专利名称：放大器的制作方法
技术领域：
本申请涉及放大器。特别是被应用到用于射频信号的放大器，包 括用于移动电话基站中的放大器。
背景技术：
移动电话通信系统是公知的。 一般而言，所述系统通过向基站的 网络提供覆盖特定的地理区域或者小区的每个基站来工作。移动电话 与基站通信，基站然后向其他基站或者其他通信网络提供上行链路。
近来，己经实现了所谓的3G (第三代)电话。这些系统可以实现高数 据率的移动通信。移动电话被要求在有限的频带内工作。重要的是， 从基站发送的信号在正确的频带内，以便不干扰其他操作装置的信号。
用于3G移动电话基站的放大器的设计是复杂的。放大器必须与所 施加的信号尽可能线性地工作，以减少作为非线性的结果在所需要的 频带外部引发的信号的互调分量。其必须以高输出功率来工作，所述 高输出功率例如是50-100 W直到在一些情况下为500 W高。
在放大器的传统应用中，将功率晶体管(用于放大信号的晶体管) 偏置，以便其模拟性能相对于操作的线性度和放大器效率被优化。但 是，这样的放大器的线性度仍然不足够好，以至能对于3G移动电话应 用充分地从互调分量减少带外干扰。
为了改善线性度，已知向放大器的输入信号应用数字预失真。所 述预失真使用放大器的数学模型来调整所述输入信号，以补偿在放大 器中的非线性度。所述数学模型可以包括仅仅基于输入信号的瞬时 值的非记忆分量，和考虑输入信号的先前值的记忆分量。数字预失真的技术可以对于具有不变的功率电平的信号给出很好 的结果。例如，在2005年在Orlando举办的Freescale技术论坛中，有建 议指出，数字预失真技术是足够好的以至于放大器的设计可以集中在 改善放大的效率，数字预失真级将抑制在输出信号中的互调分量。
但是，数字预失真放大器的性能对于3G移动电话基站仍然不理想。 例如，用于3G的高速下行链路分组访问(HSDPA)协议使用具有变化 的功率电平的信号，其在大约一毫秒的2/3的时间量程上变化。虽然数 字预失真对于具有不变的功率电平的信号工作良好，当其用于变化的 功率电平的信号时增加了互调分量。已经提出，在信号改变的类似时 段上更新预失真的算法，但是对于迅速改变的信号，诸如在HSDPA中 的那些信号而言，在计算和更新模型中的不可避免的延迟会导致不良 的性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种独立于输入信号的动态而减少在输出信 号中的互调分量的放大器，即对于变化功率电平的输入信号具有改善 线性输出特性的放大器。
因此，本发明提供了一种放大器，包括数字预失真系统、至少一 个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和偏置电路，所述偏 置电路限定所述至少一个LDMOS晶体管的工作点，以便在所述至少一 个LDMOS晶体管中的静态漏极电流对于要放大的信号的功率电平中 的改变保持基本上不变。
所述静态漏极电流被定义为如果瞬时去除施加的信号时的、在 L D M O S晶体管中的瞬时的漏极电流。
通过以这种方式来偏置用于数字预失真器的LDMOS晶体管，可以改善所述放大器的性能。令人惊讶的是，所述工作点不对应于无预失 真地工作时的最佳工作点。以前，在无数字预失真器的情况下，认为 对于最佳性能通过偏置放大器来获得最好的性能。或者，在2005年的 Freescale技术论坛中，提出在无数字预失真器的情况下，选择更有效的 工作点而得到较好的性能。但是，当用于变化的输入功率时的信号时, 在这些工作点的任何一个下工作的放大器均没有良好的性能。特别是，
仅仅对于最大的信号功率有效地减少了互调分量，而对于其它的较低 信号功率则没有。
对于动态变化的信号，按照本发明而偏置的放大器显示改进的输 出信号的线性度，并且具有减少了互调分量，其用于使得在不同的功 率电平引起带外干扰。不像先前提出的偏置点，本发明的偏置点令人 惊讶地在输入信号的几个功率电平上显示出改善的线性度。在所有的 先前提出的偏置点，线性度很大程度上依赖于输入信号的功率电平， 并且还没有任何情况显示出对于功率电平的这种依赖性是由于对于晶 体管所选择的特定偏置点。
按照本发明的第一方面，提供了一种用于放大射频输入信号的放 大器，包括
至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频输入信号； 偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点； 数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管
之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极偏置点对于最
大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及
其中，所述偏置电路包括下述部件，该部件被选择以使得当施加 变化的功率的输入信号时所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电 流基本上不变，其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输入信号时的、 所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。
"基本上不变"用于表示静态漏极电流基本上独立于所述信号的先前值而响应，即当信号的功率电平改变时，静态漏极电流不需要很 多的时间以在新的功率电平上达到其稳定状态。
在另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的放大器，包
括
至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频信号；
偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点；
数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述至少一个
LDMOS晶体管之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极 偏置点对于最大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及
其中，所述偏置电路包括下述部件，所述部件被选择以使得当施 加变化功率的输入信号时最小化所述至少一个LDMOS晶体管的静态 漏极电流上的衰减效应，其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输入 信号时的、所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。
"衰减效应"用于表示存在响应于输入信号的功率上的瞬时改变 的、静态漏极电流的有限的变化率。以便静态漏极电流不会瞬时地改 变。
在另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的放大器，包
括
至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频输入信号；
偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点；
数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管
之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极偏置点对于最 大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及
其中，所述偏置电路包括下述部件，所述部件被选择以使得从输 入信号去除50微秒，优选为10微秒时，所述至少一个LDMOS晶体管的 静态漏极电流位于在施加输入信号之前的其值的5%内，有选为1%内， 其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输入信号时的、所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。
本领域内的技术人员可以通过测量所述静态漏极电流和其对于变 化的信号功率的射频信号的响应而容易地确定晶体管工作在上述方面 的偏置点。例如，通过将电阻器与漏极串连并且测量在去除全功率信 号时在电阻器上的电压，可以测量漏极电流。
在上述方面，当放大小于最大功率的信号时，本发明减少在被放 大的信号中的互调分量。当放大器被偏置到B类时，本发明的偏置点对 于最大的功率输入信号提供仅仅略微减小的效率。对于低功率输入信 号减少了效率，但是这通常是不重要的，并且大于在被放大的信号中 的减少的互调分量所补偿的。
数字预失真器对于最大功率的输入信号使用在本发明的偏置点确 定的系数。令人惊讶的是，这预失真器在输入信号的几个功率电平上 有效，而不是像先前的情况中那样在仅仅一个功率电平上有效。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于放大射频信号的放大 器，包括
至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频输入信号； 偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置电
压；
数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管 之前使其预失真，其中，在所述栅极偏置电压对于最大输入功率的信
号确定所述数字预失真器；以及
其中，选择所述栅极偏置电压，以使得对于最大的功率信号和小 于最大功率6dB的信号最小化所述放大器的输出中的互调分量。
利用所述突出的结果，在输入信号的功率电平的范围上，特定的 偏置点可以改善数字预失真器的线性度。这与先前提出的、被选择为对应于没有预失真器下的良好性能的偏置点相反，其中，线性度很大 程度上依赖于输入信号的功率。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于移动电话系统的基站， 所述基站包括按照本发明的上述第一或者第二方面之一的放大器。所 述第一或者第二方面的放大器特别适合于用于移动电话基站中，特别
是用于3G系统和HSDPA的安歇。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的
方法，包括
提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路；
在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，其中，当施加变化功率的 输入信号时，静态漏极电流基本上不变，其中，所述静态漏极电流是 当瞬时去除所述输入信号时的、所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电 流；以及
利用对于在栅极偏置点的最大输入功率的信号所确定的数学模 型，在所述射频信号被提供到所述放大电路之前使其数字化预失真。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的 方法，包括
提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路；
