专利名称：低噪声放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子线路，尤其是一种低噪声放大器。
背景技术：
射频芯片(RF chip)内的低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)大多针 对产品定位而决定其为单端接收(single receiving)或者为双端接收(differential receiving)。换言之，在射频芯片制作完成后，低噪声放大器的接收方式不是单端接收就是 双端接收。如此一来，在射频芯片制作完成的条件下，低噪声放大器可能无法同时支持单端 与双端这两种接收方式。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于在射频芯片制作完成后，针对产品定位来 设计直流偏压单元的电路组态，可以让低噪声放大器的接收方式适应性地变更为单端或双 端接收。为了实现上述目的，本发明提供一种低噪声放大器，其包括放大器核心电路与直 流偏压单元。放大器核心电路用以接收并处理单一输入信号或一对差分输入信号，从而输 出一对差分输出信号。直流偏压单元耦接放大器核心电路，且依据其本身的电路组态而对 信号源进行处理，从而产生所述单一输入信号或所述一对差分输入信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的放大器核心电路包括输入跨导单元，耦接直流偏压单元，用以接收并处理单一输入信号或一对差分输 入信号，从而产生一对差分电流信号；电流缓冲单元，耦接输入跨导单元，用以接收并缓冲一对差分电流信号，从而输出 一对缓冲过后的差分电流信号；以及输出负载单元，耦接电流缓冲单元，用以接收一对缓冲过后的差分电流信号，并据 以输出一对差分输出信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的输入跨导单元包括第一晶体管，其栅极用以接收第一偏压，其漏极用以输出一对差分电流信号的第 一电流信号，而其源极则用以接收单一输入信号或一对差分输入信号的第一输入信号；以 及第二晶体管，其栅极用以接收第一偏压，其基极耦接第一晶体管的源极，其漏极用 以输出一对差分电流信号的第二电流信号，而其源极则耦接第一晶体管的基极并用以接收 一对差分输入信号的第二输入信号或者通过直流偏压单元而耦接至地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的输入跨导单元还包括第一电阻，其第一端用以接收第一偏压，而其第二端则耦接第一晶体管的栅极；第一电容，其第一端耦接第一晶体管的栅极，而其第二端则耦接第二晶体管的源 极；
第二电阻，其第一端用以接收第一偏压，而其第二端则耦接第二晶体管的栅极；以 及第二电容，其第一端耦接第二晶体管的栅极，而其第二端则耦接第一晶体管的源 极。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的电流缓冲单元包括第三晶体管，其栅极用以接收第二偏压，其源极耦接第一晶体管的漏极，而其漏极 则用以输出一对缓冲过后的差分电流信号的第一缓冲电流信号；以及第四晶体管，其栅极用以接收第二偏压，其源极耦接第二晶体管的漏极，而其漏极 则用以输出一对缓冲过后的差分电流信号的第二缓冲电流信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的电流缓冲单元还包括第三电阻，其第一端用以接收第二偏压，而其第二端则耦接第三晶体管的栅极；第三电容，其第一端耦接第三晶体管的源极，而其第二端则耦接第四晶体管的栅 极；第四电阻，其第一端用以接收第二偏压，而其第二端则耦接第四晶体管的栅极；以 及第四电容，其第一端耦接第四晶体管的源极，而其第二端则耦接第三晶体管的栅 极。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的输出负载单元包括第一负载，其第一端耦接至系统电压，而其第二端则耦接第三晶体管的漏极以输 出一对差分输出信号的第一输出信号；以及第二负载，其第一端耦接至系统电压，而其第二端则耦接第四晶体管的漏极以输 出一对差分输出信号的第二输出信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元包括平衡非平衡转换器，具有初级与次级，初级的第一端用以接收信号源，初级的第二 端耦接至地，次级的第一端耦接第一晶体管的源极以产生第一输入信号，次级的中心抽头 端耦接至地，而次级的第二端耦接第二晶体管的源极以产生第二输入信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元包括平衡非平衡转换器，具有初级与次级，初级的第一端用以接收信号源，初级的第二 