专利名称：多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，尤指一种 利用阻抗逆变(Impedance inverting)原理，使射频功率放大器的高、中、低功率放大单元 关闭时不具负载效应，借以省去切换用功率开关的使用，进而降低制造成本。
技术背景按待机与通话时间的长短一向是手机等行动装置所强调的主要效能之一，为有效 延长手机的通话及待机时间，许多技术被相继地提出，而提高射频功率放大器的效率为其 中一种开发方向，如第六图所示，是提高射频功率放大器工作效率的其中一种已知技术方 案，主要是利用一直流对直流(DC/DC)转换器71(LM3205)供应并改变射频功率放大器70 的工作电源(VCC)，以提高该射频功率放大器70的工作效率。尽管前述技术方案确属可行，但其缺点在于制造成本相对提高。原因在于必须使 用额外的芯片(DC/DC)及uH级的电感方能实现，故就成本层面考量，即难称周延。又如图7所示，其揭露有又一提高射频功率放大器工作效率的技术方案，主要是 由多个放大器AMPl AMP4、两个功率开关Si，S2分别组成一高功率放大单元81、一中功率 放大单元82及一低功率放大单元83 ；该等高、中、低功率放大单元81 83是以并联形式 连接在一射频输入端(RFIN)与一射频输出端(RFOUT)之间；其中该高功率放大单元81是由两放大器AMP1、AMP2串接组成，该中功率放大单元82 是由一放大器AMP3、一匹配电路84及一功率开关Sl串接组成；该低功率放大单元83亦由 一放大器AMP4、一匹配电路85及一功率开关S2串接组成；由于各功率放大单元的放大器 AMPl AMP4的晶体管颗数(m = 2，40，8，l)不同，因此射频信号通过不同的功率放大单元， 将执行不同大小的功率放大处理，借此可使射频功率放大器依需求选择执行不同的功率放 大单元，以提高其工作效率。而前述高、中、低功率放大单元81 83之间的切换是通过控制其放大器AMPl AMP4的偏压(BIAS)及功率开关Si，S2的切换来达成。但前述已知方案仍存在缺点1功率开关造成功率损耗当中、低功率放大单元82，83分别执行时，射频信号在 通过功率开关Si，S2时将造成额外的功率损失。2.需要特殊的BiFET制程由于放大器AMPl AMP4是由HBT制程实现，功率开 关Sl，S2则由PHEMT制程实现，换言之，此一技术方案的实现必须整合HBT制程与PHEMT制 程或使用额外的功率开关芯片方能达成，惟将提高制程技术难度与生产成本。再如图8所示，揭露另一种技术方案，其与前一技术方案相近，主要是由多个放大 器AMPl AMP3、一个功率开关S分别组成一高功率放大单元91及一低功率放大单元92 ； 其中该高功率放大单元91是由两放大器AMP1、AMP2串接组成，后端放大器AMP的输出端 是和一匹配电路90连接，又低功率放大单元92是和高功率放大单元91并联，其由一放大 器AMP3、一 λ /4的传输线93及一功率开关S组成；其中功率开关S是连接于传输线93的 输入节点与接地端之间，借以控制该传输线93是否产生阻抗逆变作用。[0010]前述技术方案的工作原理是在高功率放大单元91工作，而低功率放大单元92关闭时，该功率开关S将导通而使传输线93输入节点接地，如此一来，传输线93将产生阻抗 逆变，而在传输线93的输出节点上产生高阻抗，由于高功率放大单元91工作时，其输出端 是利用匹配电路90匹配成低阻抗节点，当传输线93输出节点呈高阻抗，则不影响高功率放 大单元91的输出；若高功率放大单元91关闭，而低功率放大单元92工作时，则功率开关S 关闭，传输线93即作为传输信号之用。根据前述技术方案亦可令射频功率放大器切换执行高、低功率放大，以提高工作 效率，但其与前一技术方案存在相同的缺点，即射频信号通过功率开关时产生额外功率损 失，及必须采用BiFET制程或使用额外芯片，使制造成本因而提高。由上述可知，既有提高射频功率放大器工作效率的技术手段尽管可行，却共同存 在制程技术难度及成本偏高等问题，故有待进一步检讨，并谋求可行的解决方案。
