专利名称：30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种滤波器，特别是一种用于电子通信领域抗干扰通信的 30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器。
背景技术：
随着电子通信技术的飞速发展，无线通信环境不断恶化，带外杂散噪声干扰信号 一直困扰着发射机的发展进程。究其原因主要是传统的小功率结构已经满足不了高功率发 射机的发展需要，研制出一种放在发射机后端的高功率共址滤波器就显得势在必行。由于 高功率共址滤波器研制技术难度极大，国内这方面的资料介绍很少见，国外的生产厂家也 是屈指可数，且售价非常昂贵，迫于国内高功率发射机发展的需要，同时也为发展我们自己 的民族通信业，进行超高功率共址滤波器的研制就势在必行，以创新技术来填补这项国内 空白。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种30腿z-90腿z 100W超高功率共址滤波器，这种 带通滤波器，可以克服上述现有技术的缺陷和不足，能够为发展壮大我们自己的民族通信 业闯出一条路来。 本实用新型的目的可以通过以下措施来实现 —种30腿z-90腿z 100W超高功率共址滤波器，是由一个螺旋主谐振线圈、两个阻 抗匹配器、一个PIN开关二极管电容混合阵列电路、一个高压驱动电路、一组高频扼流圈及 去耦电路、一个数字控制电路组成。所述的两个阻抗匹配器作为螺旋主谐振线圈的输入、输 出分别与螺旋主谐振线圈输入端和输出端电连接；所述的数字控制电路与高压驱动电路电 连接，高压驱动电路与高频扼流圈及去耦电路电连接，高频扼流圈及去耦电路与PIN开关 二极管电容混合阵列电路电连接。所述的连接PIN开关二极管电容混合阵列电路与高压驱 动电路的交流扼流圈，由尺寸为18mm*15mm*3mm白色聚四氟乙烯板做骨架，小O. 2mm的漆包 线紧贴聚四氟乙烯骨架分别绕制成57士1圈，47士1圈，37士1圈制成；所述的螺旋主谐振线 圈与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接组合成滤波器谐振电路。所述的PIN开关二 极管电容混合阵列电路中的开关二极管采用耐压高、内阻小的开关二极管，二极管紧贴外 壳焊接，PIN开关二极管型号为MA4P7470F-1072T、 MA4P4006两种；所述的高压驱动电路选 用耐高压及工作速度快的CMOS三极管，PIN管三极管型号为STD2NK100Z ;所述的数字控制 电路的核心采用低功耗低电压集成电路3. 3V存储器SST39VF400A。 采取上述措施的30腿z-90腿z IOOW超高功率共址滤波器，可以有效滤除无用的 发射杂波频率，并防止其它发射机的无线干扰信号进入本地发射机。较之其它滤波器，本 实用新型具有输入功率大、插损好、抑制度高等特点；加之它的PCB的优化布局工艺，达到 了良好的散热效果，从而具有很好的性能稳定性，能长时间工作不损坏；具有优良的滤波效 果，能在大功率工作环境下散热快，保持长时间的工作稳定度，打破了国内技术上不可能逾越的谣传。上述将会给中国大功率跳频电台带来新的希望。若大批量投入跳频电台生产中， 将为中国民用通信事业和国防事业添光加彩。
图1是本实用新型的结构示意方框图； 图2是本实用新型的原理图。
具体实施例 结合附图对本实用新型进行进一步的描述 根据附图l可以看出，本实用新型的30腿z-90腿z IOOW超高功率共址滤波器，由 一个螺旋主谐振线圈1、两个阻抗匹配器2、一个PIN开关二极管电容混合阵列电路3、一个 高压驱动电路4、一组高频扼流圈及去耦电路5、一个数字控制电路6组成，两个阻抗匹配器 2作为螺旋主谐振线圈1的输入、输出分别与螺旋主谐振线圈1输入端和输出端电连接，数 字控制电路6与高压驱动电路4电连接，高压驱动电路4与高频扼流圈及去耦电路5电连 接，高频扼流圈及去耦电路5与PIN开关二极管电容混合阵列电路3电连接。本实用新型的30MHz-90MHz IOOW超高功率共址滤波器，采用四层走线的PCB板设 计，板框大小为73mm*64. 5mm。顶层三极管STD2NK100Z采用上七中七下六排列方式，底层三 极管STD2NK100Z采用上七下三的排列方式，减小了本实用新型的共址滤波器体积。 根据附图2可以看出本实用新型的30腿z-90腿z 100W超高功率共址滤波器原 理特性及所选用元件的型号和标称值；数字控制电路核心SST39VF400A存储器提供数字 控制信号，给MC33174比较放大，控制由三极管STD2NK100Z组成的高压驱动电路，与地、 PIN管MA4P7470F-1072T、扼流圈组成直流通路；同时打通PIN管电容阵列交流通路，控制 30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器的频率跳变。 根据附图，继续详细描述如下 第一，本30腿z-90腿z IOOW超高功率共址滤波器主振电路采用的螺旋结构的具 体情况为a.主振体螺旋线圈运用紫铜为实体。 b.外表镀银处理以减小谐振线圈损耗。 第二，本30腿z-90腿z 100W超高功率共址滤波器主谐振体分为两段，中间抽头通 过M3承8mm铜柱接地，两端与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接，组成了 30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器的主谐振电路。 