口的传输系数，S31表示从第一端口到第三端口的传输系数，上式中的表示绝对值。
在通频带内，一对平衡接线端之间，理想的振幅平衡度为0dB，而理想的相位平衡度为0°。
有如图7-10所清楚看到的，在本实施例的SAW滤波器1中，通频带为2.10-2.20(GHz)。在这样的通频带内，SAW滤波器1在相位平衡度和振幅平衡度方面都优于比较例的SAW滤波器。
另外，有如图9所示者，比起比较例的SAW滤波器401来，本实施例中的通频带域外衰减，特别是在较高频率一边，明显地得到改善。
此外，有如图10中所清楚地看到的，比起比较例的SAW滤波器来，本实施例中的共模衰减，特别是在较高频率一边的频带外面，明显地得到改善。
如上所述，比起比较例的SAW滤波器401来，在本实施例的SAW滤波器1中，可使带域外衰减得到改善，还可使比如相位平衡度之类的平衡特性得到改善。可能的原因如下。
这是由于声波基板上的共用中点接地部分实现了公共连接，在声波基板上存在电中点。于是，使共用中点接地部分与所述电中点之间的距离较短，两侧之间的阻抗较低，平衡度得到改善，并且滤波器的带域外衰减量扩展。也就是说，由阻抗或者电感，使彼此分开的共用中点接地部分与不平衡侧接地部分连接起来，从而使通频带的高频侧中的衰减得到改善。这种情况下的电感值并无限制，但可以是大约0.1-10nH。另外，在声波基板上，由第二连接线，使与不平衡接线端相连的第一滤波元件的各IDT的接地端和与不平衡接线端相连的第二滤波元件的各IDT的接地端互相连接，从而形成不平衡侧接地部分。也就是说，使不平衡侧的地在声波基板上被共享。因此，可使地电流的流动适当地受到控制，并可使带域外衰减量相应地得到扩展。
除此而外，在上述实施例的SAW滤波器1中，通过组合多条直线而形成所述第一和第三连接线当中的每一条，而且，所述每一条连接线以相对较短的距离，将电极焊盘14或不平衡接线端3与所述各IDT连在一起。此外，在第一连接线11和第三连接线16之间的交叉部分处，由层间绝缘膜17a-17c实现电绝缘。再有，所述第二连接线12包含多个直线部分，从而以短距离连接多个IDT7a、7c、8a、8c的接地端。在第二连接线12中，在与连接线19和20的交叉处设置层间绝缘膜17a和18a，以实现电绝缘。
如上所述，设置连接线11、12和16，它们包含多个直线部分和层间绝缘膜17a-17c及18a-18b，而且多条连接线彼此相交，使它们彼此电绝缘。采用这种结构，在SAW滤波器1中，可以有效地提高在SAW基板2的主表面2a上的电极和连接线的形成密度。也就是说，与比较例的SAW滤波器401相比，可进一步使SAW滤波器1小型化。
除上述小型化之外，在SAW基板2上，而不在封装31上设置共用中点接地部分和不平衡侧接地部分，并使它们互相分开。于是，有如图7-10中所示那样，可使带域外衰减量得到扩展，以及可使平衡度得到改善。
按照本实施例，可以很任意地给出具有优良频率特性的小型化平衡SAW滤波器。
图11是表示本发明第二实施例SAW滤波器电路结构的平面示意图；而图12是表示它的电极结构的平面示意图。
在第二实施例的SAW滤波器51中，各个电极和连接线都被置于表面波基板52的主表面52a上，以形成所述SAW滤波器。具体地说，第一和第二滤波元件54和55连接到不平衡接线端53。另外，在滤波元件54和55的后段设置滤波元件56和57。
滤波元件54-57是3-IDT纵向耦合型SAW滤波元件，包括三个IDT54a-54c、55a-55c、56a-56c或57a-57c。当然图11中未予示出，但在每个SAW滤波元件54-57中，沿表面波传送方向在三个IDT的两侧设置一对反射器。图12中示意地示出这些反射器。第三滤波元件56和第四滤波元件57与第一和第二平衡接线端58和59相连。
具体地说，第一滤波元件54的中央IDT54b的一端和第二滤波元件55的中央IDT55b的一端互相连接成为不平衡接线端，并与不平衡接线端53连接。
IDT54b和IDT55b的接地端通过第二连接线60互相连接，从而形成不平衡侧接地部分。
另一方面，IDT54a、54c、55a和55c分别与IDT56a、56c、57a和57c相连。IDT54a、54c、55a和55c的另一端为接地端，并通过第一连接线61互相连接，从而形成共用中点接地部分。第一连接线61还连接到IDT56a、56c、57a和57c的接地端。
另一方面，IDT56b和57b的接地端与第一连接线61连接。
本实施例中也是将所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分设置在SAW基板52的主表面52a上，并且互相电隔离。