在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得当施加输入信号时 的、在所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电流上的衰减效应被最 小化，其中，所述静态漏极电流是当所述输入信号被瞬时去除时的、 所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流；以及
利用对于在栅极偏置点的最大输入功率的信号所确定的数学模 型，在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化预失真。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的 方法，包括提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路；
在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得从输入信号去除50 微秒，优选为10微秒时，所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电流 位于施加输入信号之前的其值的5%内，优选为1%内，其中，所述静态 漏极电流是当瞬时去除输入信号时的、所述至少一个LDMOS晶体管的 漏极电流；以及
利用对于在栅极偏置点的最大输入功率的信号所确定的数学模 型，在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化预失真。
按照本发明的另一个方面，提供了一种用于放大射频输入信号的 方法，包括
提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路；
在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得对于最大功率输入 信号和小于最大功率6dB的输入信号最小化所述放大器的输出中的互 调分量；以及
利用对于在栅极偏置点的最大输入功率的信号所确定的数学模 型，在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化预失真。
如上所述，这些方法减少了当放大小于最大功率的信号时的、在 被放大的信号中存在的互调分量。
现在参见附图通过举例来描述本发明的实施例，在所述附图中
图1是响应于在已经被偏置得接近B类条件的LDM0S晶体管中的 多载波WCDMA信号的短脉冲的静态漏极电流的图2是响应于在已经被偏置得接近A类条件的LDM0S晶体管中的 多载波WCDMA信号的短脉冲的静态漏极电流的图3是根据本发明的、响应于在已经被偏置得接近AB类条件的 LDMOS晶体管中的多载波WCDMA信号的短脉冲的静态漏极电流的 图；图4是对于最大功率的输入信号和在功率上减少6dB的输入信号， 在传统的工作点被偏置的数字预失真放大器的输出频谱的图；以及
图5是对于最大功率的输入信号和在功率上减少6dB的输入信号，
在按照本发明的工作点被偏置的数字预失真放大器的输出频谱的图。
具体实施例方式
首先，参见图l-3来解释在本发明下的概念。不像聚焦在放大器的
效率和线性的先前的偏置方法那样，本发明采用一种用于优化瞬时静
态漏极电流Iq的方法，Iq被定义为当瞬时去除输入信号时将存在的瞬时电流。
在本发明下的概念基于对于数字预失真LDMOS晶体管的试验结 果。数字预失真放大器是这样的，其中，对于最大功率调制信号确定 非线性非记忆项和几个记忆项的复数系数，以最小化输出信号的互调 分量。因此当且仅当减小的互调分量被保持且施加具有不大于原始信 号的最大功率电平的任何任意调制的信号时，这样的放大器对于预失 真器是线性的。假定放大器工作在同一频率和不变的背景环境温度。
图1是响应于在已经被偏置得接近B类条件的数字预失真的 LDMOS晶体管中的多载波WCDMA信号的短脉冲的Iq的图。在所述信
号被施加时，Iq具有初始值IqO。所述信号的初始施加可以被看作在Iq上 的陡峭跳跃。当去除所述信号时，在当施加所述信号时的值和在施加 所述信号之前的Iq的原始值之间，在Iq中存在向电平IcH的初始陡峭降低。 即，Iq并非瞬时地返回到在施加所述信号之前的其电平。在Iq的这个值
和在施加所述信号之前的值之间的偏离百分比较大。
图l也示出了在Iq上的瞬时降低之后，Iq大致指数地衰减到在施加 所述信号之前的其值。在所施加的信号的时间量程上，Iq返回到在施加 所述信号之前的值所需的时间较大。图2是响应于在已经被偏置得接近A类条件的数字预失真的
LDMOS晶体管中的多载波WCDMA信号的短脉冲的Iq的图。在所述信
号被施加时，Iq具有初始值IqO。所述信号的初始施加可以被看作在Iq上 的陡峭跳跃。当去除所述信号时，可以看到，Iq陡峭地降低到在初始值 之下的值Iq2，然后大致指数地衰减直到在施加所述信号之前的其值。 即，Iq并非瞬时地返回到在施加所述信号之前的其电平。在Iq的这个值 和在施加所述信号之前的值之间的偏离百分比也较大，再一次地，Iq 返回到在施加所述信号之前的其值所需要的时间在所施加的信号的时 间量程上较大。
本发明旨在平衡这两种效应，以便当去除输入信号时，Iq大致瞬时 地返回到在施加所述输入信号之前的其值。偏置条件在AB类内，并且 产生在图3的图中所示的Iq。可以看出，Iq迅速地响应于在所施加的信号 的功率上的改变，而在所述图的时间量程上没有显见的衰减效应。
图3的偏置点不对应于原来被认为最佳的、无预失真的良好的线性
特性的传统工作点。同样，其不对应于在2005年的Freescale开发人员论 坛提出的用于改善效率的偏置点。而是，其对应于提高的静态漏极电 流，该静态漏极电流在没有数字预失真的情况下将导致不良的互调性 能和减低的效率。