发明内容因此，本实用新型主要目的在提供一种多模态无负载效应的射频功率放大器控制 电路，其无须使用功率开关，即可达成切换执行的目的，进而有效控制制造成本。为达成前述目的采取的主要技术手段是令前述射频功率放大器控制电路包括 有一阻抗匹配电路，具有一输入端及一输出端，其输出端是作为一射频输出端；一高功率放大单元，是由一个以上的放大器组成，又高功率放大单元的输出端是 和前述阻抗匹配电路的输入端连接；一中功率放大单元，是和前述高功率放大单元并联，所述中功率放大单元包含一 个放大器；一第一阻抗逆变单元，具有一输入端及一输出端，其输入端是和中功率放大单元 连接，其输出端是和阻抗匹配电路的输入端连接；一低功率放大单元，是和前述高、中功率放大单元并联，所述低功率放大单元包含 一个放大器；一第二阻抗逆变单元，具有一输入端及一输出端，其输入端是和低功率放大单元 连接，其输出端是和第一阻抗逆变单元的输入端连接；前述控制电路使用时，是在阻抗匹配电路的输出端与接地端间连接一电阻，以便 使阻抗匹配电路的输入端成为低阻抗节点；又前述控制电路操作在高功率放大模式时，高功率放大单元开启，中、低功率放大 单元关闭，此时第一、第二阻抗逆变单元将产生阻抗逆变作用，使中、低功率放大单元输出 端无负载效应，进而令阻抗匹配电路输入端的低阻抗节点不受影响；当前述控制电路操作在中功率放大模式时，高功率放大单元关闭，中、低功率放大 单元同时工作，并通过第一、第二阻抗逆变单元、阻抗匹配电路传送信号，在此状况下，高功 率放大单元的输出端无负载效应；俟前述控制电路操作在低功率放大模式时，高、中功率放大单元关闭，仅低功率放 大单元工作，其通过第二阻抗逆变单元、阻抗匹配电路传送信号，而在第一阻抗逆变单元作 用下，高、中功率放大单元的输出端无负载效应；[0025]由上述可知，本实用新型是在高、中、低功率放大单元之间连接有第一、第二阻抗 逆变单元，利用第一、第二阻抗逆变单元的阻抗逆变作用，使功率放大单元关闭时其输出端 不产生负载效应，借此可省去切换用的功率开关，进而避免采用BiFET制程的困扰，并有效 降低制造成本。所述的高功率放大单元主要是由两放大器AMP 11，AMP 12依序串接组成，后端的 放大器AMP 12输出端是与阻抗匹配电路的输入端连接。所述的高功率放大单元在两放大器AMP 11，AMP 12之间串接有一延迟线，又前端 放大器AMP 11输出端进一步连接一放大器AMP 13，该放大器AMP13输出端通过一第三阻抗 逆变单元与阻抗匹配电路的输入端连接。所述的放大器AMP13的晶体管颗数少于放大器AMP12所述的第一、第二阻抗逆变单元是分别由一 λ /4的传输线所构成。所述的第三阻抗逆变单元是由一 λ /4的传输线所构成。所述的中功率放大单元是由一放大器ΑΜΡ2构成，其输入端通过一延迟线与一射 频输入端连接。所述的低功率放大单元是由两并联的放大器ΑΜΡ3，ΑΜΡ4组成，该放大器ΑΜΡ4的晶 体管颗数少于另一放大器ΑΜΡ3。所述的第一、第二阻抗逆变单元是分别由一 λ /4的传输线所构成。所述的第三阻抗逆变单元是由一 λ /4的传输线所构成。
图1是本实用新型第一较佳实施例的电路图；图2是本实用新型第二较佳实施例的电路图；图3是本实用新型第三较佳实施例的电路图；图4是本实用新型第四较佳实施例的电路图；图5是本实用新型第一至第四较佳实施例所揭示第一至第三阻抗逆变单元的电 路图；图6是一种已知射频功率放大器控制电路的电路图；图7是又一种已知射频功率放大器控制电路的电路图；以及图8是再一种已知射频功率放大器控制电路的电路图。
具体实施方式