本实施例中，正如第一实施例中的SAW滤波器1那样，能够实现小型化以及带域外衰减的扩展。
图12中与图11中共同的部分采用相同的参考标号来表示。正如从图12所能清楚看到的，在本实施例中，第一连接线61与第三连接线62也是在多个位置处互相交叉，并在各交叉部分设置层间绝缘膜63a和63b。也就是说，层间绝缘膜63a和63b能够使第一连接线61与第三连接线62之间电绝缘。
类似地，有如图12所示者，在其它连接线之间的交叉部分处设置层间绝缘膜64-67。
作为安装本实施例SAW滤波器51用的封装，可以采用与图3中所示封装31相同的封装。
按照本发明，正如从第二实施例的SAW滤波器51所能清楚看出的，与第一实施例中类似地，可以采用中点接地平衡的SAW滤波器，它具有2段4元件的结构。
图13是表示本发明第三实施例SAW滤波器电路结构的平面示意图；而图14是该电极结构的平面示意图。
在第三SAW滤波器101中，各个电极和连接线都被置于表面波基板2的主表面2a上。这就是说，第一滤波元件106和第二滤波元件107连接在不平衡接线端103与第一和第二平衡接线端104和105之间。这里的第一滤波元件106连接在前段中，而第二滤波元件107连接在后段中。于是，构成具有两端结构的中点接地平衡的SAW滤波器，每一段包含一个元件。
第一滤波元件106是一个3-IDT纵向耦合SAW滤波元件，包含三个IDT106a-106c。如图14所示，沿表面波的传送方向提供有IDT106a-106c的区域的两侧设置反射器106d和106e。IDT106a与106c的相位相反。
第二滤波元件107包含三个IDT107a-107c。虽然图13中未予示出，但有如图14所示那样，沿表面波的传送方向提供有IDT107a-107c的区域的两侧设置有反射器107d和107e。
不平衡接线端103连接到第一滤波元件106的IDT106b的一端。IDT106b的另一端为接地端，并与第二连接线108相接。第二连接线108连接到图14所示的电极垫片109，形成不平衡侧接地端。凸缘110结合在电极垫片109上。
另一方面，IDT106a和106c的一端在后段与滤波元件107的IDT107a和107c的一端相连。IDT106a和106c的另一端为中点接地端，并通过第一连接线111彼此相连。于是，第一连接线111形成共用中点接地部分。第一连接线111还实现IDT107a和107c的接地端的共用连接。第一连接线111连接到电极焊盘112。金属凸缘113结合在电极焊盘112上。
第二滤波元件107的IDT107b包含平行布置的IDT部分107b1和107b2。也就是说，IDT部分107b1、107b2和与IDT部分171b1、171b2耦接的梳形电极形成所述IDT107b。平衡接线端104和105分别与IDT部分107b1、107b2电连接。
如图14所示，金属凸缘114连接在与不平衡接线端103对应的电极焊盘上。类似地，凸缘115和116分别结合在与第一和第二平衡接线端104和105对应的电极垫片上。
在具有像本实施例中那样的1个元件×2段结构的中点接地平衡SAW滤波器中，按照本发明，由第一连接线111形成共用中点接地部分，而且，所述共用中点接地部分，在SAW基板2的主平面2a上与不平衡侧接地部分分离。采用这种结构，可使带域外衰减得以被扩展，并使平衡度得到改善。
这就是说，利用上述凸缘110、113以及114-116，可按面朝下的方法将SAW滤波器101安装在封装上。在本实施例中，利用SAW滤波器101的SAW基板2上的第一连接线111，所述中点接地部分用作共用中点接地部分，并与不平衡侧接地部分分离。因而，所需的各中点接地部分并不在封装侧上彼此连接。相应地，有如本实施例中那样，可使带域外衰减得以被扩展，并使平衡度得到改善。
此外，第一连接线111和第二连接线108设置在表面波基板2的主表面2a上，并以高密度布置这些连接线，从而使它们互相交叉。因此，在SAW滤波器101中，可使电极密度和连接线的排布密度加大，以致能够小型化。
图15是表示第四实施例电路结构的平面示意图，而图16是表示其中电极布图的平面示意图。
在第四实施例的SAW滤波器件151中，在表面波基板2上设置两个SAW滤波器，每一个都是第一实施例的SAW滤波器1。
这就是说，把与第一实施例的SAW滤波器1相同的电极结构设置于SAW基板2的主表面2a上。也即在不平衡接线端3和第一和第二平衡接线端4和5之间设置第一实施例相同结构的电极。除了不平衡接线端3之外，还设有不平衡接线端3A。将与第一实施例的SAW滤波器1相同的电极结构设置于之间不平衡接线端3A与平衡接线端4A和5A之间。