端则耦接至地，次级的第一端耦接第一晶体管的源极以产生第一输入信号，而次级的第二 端则耦接第二晶体管的源极以产生第二输入信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元还包括第一电感，其第一端耦接次级的第一端，而其第二端则耦接至地；以及第二电感，其第一端耦接次级的第二端，而其第二端则耦接至地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元还包括第一高阻抗组件，其第一端耦接次级的第一端，而其第二端则耦接至地；以及第二高阻抗组件，其第一端耦接次级的第二端，而其第二端则耦接至地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元还包括第五晶体管，其栅极用以接收第三偏压，其漏极耦接第一晶体管的源极，而其源极 则耦接至地；以及
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第六晶体管，其栅极用以接收第三偏压，其漏极耦接第二晶体管的源极，而其源极 则耦接至地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元包括电感，其第一端用以接收信号源并耦接第一晶体管的源极，而其第二端则耦接至 地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的电感的第二端还耦接至第二晶体管 的源极。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元包括第一高阻抗组件，其第一端耦接第一晶体管的源极，而其第二端则耦接至地；第二高阻抗组件，其第一端耦接第二晶体管的源极，而其第二端则耦接至地；以及第五电容，其与第二高阻抗组件相互并接在一起。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的直流偏压单元还包括第五晶体管，其栅极用以接收第三偏压，其漏极耦接第一晶体管的源极，而其源极 则耦接至地；第六晶体管，其栅极用以接收第三偏压，其漏极耦接第二晶体管的源极，而其源极 则耦接至地；以及第五电容，其第一端耦接第二晶体管的源极，而其第二端则耦接至地。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的单一输入信号为单一电压输入信 号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的一对差分输入信号为一对差分电压 输入信号。在本发明一实施例中，所述的低噪声放大器的放大器核心电路为制作在芯片的内 部，而直流偏压单元为制作在芯片的内部与外部其中之一。本发明的技术效果如下在射频芯片制作完成的条件下(即放大器核心电路不变的状态下)，通过改变直 流偏压单元的电路组态，低噪声放大器还是可以同时支持单端与双端这两种接收方式。
图1为一示范性实施例的低噪声放大器100的方块图。图2为一示范性实施例的放大器核心电路101的电路图。图3、图4、图5、图6分别为一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其可以 让低噪声放大器100的接收方式为双端接收。图7、图8、图9分别为另一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其可以让 低噪声放大器100的接收方式为单端接收。其中，附图标识说明如下100 低噪声放大器101 放大器核心电路103 直流偏压单元201 输入跨导单元
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203 电流缓冲单元205:输出负载单元T、T’ 平衡非平衡转换器Vs 单一输入信号Vs+、Vs-差分输入信号Vo+、Vo-差分输出信号I+、I-:差分电流信号IB+、IB-缓冲过后的差分电流信号M1—M5:晶体管R1—R5:电阻C1—C5 电容L、L1、L2:电感ZL1、ZL2:负载ZH1、ZH2 高阻抗组件GND 地VB1、VB2、VB3 偏压SS 信号源VDD 系统电压