以下配合图式和本实用新型的较佳实施例，进一步阐述本实用新型为达成预定实 用新型目的所采取的技术手段。关于本实用新型第一较佳实施例的电路构造，是如图1所示，主要是由一高功率 放大单元10、一中功率放大单元11、一低功率放大单元12、一阻抗匹配电路13、一第一阻抗 逆变单元14及一第二阻抗逆变单元15等组成；其中该阻抗匹配电路13是连接于高功率放大单元10的输出端与一射频输出端 (RFOUT)之间，在使用时，该射频输出端上连接有一50欧姆的电阻，通过阻抗匹配电路13的 匹配使其输入端构成一低阻抗(例如2欧姆)节点。[0046]该高功率放大单元10是由一个以上的放大器组成，在本实施例中，其含有两个放 大器AMP11、AMP12，其中后端放大器AMP12的输出端是和阻抗匹配电路13的输入端连接， 前端放大器AMPll的输入端则与一射频输入端(RFIN)连接；又中功率放大单元11含有一个放大器AMP2，具有一输入端及一输出端，其输出端 是通过第一阻抗逆变单元14与阻抗匹配电路13的输入端连接，与高功率放大单元10呈现 并联状态；在本实施例中，该第一阻抗逆变单元14是由一 λ/4的传输线所构成，其具有一 输入端及一输出端，其输入端是和中功率放大单元11的输出端连接，第一阻抗逆变单元14 的输出端则连接至阻抗匹配电路13的输入端；在本实施例中，该中功率放大单元11进一步 包括一延迟线111，该延迟线111的一端连接至放大器ΑΜΡ2的输入端，另端则与一射频输入 端(RFIN)连接，该延迟线111的作用容后详述；再者，该低功率放大单元12含有一个放大器ΑΜΡ3，其输入端仍与射频输入端 (RFIN)连接，其输出端则通过第二阻抗逆变单元15与第一阻抗逆变单元14的输入端连接， 与高功率放大单元10呈现并联状态；在本实施例中，该第二阻抗逆变单元15是由一 λ /4 的传输线所构成，其具有一输入端及一输出端，其输入端是和低功率放大单元12的输出端 连接，其输出端是连接至第一阻抗逆变单元14的输入端。由上述说明可了解本实用新型第一较佳实施例的详细构造，至于其工作原理详如 以下所述如前揭所述，前述射频功率放大器使用时，其射频输出端(RFOUT)上设有一电阻， 该电阻一般为50欧姆，而使阻抗匹配电路13的输入端构成一低阻抗(如2欧姆)节点。而前述控制电路操作在高功率放大模式时，高功率放大单元10的两放大器 AMPlU AMP12工作，中、低功率放大单元11，12的放大器ΑΜΡ2、ΑΜΡ3则关闭，又阻抗匹配电 路13的输入端为低阻抗(ZlA)，故射频功率放大器是工作在高功率放大模式(HIGH POWER MODE)；又低功率放大单元12的放大器AMP3关闭，其输出端呈高阻抗(Z3A)，经过第二阻抗 逆变单元15产生阻抗逆变，遂在第二阻抗逆变单元15的输出端产生低阻抗(Z2B)，再者，中 功率放大单元11的放大器AMP2亦关闭，其输出端呈高阻抗，因此第一阻抗逆变单元14的 输入端信号是由第二阻抗逆变单元15的低阻抗输出端(Z2B)决定，不受放大器AMP2输出 端的高阻抗影响，从而第一阻抗逆变单元14因输入端为低阻抗，故使输出端逆变为高阻抗 (ZlB)，而ZlB恒大于Z1A，故不影响高功率放大单元10的输出。前述控制电路操作在低功率放大模式时，低功率放大单元12的放大器AMP3工作， 高功率放大单元10的放大器AMPll、AMP12均关闭，又放大器AMP12输出端呈高阻抗，而无 负载效应；又中功率放大单元11的放大器AMP2亦关闭，其输出端呈高阻抗，也无负载效应； 由于阻抗匹配电路13的阻抗匹配作用，故其输入端ZlA仍为低阻抗，而经由第一阻抗逆变 单元14产生阻抗逆变，在第一阻抗逆变单元14的输入端形成相对高阻抗(Z2A)，再经第二 阻抗逆变单元15产生阻抗逆变，而在第二阻抗逆变单元15的输入端形成高阻抗(Z3A)，其 中Z3A = (Z0_TL2)2/Z2AZ0_TL2 =第二阻抗逆变单元14的阻抗由于Z3A (100欧姆)恒大于ZlA (2欧姆)，且Z3A又大于Z2A (25欧姆)，故放大器 AMP3是在低电流操作模式下执行低功率放大。[0056]若前述控制电路操作在中功率放大模式时，则中、低功率放大单元11，12的放大 器AMP2、AMP3同时工作，高功率放大单元10的放大器AMP11、AMP12均关闭，又放大器AMP12 输出端呈高阻抗，而无负载效应；由于阻抗匹配电路13的阻抗匹配作用，故其输入端ZlA仍 为低阻抗，而经由第一阻抗逆变单元14产生阻抗逆变，在第一阻抗逆变单元14的输入端形 成相对高阻抗(Z2A)，从而构成中、低功率放大单元11，12的放大器AMP2、AMP3的负载，其 中当 ZlA = 2 欧姆 Z2A = 25 欧姆第一阻抗逆变单元14的阻抗Z0_TL1 = (Z1A*Z2A) 0. 