这就是说，SAW滤波器件151对应于一种包含两个第一实施例的SAW滤波器1的结构。
图16中，SAW滤波器1A那些与SAW滤波器1中相同的电极和连接线都以同样的参考标号后附一个“A”来表示，并略去对它们的详细描述。
要说明的是，SAW滤波器1A的中心频率与SAW滤波器1的不同。
按照本实施例可以得到SAW滤波器件151，其中，两个具有不同频率并且具有1元件×1段结构的SAW滤波器1和1A集成在一起。
有如从图15和16所能清楚看出的，通过耦接第一连接线11和11A，而使SAW滤波器1和1A的共用中点接地部分互相连接。类似地，使不平衡侧接线端部分耦接。
在本发明中，正如本实施例那样，可将按照本发明形成的多个SAW滤波元件设置于一个单独SAW基板上。在这种情况下，由于每个SAW滤波元件是按照本发明形成的，所以，可使带域外衰减得以被扩展，并使平衡度得到改善，而且能够进一步实现小型化。另外，通过在单独一个SAW基板上设置多个SAW滤波元件，可以得到更加小型化的高密度滤波器件。
如上所述，采用多个具有不同频率的SAW滤波器1和1A，可将SAW滤波器件151用作双工器或多频带滤波器。
图17是表示本发明第五实施例SAW滤波器电路结构的平面示意图；而图18是表示它的电极结构平面示意图。
在SAW滤波器件161中，就像在SAW滤波器件151中那样，在一个SAW基板2上设置按本发明形成的两个SAW滤波元件。第五实施例中，一个SAW滤波元件为上述第三实施例的具有1元件×2段结构的SAW滤波器101，另一个SAW滤波元件为第一实施例的SAW滤波器1。
SAW滤波器101的中心频率与SAW滤波器1的中心频率不同。
有如第四实施例那样，通过连接第一连接线，而使第一SAW滤波器101的共用中点接地部分和第二SAW滤波器1的共用中点接地部分互相连接。另外，通过多条连接线的共同连接，而使SAW滤波器1和101的不平衡侧接地部分互相连接。
图18中，以有关第一和第三实施例的电极结构描述中所用各参考标号表示各个部分。有关对第一和第三实施例的描述被用于有关各部分的详细描述。
作为第五实施例，通过组合第一和第三实施例的SAW滤波元件，可由单独一个芯片构造两个SAW滤波元件。在这种情况下，同样也可使每个SAW滤波器1和101中的带域外衰减得以被扩展，并使平衡度得到改善。另外，由于将两个SAW滤波器101和1集成在一起，可以实现进一步的小型化。
图19是表示本发明第六实施例的声波器件中，一个SAW滤波器芯片的电极结构的平面示意图。按照这个第六实施例的声波器件，利用多个凸缘，将图19所示平面视图中表示的SAW滤波器芯片181结合到作为封装(下面有述)的封装基板上。
在本实施例所用的SAW滤波器芯片181中，有如第四实施例的SAW滤波器件151那样，将两个SAW滤波器设置于一个表面波基板2上，每个SAW滤波器都是第一实施例的SAW滤波器1。
也就是说，所述SAW滤波器芯片181的结构包含设在一个表面波基板上的两个第一实施例的SAW滤波器1和1A。
图19中，SAW滤波器1A那些与SAW滤波器1中相同的电极和连接线的部分都以相应的参考标号后附一个“A”来表示，并略去对它们的详细描述。
有如在第四实施例的SAW滤波器件151中那样，SAW滤波器1A的中心频率与SAW滤波器1的中心频率不同。
因此，按照本实施例，采用SAW滤波器芯片181，其中，将具有1元件×1段结构并具有不同频率的第一和第二SAW滤波器1和1A集成在一起。采用这种SAW滤波器芯片181，可以形成双工器或多频带滤波器。
例如，可由第一SAW滤波器形成DCS接收滤波器，并可由第二SAW滤波器形成PCS接收滤波器。
有如从图19所能清楚看出的，利用第一连接线11和11A的共同连接，使SAW滤波器1和1A的共用中点接地部分互相连接。
然而，在本实施例中，不平衡侧接地部分12和12A并不像第四实施例那样互相连接。
本实施例中，把上述SAW滤波器芯片181安装在有如图20所示封装的封装基板182上。图20的平面视图中所示的封装基板182设置有多个电极焊盘301-309，通过多个凸缘，将SAW滤波器芯片181的各电连接部分结合到各焊盘上。这里，所述电极焊盘308和309与通过凸缘与SAW滤波器芯片181的不平衡侧接地部分12和12A相结合的第二和第三电极焊盘相对应，而电极焊盘307与通过凸缘与共用中点接地部分结合的电极焊盘相对应。在本实施例中，像所述第一-第三电极焊盘那样，电极焊盘307-309是互相分离的。