已经发现，本发明的偏置点当与数字预失真器组合时，特别是当 用于放大器诸如在HSDPA中使用的那些动态信号时具有较大的令人惊 讶的益处。在图4和5中描述了当输入信号在功率上减少6dB时本发明在 减少互调分量上的效果。
图4是使用LDMOS功率放大器的数字预失真的放大器的输出频谱 的图，其中，在传统点处偏置所述LDMOS功率晶体管，该传统点对应 于没有数字预失真器时的LDMOS功率晶体管的良好性能(在这种情况 下静态漏极电流为1A)。曲线2表示最大功率的输入信号的输出频谱。曲线4表示在功率上减低6dB的输入信号的输出频谱。可以看出，虽然 在最大功率的性能是可接受的，但是当输入信号在功率上减少6dB时， 存在较大的带外互调分量。
但是，当在本发明的偏置点操作同一预失真放大器时，改善了性 能。图5是在按照本发明的工作点偏置的数字预失真放大器的输出频谱 的图(在这种情况下静态漏极电流为2A)。曲线6表示最大功率的输入 信号的输出频谱。曲线8表示在功率上减少6dB的输入信号的输出频谱。 可以看出，与工作在传统的偏置点的放大器相比较，大大地减少了互 调分量。
不像先前提出的偏置点那样，本发明利用下述突出的结果可以 选择LDMOS功率晶体管的偏置点，以便减少在变化的功率电平的信号 的输出信号中的互调分量。在先前提出的任何偏置点中还未认识到这 一点，在所有的先前提出的任何偏置点中，互调分量很大地依赖于所 施加的信号的功率电平。
在用于放大的功率晶体管是LDMOS晶体管的情况下，本发明可以 用于任何放大器。作为示例，在一个实施例中，所述放大器可以使用 通常从Freescale半导体可以商业获得的MRF5S21130HR3 LDMOS晶体 管。在Freescale半导体数据表MRF5221130H (2005年2月1日的修订本) 中描述了这个晶体管的属性，所述数据表通过引用而整体被并入在此。
所述数据表包括当被用于2-载波WCDMA信号时的晶体管的性能 的图。所述图包括功率增益对比输出功率，和三阶互调分量对比输 出功率。这些图示出当利用传统技术，即选择在无数字预失真器件 的情况下给出良好性能的点的技术来优化互调分量的偏置时，应当使 用当未施加信号时的大约1200mA的静态电流。或者，如果在2005年的 Freescale开发人员论坛上提出的偏置方法，则工作点将具有小于1200 mA的静态电流，以改善效率。但是，当使用本发明的偏置方法时，其中响应于在输入功率上的变化而选择偏置以保证瞬时的静态漏极电流基本上没有衰减特性，确定当未施加信号时的Iq大约为2600 mA。査看 所述数据表的性能图显示这样的工作点应当与其给出很差的性能。但 是，令人惊讶的是，不是这样。本发明的偏置因此与LDMOS晶体管的最佳工作点的传统教导相 抵触。有益的是，已经发现，对于最大功率WCDMA信号，本发明的效 率仅仅或多或少地小于B类条件。在较低的信号电平，所述效率减少， 虽然通过大大减少的互调分量而补偿了所述效率。本发明涉及的LDMOS晶体管的偏置点，并且同样可以使用已知的 偏置电路来被实现，其中，选择部件的值以给出按照本发明的偏置点。 例如，数据表MRF5221130H (2005年2月1日的修订本)包括可以在本 发明中使用的示例偏置电路。通过将电阻器与漏极串连以测量瞬时静 态电流而确定偏置点本身。或者，通过测量数字预失真的放大器的输 出频谱，并且调整偏置点以使得对于全功率信号和具有比全功率小6dB 的功率的信号能够最小化互调特性，可以确定偏置点。在本发明的另一个实施例中，所述放大器可以还包括用于补偿由 于环境温度的改变和/或由于信号加热的变化而导致的在晶体管的温度 上的改变。在本发明的另一个实施例中，定期更新数字预失真电路的系数， 以考虑在晶体管的特性上的长期变化。在这种情况下的长期用于表示 在几秒或者更多的时间量程上发生的变化。可以在移动电话基站中使用本发明的所有的实施例。
权利要求
1.一种用于放大射频输入信号的放大器，包括至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频输入信号；偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点；数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极偏置点对于最大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及其中，所述偏置电路包括下述部件，所述部件被选择以使得当施加变化功率的输入信号时所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电流基本上不变，其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输入信号时所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。
2. —种用于放大射频输入信号的放大器，包括 至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频信号； 偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点； 数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述至少一个LDMOS晶体管之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极 偏置点对于最大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及其中，所述偏置电路包括下述部件，所述部件被选择以使得当施 加变化功率的输入信号时对所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电流的衰减效应被最小化，其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输 入信号时所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。