具体实施例方式现将详细参考几个示范性实施例，并在附图中说明所述几个示范性实施例的实 例，以让上述特征和优点能更明显易懂。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同 标号的组件/构件代表相同或类似部分。图1为一示范性实施例的低噪声放大器100的方块图。请参照图1，低噪声放大器 100包括放大器核心电路101与直流偏压单元103。其中，放大器核心电路101用以接收并 处理单一输入信号Vs或一对差分输入信号Vs+与Vs-，从而输出一对差分输出信号Vo+与 Vo-(例如为一对差分电压输出信号)。直流偏压单元103耦接放大器核心电路101，且依据 其本身的电路组态而对信号源SS进行处理，从而产生单一输入信号Vs (例如为单一电压输 入信号，但并不限制于此)或差分输入信号Vs+与Vs-(例如为一对差分电压输入信号，但 并不限制于此)。在本示范性实施例中，放大器核心电路101与直流偏压单元103非同时制作在芯 片(未画出，例如为射频芯片，但并不限制于此)的内部。更清楚来说，放大器核心电路101 可以制作在芯片的内部，而直流偏压单元103可以制作在芯片的外部(例如制作在印刷电 路板上)。也因如此，在射频芯片制作完成后，只要针对产品定位来设计直流偏压单元103 的电路组态的话，就可以让低噪声放大器100的接收方式适应性地变更为单端或双端接 收。如此一来，在射频芯片制作完成的条件下(即放大器核心电路101不变的状态下)，低 噪声放大器100还是可以同时支持单端与双端这两种接收方式。然而，在其它示范性实施例中，放大器核心电路101与直流偏压单元103也可以同 时制作在芯片的内部。换言之，直流偏压单元103并不限于一定要制作在芯片的外部。
图2为一示范性实施例的放大器核心电路101的电路图。请合并参照图1与图2， 放大器核心电路101包括输入跨导单元201、电流缓冲单元203，以及输出负载单元。输入跨 导单元201耦接直流偏压单元103，用以接收并处理单一输入信号Vs或差分输入信号Vs+ 与Vs-，从而产生一对差分电流信号1+与I-。电流缓冲单元203耦接输入跨导单元201，用 以接收并缓冲差分电流信号1+与1-，从而输出一对缓冲过后的差分电流信号IB+与IB-。 输出负载单元205耦接电流缓冲单元203，用以接收缓冲过后的差分电流信号IB+与IB-， 并据以输出差分输出信号Vo+与Vo-。更清楚来说，输入跨导单元201包括晶体管Ml与M2、电阻Rl与R2，以及电容Cl 与C2。晶体管Ml的栅极(gate)会通过电阻Rl接收偏压VB1，并且通过电容Cl而耦接至 晶体管M2的源极(source)。晶体管Ml的漏极(drain)用以输出差分电流信号1+与I-的 正电流信号I+。晶体管Ml的源极用以接收单一输入信号Vs或差分输入信号Vs+与Vs-的 正输入信号Vs+。晶体管M2的栅极会通过电阻R2接收偏压VB1，并且通过电容C2而耦接至晶体管 Ml的源极。晶体管M2的基极(bulk)耦接晶体管Ml的源极。晶体管M2的漏极用以输出 差分电流信号1+与I-的负电流信号I-。晶体管M2的源极耦接晶体管Ml的基极，并且用 以接收差分输入信号Vs+与Vs-的负输入信号Vs-或者通过直流偏压单元103而耦接至地 GND。另外，电流缓冲单元203包括晶体管M3与M4、电阻R3与R4，以及电容C3与C4。晶 体管M3的栅极会通过电阻R3接收偏压VB2，并且通过电容C3而耦接至晶体管M4的源极。 晶体管M3的源极耦接晶体管Ml的漏极。晶体管M3的漏极用以输出缓冲过后的差分电流 信号IB+与IB-的正缓冲电流信号IB+。晶体管M4的栅极会通过电阻R4接收偏压VB2，并 且通过电容C4而耦接至晶体管M3的源极。晶体管M4的源极耦接晶体管M2的漏极。晶体 管M4的漏极用以输出缓冲过后的差分电流信号IB+与IB-的负缓冲电流信号IB-。再者，输出负载单元205包括负载ZLl与ZL2。负载ZLl的第一端耦接至系统电 压VDD，而负载ZLl的第二端则耦接晶体管M3的漏极以输出差分输出信号Vo+与Vo-的正 输出信号Vo+。负载ZL2的第一端耦接至系统电压VDD，而负载ZL2的第二端则耦接晶体管 M4的漏极以输出差分输出信号Vo+与Vo-的负输出信号Vo-。在此假设欲让低噪声放大器100的接收方式为双端接收的话，则直流偏压单元 103的电路组态有以下几种选择，但并不限制于此。图3为一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其可以让低噪声放大器100 的接收方式为双端接收。请合并参照图1-图3，直流偏压单元103包括平衡非平衡转换 器(Balance-unbalance-converter，Balun)T(例如可以为变压器，但并不限制于此)。平 衡非平衡转换器T具有初级(primary side)与次级(secondary side)。平衡非平衡转换 器T的初级的第一端用以接收信号源SS。其中，信号源SS例如可以是由天线所接收下来的 信号，但并不限制于此。平衡非平衡转换器T的初级的第二端耦接至地GND。平衡非平衡转换器T的次级 的第一端耦接晶体管Ml的源极，以产生差分输入信号Vs+与Vs-的正输入信号Vs+。平衡 非平衡转换器T的次级的中心抽头(center tap)端耦接至地GND。平衡非平衡转换器T的 次级的第二端耦接晶体管M2的源极，以产生差分输入信号Vs+与Vs-的负输入信号Vs-。