作为一个参照例，利用凸缘把上述SAW滤波器芯片安装在图22所示的封装基板上，以形成所述参照例的声波器件。图22中所示的封装基板183的结构，除了第二和第三电极焊盘被集成为一个电极焊盘308b之外，与封装基板182的相同。因此，在所述参照例的声波器件中，封装基板上的不平衡侧接地部分12和12A并不电隔离。
曾经测量过第六实施例声波器件以及上述参照例声波器件的分离度-频率特性。也就是说，曾经测量过从作为PCS接收滤波器的第二SAW滤波器输入并被输出到作为DCS接收滤波器(通频带为1805-1880MHz)的第一SAW滤波器的信号值(分离度)。图21示出这一结果。图21中的实线表示第六实施例的结果，虚线表示参照例的结果。
随着衰减越大，所述分离特性越好。
有如从图21所能清楚地看出的，通过利用封装基板182分开第一和第三焊盘，可使所述分离特性得到提高。
如上所述，本发明中可将多个按本发明构造的SAW滤波元件设置于单独一个SAW基板上，并可使多个SAW滤波器的各不平衡侧接地部分在单独一个SAW基板上彼此分开，还可使与多个SAW滤波器的不平衡侧接地部分相连的电极焊盘彼此分开。采用这样的结构，由于按本发明构造出每个SAW滤波元件，所以，可使带域外衰减得以被扩展，以及使平衡度得到改善，而且还可实现小型化。另外，可使设置于单独一个SAW基板上的多个SAW滤波元件之间的分离度得到改善。
在第六实施例中所用的SAW滤波器芯片181中，可使SAW滤波器1和1A的共用中点接地部分11和11A互相分开，以及可使不平衡侧接地部分12和12A互相分开。
已经证实，在将这种结构的SAW滤波器芯片安装在封装基板181上时所得到的分开度特性与第六实施例中所得到的分离度特性几乎是相同的。
第一到第五实施例中，已经描述过使用声表面波的SAW滤波元件和SAW滤波器件。但本发明可被应用于采用边界声波的边界声波滤波器或边界声波滤波器件中。
图23是表示这样的边界声波滤波器一种举例的正视剖面图。在边界声波滤波器171中，把构成滤波器的IDT电极174a-174c布置在第一介质层172与第二介质层173之间的边界处。通孔电极175a-175c使IDT电极174a-174c能够与设置于介质层172下表面的电极垫片176a-176c相连。
将凸缘177a-177c结合在所述电极垫片176a-176c上。
在这种边界声波滤波器171中，利用IDT电极174a-174c可以得到上述第一至第五实施例中那样的电极结构，从而可以构造出具有平衡-不平衡转换功能的边界声波滤波器。正如第一至第五实施例中那样，通过在边界声波滤波器171上设置共用中点接地部分和不平衡侧接地部分，可使带域外衰减得以被扩展，并可实现小型化。
在边界声波滤波器171中，使第一和第二介质层172和173之间的振动受到限制，并可将第二介质层173的下表面用作安装表面。因此，利用凸缘177a-177c，使边界声波滤波器171被直接安装在电路板上，而不安装在封装上。这就是说，由于不需要封装形成的空腔，所以可将边界声波滤波器171安装在装置的电路板上，利用凸缘177a-177c直接结合。在这种情况下，也不需要在电路板上共享地电极，从而可使组装的装置小型化。
权利要求
1.一种平衡声波滤波器，它包含不平衡接线端和第一、第二平衡接线端，所述滤波器包括声波基板；第一纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括连接在所述不平衡接线端与第一平衡接线端之间的至少三个IDT；第二纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括连接在所述不平衡接线端与第二平衡接线端之间的至少三个IDT，与第一滤波元件的第一平衡接线端中信号的相位相反的信号流过该第二平衡接线端；第一连接线，它把与第一滤波元件的第一平衡接线端相连的IDT的接地端连接到与第二滤波元件的第二平衡接线端相连的IDT的接地端，从而形成共用中点接地部分；以及第二连接线，它把与第一滤波元件的不平衡接线端相连的各IDT的接地端连接到与第二滤波元件中的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，从而形成不平衡侧接地部分，并设置与所述声波基板上；其中，所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
