专利名称：单相表信号功率放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电能表，具体讲是一种单相表信号功率放大电路。
背景技术：
目前有一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道 M0S管、N沟道M0S管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；所述N沟道M0S管的栅极接信 号输入端、该N沟道M0S管的源极接地，所述P沟道M0S管的源极接电源输入端，所述第一 电容一端接N沟道M0S管的栅极，所述第一电容另一端接P沟道M0S管的栅极，所述二极管 的正极接P沟道M0S管的栅极，所述二极管的负极接P沟道M0S管的源极。所述第一电阻 的一端接P沟道M0S管的源极，所述第一电阻的另一端接P沟道M0S管的栅极。所述第二 电阻的一端接N沟道M0S管的漏极，所述第二电阻的另一端接电感的一端，所述第三电阻的 一端接P沟道M0S管的漏极，所述第三电阻的另一端接电感的与第二电阻的公共端，所述电 感的另一端串联第二电容后接载波芯片。以上这种结构的单相表信号功率放大电路存在以下缺点客观上单相表的载波芯 片只能采用的是M0SFET工艺，但是由于该载波芯片不推荐驱动容性负载，上述的这套单相 表信号功率放大电路的输入是容性的，所以，这就可能导致载波芯片在上电后被损坏。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能保护载波芯片不被损坏的单相表信 号功率放大电路。本实用新型的技术方案是，提供一种具有以下结构的单相表信号功率放大电路， 包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道M0S管、N沟道M0S管、第二电阻、第三电阻、电感、 第二电容；它还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端 接N沟道M0S管的栅极。采用上述结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点客观上单相表的载 波芯片还是采用的是M0SFET工艺，但是由于增加了第四电阻，所述第四电阻的一端接信号 输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道M0S管的栅极，该电阻起到分压作用，从而能保护 载波芯片不被损坏。
附图为本实用新型的单相表信号功率放大电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。如图所示，本实用新型的单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一 电阻、P沟道M0S管、N沟道M0S管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；所述N沟道M0S管的源极接地，所述P沟道M0S管的源极接电源输入端，所述第一电容一端接N沟道M0S管的 栅极，所述第一电容另一端接P沟道M0S管的栅极，所述二极管的正极接P沟道M0S管的栅 极，所述二极管的负极接P沟道M0S管的源极。所述第一电阻的一端接P沟道M0S管的源 极，所述第一电阻的另一端接P沟道M0S管的栅极。所述第二电阻的一端接N沟道M0S管的 漏极，所述第二电阻的另一端接电感的一端，所述第三电阻的一端接P沟道M0S管的漏极， 所述第三电阻的另一端接电感的与第二电阻的公共端，所述电感的另一端串联第二电容后 接载波芯片。本实用新型的单相表信号功率放大电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接 信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道M0S管的栅极。为便于看图，所述接地的接地符号记为GND，第一电容记为C35，二极管记为D1、第 一电阻记为R7、P沟道M0S管记为Pch、N沟道M0S管记为Nch、第二电阻记为R1、第三电阻 记为R2、电感记为L5、第二电容记为C31。
权利要求一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；其特征在于它还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极。
专利摘要本实用新型公开了一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；它还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极。该单相表信号功率放大电路能保护载波芯片不被损坏。
文档编号H03F3/21GK201577066SQ20092020175
公开日2010年9月8日 申请日期2009年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者刘其君, 李颂清, 蒙根, 邵柳东 申请人:宁波三星电气股份有限公司