图4为另一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其同样可以让低噪声放 大器100的接收方式为双端接收。请合并参照图1、图2与图4，直流偏压单元103包括平 衡非平衡转换器T’ (例如可以为变压器或者可以参考『http://en. wikipedia. org/wiki/ Balim』中所述及的各组件，但都不限制于此)以及电感Ll与L2。平衡非平衡转换器T’具 有初级与次级。平衡非平衡转换器T’的初级的第一端用以接收信号源SS。其中，信号源 SS例如可以是由天线所接收下来的信号，但并不限制于此。平衡非平衡转换器T’的初级的 第二端则耦接至地GND。平衡非平衡转换器T’的次级的第一端耦接晶体管Ml的源极，以产 生差分输入信号Vs+与Vs-的正输入信号Vs+。平衡非平衡转换器T’的次级的第二端耦接 晶体管M2的源极，以产生差分输入信号Vs+与Vs-的负输入信号Vs-。电感Ll的第一端耦 接平衡非平衡转换器T’的次级的第一端，而电感Ll的第二端则耦接至地GND。电感L2的 第一端耦接平衡非平衡转换器T’的次级的第二端，而电感L2的第二端则耦接至地GND。图5为另一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其同样可以让低噪声放 大器100的接收方式为双端接收。请合并参照图4与图5，图5相比于图4的相异之处在于 图5是以高阻抗组件ZHl与ZH2来取代电感Ll与L2。其中，高阻抗组件ZHl与ZH2可以为 电阻，但并不限制于此。图6为再一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其同样可以让低噪声放 大器100的接收方式为双端接收。请合并参照图4与图6，图6相比于图4的相异之处在于 图6是以晶体管M5与M6来取代电感Ll与L2。其中，晶体管M5的栅极用以接收偏压VB3、 晶体管M5的漏极耦接晶体管Ml的源极，而晶体管M5的源极则耦接至地GND。晶体管M6的 栅极用以接收偏压VB3、晶体管M6的漏极耦接晶体管M2的源极，而晶体管M6的源极则耦接 至地GND。图3至图6分别所画出的直流偏压单元103都可以让低噪声放大器100的接收方 式为双端接收，且此时晶体管Ml及M2被设定为共栅极放大器组态。由于电容Cl与C2交 错耦合(cross-coupling)在晶体管Ml与M2之间的栅极与源极，且晶体管Ml与M2的基极 又采用交错耦合的技巧。因此，在平衡非平衡转换器T/T’的线圈比设为1 1的条件下， 输入跨导(gm)可以被有效地放大为2*(gm+gmb)，其中gmb为基极跨导。如此一来，具有双端 接收的低噪声电压器100的输入阻抗(Zin)可以看作近似于l/(gm+gmb)，且电压增益(Av) 会等于2*k*(gm+gmb)*ZL。其中，k = 2*Zin/(RS+Zin)，且在完美匹配天线阻抗(Rs = 50欧 姆)的条件下，其值为1 ；而ZL为负载ZLl与ZL2的阻值。在此假设欲让低噪声放大器100的接收方式为单端接收的话，则直流偏压单元 103的电路组态有以下几种选择，但并不限制于此。图7为一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其可以让低噪声放大器100 的接收方式为单端接收。请合并参照图1、图2与图7，直流偏压单元103包括电感L。电感 L的第一端用以接收信号源SS，并且耦接晶体管Ml的源极，而电感L的第二端则耦接至地 GND以及晶体管M2的源极。其中，信号源SS例如可以是由天线所接收下来的信号，但并不 限制于此。图8为另一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其同样可以让低噪声放 大器100的接收方式为单端接收。请合并参照图1、图2与图8，直流偏压单元103包括高 阻抗组件 l与ZH2以及电容C5。高阻抗组 ZHl的第一端耦接晶体管Ml的源极，而高阻抗组件ZHl的第二端则耦接至地GND。高阻抗组件ZH2的第一端耦接晶体管M2的源极， 而高阻抗组件ZH2的第二端则耦接至地GND。电容C5与高阻抗组件ZH2相互并接在一起。 其中，高阻抗组件ZHl与ZH2可以为电阻，但并不限制于此。图9为另一示范性实施例的直流偏压单元103的电路图，其同样可以让低噪声放 大器100的接收方式为单端接收。请合并参照图1、图2与图9，直流偏压单元103包括晶 体管M5与M6以及电容C5。