专利名称：弹性表面波装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种以覆盖压电基板及IDT电极的方式层叠了 SiO2膜的弹性表面波 装置，更详细而言，涉及一种由在压电基板的上表面所形成的槽中填充的金属构成IDT电 极的弹性表面波装置。
背景技术：
在便携式电话机等移动体通信系统中所使用的双工器(DPX)或RF滤波器中要求 宽频带和具有良好温度特性这两者。以往，作为DPX或RF滤波器，弹性表面波装置被使用 得较广泛。尤其，为了这些用途，在由LiTaO3或LiNbO3等构成的压电基板上形成IDT电极而 成的弹性表面波装置被使用得较广泛。LiTaO3或LiNbO3具有负的频率温度系数TCF。因 此，已知按照覆盖IDT电极的方式将具有正的频率温度系数的SiO2膜在压电基板上成膜而 对温度特性进行改善的方法。但是，在形成有SiO2膜的情况下，在IDT电极的存在电极指的部分和不存在的部 分的边界上在SiO2膜的表面一定会产生阶梯差。而且，由于由该阶梯差所形成的凹凸，存 在插入损耗恶化的问题。作为解决这种问题的方法，在下述的专利文献1中公开了在IDT电极的电极指之 间形成与IDT电极膜厚相等的第一绝缘物层，之后按照覆盖IDT电极及第一绝缘物层的方 式形成SiO2膜的方法。由于形成第一绝缘层而SiO2膜的基底成平坦，因此SiO2膜的表面 被平坦化。在专利文献1中记载的弹性表面波装置中，IDT电极由单层膜或层叠膜构成，其 中，所述单层膜由比Al密度大的金属或以该金属为主要成分的合金构成，所述层叠膜由以 下两种膜构成一种是由比Al密度大的金属或以该金属为主要成分的合金构成的膜，另一 种是由其它金属构成的膜；并且IDT电极的电极密度为第一绝缘物层的1. 5倍以上。如此，在专利文献1中记载的弹性表面波装置中，如上所述使用以比Al还重的金 属为主体的IDT电极，因此相对于电极厚度的偏差的声速或频率的偏差容易变大。另一方 面，可知在形成有由Al构成的IDT电极的情况下，IDT电极的反射系数成非常低，所以作为 弹性表面波谐振器和弹性表面波滤波器不能得到充分的特性。为了解决如此问题，在下述的专利文献2中公开了具有由填充在形成于由LiTaO3 或LiNbO3构成的压电基板的上表面的多条槽中的Al构成的IDT电极的弹性表面波装置。 在专利文献2中记载的弹性表面波装置中，通过在槽中填充Al而形成IDT电极。而且，按 照覆盖IDT电极的方式层叠有SiO2膜。因此，SiO2膜的基底被平坦化，从而能够使SiO2膜 的表面平坦化。而且，在专利文献2中，优选使用了特定的欧拉角的LiTaO3基板，或者欧拉角为 (0°，85° 120°，0° )，(0°，125° 141°，0° )，(0°，145° 164°，0° )或(0°， 160° 180°，0° )的LiNbO3基板，更优选使用了欧拉角为(0°，90° 110°，0° )，(0°，125° 136°，0° )，(0°，149° 159°，0° )或(0°，165° 175°，0° )的 LiNbO3 基板。专利文献1 JP特开2004-112748号公报专利文献2 :W02006/011417A1为了改善频率温度特性而在由Al构成的IDT电极上使SiO2膜层叠的构造中，所 述的反射系数减小，并且特性容易恶化。相对于此，在专利文献2中记载的构造中，由Al构 成的IDT电极被埋入在压电基板上设置的槽中。因此电极的反射系数充分大。并且，由于 形成有SiO2膜，因此改善了频率温度特性。另外，由于SiO2膜的表面被平坦化，因此插入损 耗也不容易增大。然而，本发明者们发现，在使用LiNbO3基板制作在专利文献2中记载的弹性表面 波装置并且要利用基于瑞利波的响应的情况下，在所利用的主响应的衰减极附近出现较大 的寄生现象。因此，由于寄生现象(spurious)，存在滤波特性和谐振特性等恶化的忧虑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种弹性表面波装置，该弹性表面波装置解除上述现有技 术中的缺点，并通过形成SiO2膜而能够实现频率温度特性的改善，且不容易产生插入损耗 的增大，不仅能够使电极的反射系数充分大，也能抑制不希望的上述寄生现象，因此，能够 得到更良好的谐振特性或滤波特性。本发明为一种弹性表面波装置，具备在上表面上形成有多条槽的压电基板；以 在所述槽内形成的Pt为主体的IDT电极；按照覆盖所述压电基板及IDT电极的方式形成且 上表面为平坦的SiO2层，其特征在于，利用在所述压电基板中被激振的瑞利波产生的响应， 并且所述压电基板是欧拉角处于(0° 士 5°，208° 228°，0° 士 5° )范围内的LiNbO3基板。Pt作为构成弹性表面波装置的IDT电极的电极而被通用，并且通过在压电基板上 形成的槽中填充以Pt为主体的金属，而能够使电极的反射系数充分大。IDT电极也可以由以Pt为主体的合金构成。另外，IDT电极也可以是层叠金属膜。 例如，IDT电极也可以是在由Pt或以Pt为主体的合金构成的膜上层叠了由以一种金属为 主体的合金构成的膜的层叠金属膜，并且是作为整体以Pt为主体的层叠金属膜，该一种金 属是从由Ti、Ni、Cr、NiCr, Al及AlCu构成的群中所选的金属。在本发明所涉及的弹性表面波装置中，优选将所述IDT电极的膜厚以弹性表面波 的波长λ来标准化的标准化膜厚(％)、将所述SiO2膜的膜厚以弹性表面波的波长λ来标 准化的标准化膜厚(％ )及LiNbO3的欧拉角(Φ，θ，φ)的θ (度)处于在下述的表1中 所示的各组合的范围内。[表 1] 在IDT电极的标准化厚度和SiO2膜的标准化厚度以及LiNbO3的欧拉角处于在表 1中所示的各组合的范围内的情况下，能够有效地抑制不希望的寄生现象。