3. —种用于放大射频输入信号的放大器，包括 至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频信号； 偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置点； 数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管之前使其预失真，其中，在由所述偏置电路限定的栅极偏置点对于最 大输入功率的信号确定所述数字预失真器；以及其中，所述偏置电路包括下述部件，所述部件被选择以使得自从输入信号被瞬时去除起50微秒，优选10微秒，所述至少一个LDMOS晶 体管的静态漏极电流在施加输入信号之前的其值的5%内，优选为1% 内，以及其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除输入信号时所述至少 一个LDMOS晶体管的漏极电流。
4. 一种用于放大射频输入信号的放大器，包括至少一个LDMOS晶体管，用于放大所述射频信号；偏置电路，用于限定所述至少一个LDMOS晶体管的栅极偏置电压；数字预失真器，用于在所述射频信号被提供到所述LDMOS晶体管 之前使其预失真，其中，在所述栅极偏置电压对于最大输入功率的信 号确定所述数字预失真器；以及其中，选择所述栅极偏置电压，以使得对于最大功率信号和小于 最大功率6dB的信号最小化所述放大器的输出中的互调分量。
5. —种用于移动电话系统的基站，所述基站包括根据前述权利要 求中的任何一个所述的放大器。
6. —种用于放大射频输入信号的方法，包括 提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路； 在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，其中，当施加变化功率的输入信号时，静态漏极电流基本上不变，其中，所述静态漏极电流是 当瞬时去除所述输入信号时所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流；以及利用在栅极偏置点对于最大输入功率的信号所确定的数学模型， 在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化地预失真。
7. —种用于放大射频输入信号的方法，包括: 提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路;在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得当施加变化功率的 输入信号时对所述至少一个LDMOS晶体管的静态漏极电流的衰减效 应被最小化，其中，所述静态漏极电流是当瞬时去除所述输入信号时 所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流；以及利用在栅极偏置点对于最大输入功率的信号所确定的数学模型， 在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化地预失真。
8. —种用于放大射频输入信号的方法，包括 提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路； 在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得自从输入信号被瞬时去除起50微秒，优选为10微秒，所述至少一个LDMOS晶体管的静态 漏极电流在施加输入信号之前的其值的5%内，优选为1%内，其中，所 述静态漏极电流是当瞬时去除所述输入信号时所述至少一个LDMOS 晶体管的漏极电流；以及利用在栅极偏置点对于最大输入功率的信号所确定的数学模型， 在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化地预失真。
9. 一种用于放大射频输入信号的方法，包括 提供包括至少一个LDMOS晶体管的放大电路； 在栅极偏置点偏置所述LDMOS晶体管，以使得对于最大功率输入信号和小于最大功率6dB的输入信号最小化所述放大器的输出中的互 调分量；以及利用在栅极偏置点对于最大输入功率的信号所确定的数学模型， 在所述信号被提供到所述放大电路之前使其数字化地预失真。
10. —种基本上如在此前参照附图的图3或者5描述的用于放大 射频信号的放大器。
11. 一种基本上如在此前参照附图的图3或者5描述的用于放大 射频信号的方法。
全文摘要
本发明描述了一种放大器，其包括数字预失真横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和偏置电路。所述栅极偏置电压限定LDMOS晶体管的工作点，以使得当施加变化功率的输入信号时，LDMOS晶体管的静态漏极电流基本上不变。所述静态漏极电流是当瞬时去除输入信号时的、所述至少一个LDMOS晶体管的漏极电流。对于变化功率电平的输入信号，这样的放大器能够减少其输出中的互调分量。对于最大功率输入信号和小于最大功率的输入信号，减少了互调分量。
文档编号H03F3/193GK101317327SQ200580052093
公开日2008年12月3日 申请日期2005年11月16日 优先权日2005年11月16日
发明者约翰·戴维·罗兹 申请人:菲尔特罗尼克公开有限公司