5又中、低功率放大单元11，12的放大器AMP2、AMP3的负载阻抗=Z2A = 25欧姆， 假设放大器AMP2、AMP3的晶体管颗数相同(m2 = m3)，则(AMP2RL) // (AMP3RL) = Z2A而(AMP2RL)= (AMP3RL) = 2*Z2A = 50 欧姆由于放大器AMP2、AMP3的负载阻抗=Z2A = 25欧姆，故中、低功率放大单元11， 12是在低电流操作模式下执行中功率放大。再者，中、低功率放大单元11，12同时工作，而低功率放大单元12的放大器AMP3 是通过第二阻抗逆变单元15传送射频信号至第一阻抗逆变单元14，中功率放大单元11的 放大器AMP2则直接传送射频信号至第一阻抗逆变单元14，为避免造成时间差，中功率放大 单元11的放大器AMP2输入端设有一延迟线111，借以平衡信号传送时间。又如第二图所示，是本实用新型第二较佳实施例的电路构造，主要仍由一高功率 放大单元10、一中功率放大单元11、一低功率放大单元12A、一阻抗匹配电路13、一第一阻 抗逆变单元14及一第二阻抗逆变单元15等组成；主要构造与第一实施例大致相同，不同处 在于该低功率放大单元12A进一步包含一放大器AMP4，该放大器AMP4是和原有的放大器 AMP3并联，而该放大器AMP4的晶体管颗数少于放大器AMP3工作原理方面，高功率放大模式是第一实施例相同，而低功率放大模式时，高、中 功率放大单元10，11的放大器AMP11、AMP12、AMP2及低功率放大单元12的放大器AMP3均 关闭，仅低功率放大单元12新增的放大器AMP4工作，高功率放大单元10的放大器AMP11、 AMP12均关闭，又放大器AMP12输出端呈高阻抗，而无负载效应；又中功率放大单元11的放 大器AMP2关闭，其输出端呈高阻抗，亦无负载效应；由于阻抗匹配电路13的阻抗匹配作用， 故其输入端ZlA仍为低阻抗，经由第一阻抗逆变单元14产生阻抗逆变，在第一阻抗逆变单 元14的输入端形成相对高阻抗(Z2A)，再经第二阻抗逆变单元15产生阻抗逆变，而在第二 阻抗逆变单元15的输入端形成高阻抗(Z3A)，由于Z3A(100欧姆)恒大于ZlA(2欧姆)， Z3A大于Z2A(25欧姆)，且放大器AMP4的晶体管颗数(m3 > m4)又少于放大器AMP3，故放 大器AMP4是在低电流操作模式下执行低功率放大。而在中功率放大模式时，中、低功率放大单元11，12同时工作，但低功率放大单元 12的放大器AMP4关闭，仅放大器AMP3工作，而中、低功率放大单元11，12的放大器AMP2、 AMP3是在低电流操作模式下执行低功率放大。再如第三图所示，是本实用新型第三较佳实施例的电路构造，主要仍由一高功率 放大单元10A、一中功率放大单元11、一低功率放大单元12、一阻抗匹配电路13、一第一阻 抗逆变单元14、一第二阻抗逆变单元15及一第三阻抗逆变单元16等组成；其与第一实施例不同处在于该高功率放大单元IOA进一步包含一延迟线101及一放大器AMP13，该延迟 线101是串接于原有的两放大器AMP11、AMP12之间，又新增的放大器AMP13具有一输入端 及一输出端，其输入端是连接至放大器AMPll的输出端，该放大器AMP13的输出端则通过第 三阻抗逆变单元16与阻抗匹配电路13的输入端连接，又第二阻抗逆变单元15的输出端是 连接至第三阻抗逆变单元16的输入端。
前述控制电路操作在高功率放大模式时，高功率放大单元IOA的放大器AMP11、 AMP12、AMP13工作，但中、低功率放大单元1112的放大器AMP2、AMP3均关闭，又阻抗匹配电 路13的输入端为低阻抗(ZlA)，故射频功率放大器是工作在高功率放大模式(HIGH POWER MODE)；又低功率放大单元12的放大器AMP3关闭，其输出端呈高阻抗(Z3A)，经过第二阻抗 逆变单元15、第一阻抗逆变单元14依序，而在第一阻抗逆变单元14的输出端产生高阻抗 (ZlD)，亦无负载效应。