晶体管M5的栅极用以接收偏压VB3，晶体管M5的漏极耦接晶 体管Ml的源极，而晶体管M5的源极则耦接至地GND。晶体管M6的栅极用以接收偏压VB3， 晶体管M6的漏极耦接晶体管M2的源极，而晶体管M6的源极则耦接至地GND。电容C5的第 一端耦接晶体管M2的源极，而电容C5的第二端则耦接至地GND。图7至图9各别所绘示的直流偏压单元103皆可以让低噪声放大器100的接收方 式为单端接收，且此时晶体管Ml及M2分别被设定为共栅极放大器组态以及共源极放大器 组态。由于晶体管Ml与M2的基极采用交错耦合的技巧。因此，输入跨导(gm)可以被有效 地放大为(gm+gmb)，从而实现跨导放大的效果，其中gmb为基极跨导。如此一来，具有单端接 收的低噪声电压器100的输入阻抗(Zin)同样可以看作近似于l/(gm+gmb)，且电压增益(Av) 同样会等于 2*k*(gm+gmb)*ZL。据此，无论低噪声放大器100的接收方式为单端或者双端接收，其输入阻抗(Zin) 与电压增益(Av)都不会改变。因此，低噪声放大器100可以在不更动放大器核心电路101 的前提下，通过改变直流偏压单元103的电路组态，即可致使低噪声放大器100可以同时支 持单端与双端这两种接收方式。除此之外，低噪声放大器100可以根据不同的产品定位需求，例如高性能或低成 本、高整合(单系统芯片，SoC)或整合度较低(射频传收机)的产品开发，而适应性地改变 直流偏压单元103的电路组态，从而让低噪声放大器100的接收方式可以适应性变更为单 端或双端接收。虽然已以多个实施例揭露如上，然其并非用以限定本实施范例，任何所属技术领 域中具有通常知识者，在不脱离本实施范例的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故 本实施范例的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
一种低噪声放大器，其特征在于，包括放大器核心电路，用以接收并处理单一输入信号或一对差分输入信号，从而输出一对差分输出信号；以及直流偏压单元，耦接该放大器核心电路，且依据其本身的电路组态而对信号源进行处理，从而产生该单一输入信号或该一对差分输入信号。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，该放大器核心电路包括输入跨导单元，耦接该直流偏压单元，用以接收并处理该单一输入信号或该一对差分 输入信号，从而产生一对差分电流信号；电流缓冲单元，耦接该输入跨导单元，用以接收并缓冲该一对差分电流信号，从而输出 一对缓冲过后的差分电流信号；以及输出负载单元，耦接该电流缓冲单元，用以接收该一对缓冲过后的差分电流信号，并据 以输出该一对差分输出信号。
3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，该输入跨导单元包括第一晶体管，其栅极用以接收第一偏压，其漏极用以输出该一对差分电流信号的第一 电流信号，而其源极则用以接收该单一输入信号或该一对差分输入信号的第一输入信号； 以及第二晶体管，其栅极用以接收该第一偏压，其基极耦接该第一晶体管的源极，其漏极用 以输出该一对差分电流信号的第二电流信号，而其源极则耦接该第一晶体管的基极并用以 接收该一对差分输入信号的第二输入信号或者通过该直流偏压单元而耦接至地。
4.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，该输入跨导单元还包括 第一电阻，其第一端用以接收该第一偏压，而其第二端则耦接该第一晶体管的栅极； 第一电容，其第一端耦接该第一晶体管的栅极，而其第二端则耦接该第二晶体管的源极；第二电阻，其第一端用以接收该第一偏压，而其第二端则耦接该第二晶体管的栅极；以及第二电容，其第一端耦接该第二晶体管的栅极，而其第二端则耦接该第一晶体管的源极。
5.如权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，该电流缓冲单元包括第三晶体管，其栅极用以接收一第二偏压，其源极耦接该第一晶体管的漏极，而其漏极 则用以输出该一对缓冲过后的差分电流信号的第一缓冲电流信号；以及第四晶体管，其栅极用以接收该第二偏压，其源极耦接该第二晶体管的漏极，而其漏极 则用以输出该一对缓冲过后的差分电流信号的第二缓冲电流信号。
6.如权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，该电流缓冲单元还包括 第三电阻，其第一端用以接收该第二偏压，而其第二端则耦接该第三晶体管的栅极； 第三电容，其第一端耦接该第三晶体管的源极，而其第二端则耦接该第四晶体管的栅极；第四电阻，其第一端用以接收该第二偏压，而其第二端则耦接该第四晶体管的栅极；以及第四电容，其第一端耦接该第四晶体管的源极，而其第二端则耦接该第三晶体管的栅2极。