第三，PIN开关二极管电容混合阵列电路与高压驱动电路连接之交流扼流圈，由尺 寸为18mm*15mm*3mm白色聚四氟乙烯板做成骨架，小O. 2mm的漆包线紧贴聚四氟乙烯骨架 分别绕制成57士1圈，47士1圈，37士1圈，其作用是隔交流，使数字部分与模拟部分隔离，保 护电路稳定。 第四，PIN开关二极管电容混合阵列电路中的开关二极管采用耐压高、内阻小的 开关二极管，此二极管焊接时紧贴外壳；驱动电路选材为耐高压及工作速度快的CMOS三极 管。PIN开关二极管型号MA4P7470F-1072T、MA4P4006两种，PIN管三极管型号STD2NK100Z。第五，数字控制部分的核心是低功耗低电压集成电路3. 3V存储器SST39VF400A。 实施本实用新型，通过采用新的模块化电路结构设计思路，将螺旋谐振线圈、两个阻抗匹配器、PIN开关二极管电容混合阵列电路、高频扼流圈及高压驱动的模拟电路部分和 数字控制电路板分别设置在不同的密闭金属外壳腔体中，模拟电路部分和数字控制电路板 只通过扼流圈连接。这既防止了内部电子元件之间的相互电磁干扰，又解决了本共址滤波 器的空间问题。 本实用新型实例采用螺旋式双调谐回路，配有耐压高、内阻小的开关二极管电容 阵列电路，以及高性能的高压驱动器，实现30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器的高性 能指标。具体技术指标3dB相对带宽保持在信号中心频率的8.0 10.0(X);输入射频功 率《50dBm，最大+51dBm ;插入损耗《1.3dB，偏离F0-10^处衰减大于13dB，偏离F0+10% 处衰减大于15dB，远端抑制2Fo处> 55dB允许10%的点> 50dB，带内波动《0. 5dB，输入 输出驻波比《1. 5，矩形系数(F30dB/F3dB):《7，跳频速率《30"。 以上所述是本实用新型的优选实施方式而已，当然不能以此来限定本实用新型之 权利范围，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前 提下，还可以做出若干改进和变动，这些改进和变动也视为本实用新型的保护范围。
权利要求30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的30MHz-90MHz100W超高功率共址滤波器由一个螺旋主谐振线圈、两个阻抗匹配器、一个PIN开关二极管电容混合阵列电路、一个高压驱动电路、一组高频扼流圈及去耦电路、一个数字控制电路组成，两个阻抗匹配器作为螺旋主谐振线圈的输入、输出分别与螺旋主谐振线圈输入端和输出端电连接，数字控制电路与高压驱动电路电连接，高压驱动电路与高频扼流圈及去耦电路电连接，高频扼流圈及去耦电路与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接。
2. 根据权利要求1所述30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的 连接PIN开关二极管电容混合阵列电路与高压驱动电路的交流扼流圈，由聚四氟乙烯板做 骨架，小0.2mm的漆包线紧贴聚四氟乙烯骨架分别绕制成57士l圈、47士1圈或37士1圈中 一种制成。
3. 根据权利要求1所述30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的 螺旋主谐振线圈与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接组合成滤波器谐振电路。
4. 根据权利要求1所述30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的 PIN开关二极管电容混合阵列电路中的开关二极管采用耐压高、内阻小的开关二极管，二极 管紧贴外壳焊接，PIN开关二极管型号为MA4P7470F-1072T、MA4P4006两种。
5. 根据权利要求1所述30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的 高压驱动电路选用耐高压及工作速度快的CMOS三极管，PIN管三极管型号为STD2NK100Z。
6. 根据权利要求1所述30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于所述的 数字控制电路的核心采用低功耗低电压集成电路3. 3V存储器SST39VF400A。
专利摘要本实用新型涉及一种滤波器，特别是一种用于电子通信领域抗干扰通信的30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，由一个螺旋主谐振线圈、两个阻抗匹配器、一个PIN开关二极管电容混合阵列电路、一个高压驱动电路、一组高频扼流圈及去耦电路、一个数字控制电路组成。采取上述措施的30MHz-90MHz 100W超高功率共址滤波器，可以有效滤除无用的发射杂波频率，并防止其它发射机的无线干扰信号进入本地发射机。
文档编号H03H17/00GK201490988SQ20092020480
公开日2010年5月26日 申请日期2009年9月9日 优先权日2009年9月9日
发明者朱辉 申请人:朱辉