更优选上述IDT电极的标准化厚度(％ )、Si02膜的标准化厚度(％ )及LiNbO3的 欧拉角(Φ，θ，φ)的θ (度)处于在下述表2中所示的各组合的范围内。[表 2] (发明效果)在本发明所涉及的弹性表面波装置中，在压电基板的上表面所形成的多条槽内形 成有以Pt为主体的IDT电极，按照覆盖压电基板及IDT电极的方式形成有5102层，并且SiO2 层的上表面是平坦的。因此，通过SiO2层能够改善频率温度系数，并且由于SiO2膜的上表 面被平坦化，因此不容易产生由形成SiO2膜而引起的插入损耗的增大。另外，以在槽内填充的方式形成IDT电极，所以IDT电极的反射系数不容易受SiO2 层的影响，因此能够得到充分大的反射系数。除此之外，利用了基于瑞利波的响应，并且作 为压电基板使用上述特定的欧拉角的LiNbO3基板，因此根据后面所述的实验例，能够明确 地有效抑制在主响应的衰减极附近所出现的寄生现象，且能够得到良好的频率特性。
图1是本发明的一实施方式所涉及的弹性表面波装置的示意性主视剖视图。
图2是本发明的一实施方式所涉及的弹性表面波装置的示意性俯视图。图3(a) (e)分别为用于说明实施方式的弹性表面波装置的制造方法的各示意 性主视剖视图。图4是表示使用欧拉角的θ为216°的LiNbO3基板而使电极的标准化膜厚h/ λ X100(% )发生变化的情况下的瑞利波的机电耦合系数的变化的图。图5是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成槽，形成由标准化膜 厚为1. )的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电 耦合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图6是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成槽，形成由标准化膜 厚为1. )的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电耦 合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图7是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准化 膜厚为2%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电耦合 系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图8是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准化 膜厚为2%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电耦合 系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图9是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准化 膜厚为2. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电耦 合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图10是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为2. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电 耦合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图11是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为3%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电耦 合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图12是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为3%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电耦 合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图13是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为3. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电 耦合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图14是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为3. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电 耦合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图15是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为4%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电耦 合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图16是表示在欧拉角为(0°，θ，0° ) LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准化膜厚为4%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电耦 合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图17是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为4. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电 耦合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图18是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为4. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电 耦合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图19是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电耦 合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图20是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电耦 合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图21是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为5. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的瑞利波的机电 耦合系数Kk2与欧拉角的θ之间关系的图。图22是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内形成由标准 化膜厚为5. 5%的Pt构成的IDT电极，且形成各种膜厚的SiO2层的情况下的SH波的机电 耦合系数Ksh2与欧拉角的θ之间关系的图。图23是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内按照标准化 膜厚h/λ为2%的方式形成由Pt、Au、Cu或Ta构成的电极的情况下的欧拉角的θ和与每 一个电极指相对应的反射系数之间关系的图。图24是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内按照标准化 膜厚h/λ为3%的方式形成由Pt、Au、Cu或Ta构成的电极的情况下的欧拉角的θ和与每 一个电极指相对应的反射系数之间关系的图。图25是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内按照标准化 膜厚h/λ为4%的方式形成由Pt、Au、Cu或Ta构成的电极的情况下的欧拉角的θ和与每 一个电极指相对应的反射系数之间关系的图。图26是表示在欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽内按照标准化 膜厚h/λ为5%的方式形成由Pt、Au、Cu或Ta构成的电极的情况下的欧拉角的θ和与每 一个电极指相对应的反射系数之间关系的图。图中=I-LiNbO3基板，Ia-LiNbO3基板的上表面，Ib-槽，2_光刻胶(photoresist)， 2A-光刻胶图案，3-IDT电极，4-Si02层，11-弹性表面波装置，12、13-反射器。
具体实施例方式以下，通过参照附图对本发明的具体实施方式
进行说明，从而使本发明变得清楚。图1是本发明的一实施方式所涉及的弹性表面波装置的示意性主视剖视图，图2 是本实施方式的弹性表面波装置的示意性俯视图。
如图2中所示，弹性表面波装置11具有LiNbO3基板1。在该LiNbO3基板1的上 表面Ia上形成有在图1中所示的多条槽lb。IDT电极3由在该槽Ib中填充的金属形成。即，IDT电极3由以Pt为主体的金属构成，其中Pt按照LiNbO3基板1的上表面Ia 和IDT电极3的上表面大致成为一个平面的方式被埋入在槽Ib中。如图2中所示，在IDT电极3的表面波传播方向两侧配置有反射器12、13。反射器 12、13也与IDT电极3 —样，通过在LiNbO3基板1的上表面Ia上形成的多条槽中填充金属 而形成。因此，形成上述电极3及反射器12、13后的LiNbO3基板1的上表面成为平坦。如图1及图2中所示，按照覆盖LiNbO3基板1及IDT电极3、反射器12、13的方式 形成SiO2层4。可以经过在图3(a) (e)中所示的工序来得到弹性表面波装置11。即，如在图 3(a)及(b)中所示，在LiNbO3基板1上整面形成光刻胶2之后，由光刻法使光刻胶2形成 图案，从而形成光刻胶图案2A。接着，如图3(c)中所示，对LiNbO3基板1进行蚀刻，从而形 成槽lb。然后，如图3(d)中所示，使Pt以规定厚度来成膜，并且将Pt按照填充槽Ib的方 式埋入，从而形成IDT电极3。该Pt的厚度与槽Ib的深度相同。接着，如图3(e)中所示， 通过剥离(lift-off)而去除光刻胶图案2A及其上面的Pt。然后，将SiO2层4由蒸镀或溅 射等适当的成膜方法来成膜，从而能够形成在图1中所示的上表面为平坦的SiO2层4。本实施方式的弹性表面波装置11的特征在于，作为所利用的表面波而使用基于 瑞利波的响应，并且LiNbO3基板的欧拉角处于(0° 士5°，208° 228°，0° 士5° )范 围内，因此，能够有效地抑制在主响应的衰减极附近出现的寄生现象。