2.一种平衡声波滤波器，包括声波基板；第一纵向结合型滤波元件，它被置于所述声波基板上，并包括不平衡接线端、第一和第二平衡接线端，以及连接在所述不平衡接线端与第一和第二平衡接线端之间的至少三个IDT；第二纵向结合型滤波元件，它包括连接在第一滤波元件的第一和第二平衡接线端的第三和第四平衡接线端、第五和第六平衡接线端，以及连接在所述第三和第四平衡接线端以及第五和第六平衡接线端之间的多个IDT；第一连接线，它把与第一滤波元件的第一和第二平衡接线端相连的IDT的接地端连接到与第二滤波元件的第三和第四平衡接线端相连的IDT的接地端，从而形成共用中点接地部分，并被设置在声波基板上；以及第二连接线，它连接到与第一滤波元件的不平衡接线端相连的各IDT的接地端，并设置在声波基板上，从而形成不平衡侧接地部分；其中，所述共用中点接地部分和不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
3.如权利要求1或2所述的平衡声波滤波器，其中，还包括第三连接线，它把不平衡接线端连接到与该不平衡接线端相连的至少一个IDT，并在声波基板上与第一连接线相交；层间绝缘膜，在第一和第三连接线的交叉点处设置于第一和第三连接线之间。
4.如权利要求1-3任一项所述的平衡声波滤波器，其中，还包括封装；所述封装包括通过凸缘与所述共用中点接地部分相连的第一电极焊盘，以及通过凸缘与所述不平衡侧接地部分相连的第二电极焊盘；并且，所述第一和第二电极焊盘在所述封装上彼此分离。
5.如权利要求1-4任一项所述的平衡声波滤波器，其中，所述声波是声表面波。
6.一种声波滤波器件，其中，在声波基板上设置如同权利要求1-5任何一种平衡声波滤波器的第一平衡声波滤波器，和如同权利要求1-5任何一种平衡声波滤波器的第二平衡声波滤波器；第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同；第一平衡声波滤波器的共用中点接地部分和第二平衡声波滤波器的共用中点接地部分互相连接；第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分和第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分也互相连接；而且，所述互相连接的共用中点接地部分与互相连接的不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离。
7.一种声波滤波器件，其中，在声波基板上设置如同权利要求1-5任一种平衡声波滤波器的第一平衡声波滤波器，以及如同权利要求1-5任一种平衡声波滤波器的第二平衡声波滤波器；第一平衡声波滤波器的中心频率与第二平衡声波滤波器的中心频率不同；第一平衡声波滤波器的共用中点接地部分和第二平衡声波滤波器的共用中点接地部分互相连接；互相连接的共用中点接地部分、第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分，以及第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分在所述声波基板上彼此电隔离；所述声波滤波器件还包括封装，所述封装包括通过凸缘与所述共用中点接地部分相连的第一电极焊盘，和通过凸缘与第一平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分相连的第二电极焊盘，以及通过凸缘与第二平衡声波滤波器的不平衡侧接地部分相连的第三电极焊盘；并且所述第一电极焊盘、第二电极焊盘和第三电极焊盘在所述封装上彼此分离。
8.如权利要求6或7所述的声波滤波器件，其中，所述声波滤波器件是双工器或多频带滤波器。
全文摘要
一种平衡型弹性波滤波器能进一步减小滤波器的尺寸，扩大带域外衰减量，并得到良好的滤波特性。弹性波滤波器(1)包括在弹性波基板(2)上连接于不平衡接线端(3)与第一、第二平衡接线端(4，5)之间的第一和第二滤波元件(7，8)。滤波元件(7，8)为纵向耦合型表面波滤波元件，每个滤波元件至少有三个IDT(7a－7c，8a－8c)。IDT(7a，7c，8a，8c)的第一端彼此共同连接，并连接到不平衡接线端(3)，而IDT(7a，7c，8a，8c)的第二端通过第二连接线(12)互相连接，从而构成不平衡侧接地部分。IDT(7b，8b)的接地端通过第一连接线(11)连接，构成共用中点接地部分。共用中点接地部分与不平衡侧接地部分互相电隔离。
文档编号H03H9/72GK1965477SQ20058001865
公开日2007年5月16日 申请日期2005年6月15日 优先权日2004年6月30日
发明者春田一政, 黑田克人 申请人:株式会社村田制作所