7.如权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，该输出负载单元包括第一负载，其第一端耦接至系统电压，而其第二端则耦接该第三晶体管的漏极以输出 该一对差分输出信号的第一输出信号；以及第二负载，其第一端耦接至该系统电压，而其第二端则耦接该第四晶体管的漏极以输 出该一对差分输出信号的第二输出信号。
8.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元包括平衡非平衡转换器，具有初级与次级，该初级的第一端用以接收该信号源，该初级的第 二端耦接至地，该次级的第一端耦接该第一晶体管的源极以产生该第一输入信号，该次级 的中心抽头端耦接至地，而该次级的第二端耦接该第二晶体管的源极以产生该第二输入信 号。
9.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元包括平衡非平衡转换器，具有初级与次级，该初级的第一端用以接收该信号源，该初级的第 二端则耦接至地，该次级的第一端耦接该第一晶体管的源极以产生该第一输入信号，而该 次级的第二端则耦接该第二晶体管的源极以产生该第二输入信号。
10.如权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元还包括 第一电感，其第一端耦接该次级的第一端，而其第二端则耦接至地；以及 第二电感，其第一端耦接该次级的第二端，而其第二端则耦接至地。
11.如权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元还包括 第一高阻抗组件，其第一端耦接该次级的第一端，而其第二端则耦接至地；以及 第二高阻抗组件，其第一端耦接该次级的第二端，而其第二端则耦接至地。
12.如权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元还包括 第五晶体管，其栅极用以接收一第三偏压，其漏极耦接该第一晶体管的源极，而其源极则耦接至地；以及第六晶体管，其栅极用以接收该第三偏压，其漏极耦接该第二晶体管的源极，而其源极 则耦接至地。
13.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元包括电感，其第一端用以接收该信号源并耦接该第一晶体管的源极，而其第二端则耦接至地。
14.如权利要求13所述的低噪声放大器，其特征在于，该电感的第二端还耦接至该第 二晶体管的源极。
15.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元包括 第一高阻抗组件，其第一端耦接该第一晶体管的源极，而其第二端则耦接至地； 第二高阻抗组件，其第一端耦接该第二晶体管的源极，而其第二端则耦接至地；以及 第五电容，其与该第二高阻抗组件相互并接在一起。
16.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，该直流偏压单元还包括第五晶体管，其栅极用以接收一第三偏压，其漏极耦接该第一晶体管的源极，而其源极 则耦接至地；第六晶体管，其栅极用以接收该第三偏压，其漏极耦接该第二晶体管的源极，而其源极则耦接至地；以及第五电容，其第一端耦接该第二晶体管的源极，而其第二端则耦接至地。
17.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，该单一输入信号为单一电压输入信号。
18.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，该一对差分输入信号为一对差分 电压输入信号。
19.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，该放大器核心电路为制作在该芯 片的内部，而该直流偏压单元为制作在该芯片的内部与外部其中之一。
全文摘要
本发明涉及一种低噪声放大器，其包括放大器核心电路与直流偏压单元。放大器核心电路用以接收并处理单一输入信号或一对差分输入信号，从而输出一对差分输出信号。直流偏压单元耦接放大器核心电路，且依据其本身的电路组态而对一信号源进行处理，从而产生所述单一输入信号或所述一对差分输入信号。即通过改变直流偏压单元的电路组态，低噪声放大器还是可以同时支持单端与双端这两种接收方式。
文档编号H03K19/0175GK101931368SQ200910149518
公开日2010年12月29日 申请日期2009年6月25日 优先权日2009年6月25日
发明者郭建男, 郭明清, 高小文 申请人:财团法人工业技术研究院