如上所述，在专利文献2中记载的弹性表面波装置中，在主响应的衰减极附近出 现了较大的寄生现象。因此，本申请的发明者们针对该点进一步进行研究的结果，重新发 现了通过使用欧拉角处于上述特定范围内的LiNbO3基板，能够有效地抑制该主响应的衰减 极附近的寄生现象。即，通过使用上述特定的欧拉角的LiNbO3基板而能够抑制上述寄生现 象，这并不是基于在预想得到这种效果之后的实验的，而是由本申请的发明者们新发现的 结果。以下，基于具体实验例，说明将LiNbO3基板的欧拉角设定为上述特定的范围，从而 能够有效地抑制寄生现象。作为LiNbO3基板1而准备采用欧拉角(0°，216°，0° )的LiNbO3基板，如图1及 图2中所示，通过将Pt在多条槽Ib中埋入，从而形成IDT电极3及反射器12、13，进而还 形成5102层4。在该情况下，将电极膜厚设定各自不同，对3102膜4的膜厚h/λ = 20%, 25%或30%。在图4中表示如此所得的各弹性表面波装置的瑞利波的机电耦合系数Kk2与 IDT电极3的膜厚之间关系。图4的横轴是表示IDT电极3的标准化膜厚h/ λ X 100 )。另外，h表示IDT电 极3的膜厚，λ表示瑞利波的波长。从图4中明确可知，通过将SiO2膜4的膜厚及IDT电极3的标准化膜厚设定为特 定的范围，从而能够使得瑞利波的机电耦合系数Kk2增大。另外，本申请的发明者们发现，在利用上述瑞利波的情况下，在主响应的衰减极附 近出现寄生现象是由SH波被激振时的该SH波的响应而引起的。在下述条件下制作了多个弹性表面波装置，即使用各种欧拉角的Y切割X传播的LiNbO3基板；使用Pt作为电极材料；设定IDT电极3的标准化膜厚h/ λ )为1. 5%、 2%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%、5% 或 5.5%;使 5102膜4 的标准化膜厚 h/λ 在 10% 30%的范围内变化。关于这些弹性表面波装置，求出了瑞利波的机电耦合系数Kk2及相对于 瑞利波的主响应成为寄生现象的SH波之机电耦合系数Ksh2。在图5 图22中表示结果。图5是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚(％ )为1. )的情况下 的瑞利波的机电耦合系数Κκ2，图6是表示SH波的机电耦合系数Ksh2。从图5及图6明确可知，在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为1. )的情 况下，只要欧拉角的θ处于208° 228°范围内，就不管SiO2膜4的膜厚，将瑞利波的主 响应的机电耦合系数Kk2都能够设定为0.08以上，并且只要欧拉角的θ处于208° 225° 范围内，就不管SiO2膜4的膜厚，将作为寄生现象的SH波的机电耦合系数Ksh2都能够设定 小于0. 02。另外，图7及图8是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚h/λ为2%的 情况下的SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2 与欧拉角的θ之间关系的图。图9及图10是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为2. 5%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图11及图12是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为3%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图13及图14是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为3. 5%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图15及图16是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为4%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图17及图18是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为4. 5%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图19及图20是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为5%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。图21及图22是表示在由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为5. 5%的情况下的 SiO2膜的各标准化膜厚的瑞利波的机电耦合系数Kk2或SH波的机电耦合系数Ksh2与欧拉角 的θ之间关系的图。从图5 图22可知，只要由Pt构成的IDT电极3的标准化膜厚为1. 5 5. 5%、 SiO2膜4的标准化膜厚处于10 35%范围内，就不管SiO2膜4的膜厚，在欧拉角的θ处 于208 228°的范围内，瑞利波的机电耦合系数Kk2为极大值。在欧拉角的θ小于瑞利波 的机电耦合系数Kk2成为最大时的欧拉角的θ时机电耦合系数Kk2减小，在欧拉角的θ大于瑞利波的机电耦合系数Kk2成为最大时的欧拉角的θ的情况下也同样，机电耦合系数Kk2 具有减小的趋势。另外，相反，成为寄生现象的SH波的机电耦合系数Ksh2在欧拉角的θ处于205 228°的范围内成为极小值。因此可知，通过将欧拉角的θ设定为208 228°的范围，从 而能够增大机电耦合系数Κκ2，同时减小机电耦合系数KSH2。从使得响应的大小特别大、尤其得到良好谐振特性或滤波特性的观点上，优选瑞 利波的主响应的机电耦合系数Kk2为0. 08以上。从图4 图22的结果可知，为了使得机电 耦合系数Kk2成0. 08以上，只要选择在下述表3中所示的IDT电极3的膜厚、SiO2的膜厚及 欧拉角的θ的组合即可。即，如在表3中所示，可知对于由Pt构成的IDT电极的标准化膜厚(％ )范围，只 要选择SiO2膜的标准化膜厚(％)范围和在表3的右端的栏中所示的欧拉角的θ (度)的 范围的组合，就能够使所利用的瑞利波的主响应的机电耦合系数成0. 08以上从而得到较 充分的响应，并且能够有效地抑制寄生现象的影响。[表 3] 另外，从更有效地抑制寄生现象的观点上，优选SH波的机电耦合系数Ksh2小于 0. 02。从图4 图22中所示的结果可知，SH波的机电耦合系数Ksh2小于0. 02的范围，只要 是在下述表4中所述的范围内的组合即可。[表 4]
根据以上可知，只要将欧拉角的θ设定为208° 228°的范围，就通过对IDT电 极的标准化膜厚及SiO2的标准化膜厚进行选择，能够使所利用的瑞利波的机电耦合系数 Ke2充分增大，另一方面能够减小SH波的机电耦合系数KSH2，因此能够有效地抑制基于SH波 的寄生现象。作为电极材料而使用Pt的情况，与使用Au、Cu或Ta的情况相比，能够提高IDT电 极的反射系数，接着基于具体实验结果而对此进行说明。图23是表示在采用欧拉角(0°，θ，0° )的LiNbO3基板上形成的槽中作为电极 材料将各种金属按照标准化膜厚h/ λ为2 %的方式填充，进而将SiO2膜按照标准化膜厚h/ λ为25%的方式层叠的构造中的与每一个电极指相对应的反射系数和θ之间关系的图。 另外，图24 图26是除了将电极的标准化膜厚分别设定为2%、3%、4%或5%之外与图23 的情况一样地进行评价的结果，即，是表示在各电极材料中的欧拉角的θ与反射系数之间 关系的图。
从图23 图26中明确可知，在欧拉角的θ为208° 228°的范围时在电极的 标准化膜厚h/λ为2 5%的范围中，作为电极材料使用Pt，从而能够得到大于作为电极 材料使用Au、Cu或Ta的情况的反射系数。另外，在上述各实施方式中，使用欧拉角为(0°，θ，0° )的LiNbO3基板而进行了 实验，但是对欧拉角的φ及φ，并不一定限于ο°，只要Φ及φ的各自为ο° 士5°的范围 即-5° 5°的范围，就得到与上述实验例一样的结果。因此，在本发明中，只要1^他03基 板的欧拉角为(0° 士5°，208° 228°，0° 士5° )的范围即可。另外，在上述各实施方式中，由Pt形成IDT电极3，IDT电极3的电极材料并不限 于Pt，也可以是以Pt为主体的金属。另外，IDT电极3是含有由Pt或以Pt为主体的合金 构成的金属模、和由其它金属或合金构成的金属模的层叠金属膜，并且作为整体以Pt为主 体也可以。作为这种的其它金属或合金，可以列举Ti、Ni、Cr、NiCr、AlCu等。
权利要求
一种弹性表面波装置，具有压电基板，其在上表面形成有多条槽；IDT电极，其以在所述槽内形成的Pt为主体；SiO2层，其覆盖所述压电基板及IDT电极而形成且上表面平坦，所述弹性表面波装置的特征在于，利用在所述压电基板中被激振的瑞利波产生的响应，所述压电基板是欧拉角处于(0°±5°，208°～228°，0°±5°)范围内的LiNbO3基板。
2.根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，所述IDT电极是在由Rt或以Pt为主体的合金构成的膜上层叠有由以一种金属为主体 的合金构成的膜的层叠金属膜，且是作为整体以Pt为主体的层叠金属膜，所述一种金属是 从由Ti、Ni、Cr、NiCr、Al及AlCu构成的群中所选的金属。
3.根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述IDT电极的膜厚以弹性表面波的波长λ来标准化的标准化膜厚(％ )、所述SiO2 膜的膜厚以弹性表面波的波长λ来标准化的标准化膜厚(％)及LiNbO3W欧拉角(Φ，θ， φ)的θ (度)处于在下述的表1中所示的各组合的范围内， [表1]
4.根据权利要求3所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述IDT电极的膜厚以弹性表面波的波长λ来标准化的标准化膜厚(％ )、所述SiO2 膜的膜厚以弹性表面波的波长λ来标准化的标准化膜厚(％)及LiNbO3W欧拉角(Φ，θ， φ)的θ (度)处于在下述的表2中所示的各组合的范围内， [表2]
全文摘要
本发明提供一种弹性表面波装置，其通过形成SiO2膜，能够实现频率温度特性的改善，且不容易产生插入损耗的增大，不仅能够使得电极的反射系数充分大，也能抑制不希望的所述寄生现象，由此能够得到更良好的谐振特性或滤波特性。在LiNbO3基板(1)的上表面(1a)形成有多条槽(1b)，在槽(1b)内形成有以Pt为主体的IDT电极(3)，覆盖LiNbO3基板(1)的上表面(1a)及IDT电极(3)而形成有SiO2层(4)，并且SiO2层(4)的表面被平坦化，利用基于瑞利波的响应，且LiNbO3基板的欧拉角处于(0°±5°，208°～228°，0°±5°)的范围内。
文档编号H03H9/145GK101904095SQ20088012175
公开日2010年12月1日 申请日期2008年10月17日 优先权日2007年12月20日
发明者木村哲也, 矢追真理, 门田道雄 申请人:株式会社村田制作所