又当高功率放大单元10A)的放大器AMP12、AMP13的晶体管颗数相同(ml2 = ml3) 时，第三阻抗逆变单元16的阻抗Z0_TL3 = 2Z1A = 4欧姆。前述控制电路操作在低功率放大模式时，低功率放大单元12的放大器AMP3工作， 高功率放大单元IOA的放大器AMP11、AMP12、AMP13及中功率放大单元11的放大器AMP2均 关闭，放大器AMP2、AMP12输出端呈高阻抗，亦无负载效应；而低功率放大单元12的放大器 AMP3工作，由于阻抗匹配电路13的阻抗匹配作用，故其输入端ZlA仍为低阻抗，而经由第三 阻抗逆变单元16产生阻抗逆变，在第三阻抗逆变单元16的输入端形成相对高阻抗(Z1C， ZlC = (Z0_TL3) 2/Z1A)，又经第一阻抗逆变单元14产生阻抗逆变，而在第一阻抗逆变单元 14的输入端形成高阻抗(Z2A，Z2A= (Z0_TL1)2/Z1C)，最后由第二阻抗逆变单元15产生阻 抗逆变，而在第二阻抗逆变单元15的输入端形成高阻抗(Z3A，Z3A = (Z0_TL2)2/Z2A)，由 于Z3A (100欧姆)恒大于ZlA (2欧姆)，且Z3A又大于Z2A (25欧姆)，故放大器AMP3是在 低电流操作模式下执行低功率放大。若前述控制电路操作在中功率放大模式时，则中、低功率放大单元11，12的放大 器AMP2、AMP3同时工作，高功率放大单元IOA的放大器AMP11、AMP12、AMP13均关闭，又放 大器AMP12输出端呈高阻抗，而无负载效应；由于阻抗匹配电路13的阻抗匹配作用，故其输 入端Z IA仍为低阻抗，而经由第三阻抗逆变单元16产生阻抗逆变，在第三阻抗逆变单元16 的输入端形成相对高阻抗(Z1C，Z1C= (Z0_TL3)2/Z1A)，由于中功率放大模式，故Z2A恒大 于Z1A，又中、低功率放大单元11，12的放大器AMP2、AMP3的负载阻抗=Z2A = 25欧姆，假 设放大器AMP2、AMP3的晶体管颗数相同(m2 = m3)，则(AMP2RL) // (AMP3RL) = Z2A而(AMP2RL)= (AMP3RL) = 2*Z2A = 50 欧姆由于放大器AMP2、AMP3的负载阻抗=Z2A = 25欧姆，故中、低功率放大单元11， 12是在低电流操作模式下执行中功率放大。另如第四图所示，是本实用新型第四较佳实施例的电路构造，基本上为前述第二、 第三实施例的组合，主要是由一高功率放大单元10A、一中功率放大单元11、一低功率放大 单元12A、一阻抗匹配电路13、一第一阻抗逆变单元14、一第二阻抗逆变单元15及一第三 阻抗逆变单元16等组成；其中，该低功率放大单元12A与第二实施例的低功率放大单元12 相同，进一步包含一放大器AMP4，该放大器AMP4是和原有的放大器AMP3并联，而该放大器AMP4的晶体管颗数少于放大器AMP3。该高功率放大单元IOA则与第三实施例的高功率放大单元IOA相同。另前述各实施例中的第一至第三阻抗逆变单元14，15，16除可分别由λ /4的传输 线构成外，亦可由第五图所示的LC电路构成。以上所述仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的 限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉 本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内 容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内 容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍 属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求一种多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于包括有一阻抗匹配电路，具有一输入端及一输出端，其输出端是作为一射频输出端；一高功率放大单元，是由一个以上的放大器组成，又高功率放大单元的输出端是与前述阻抗匹配电路的输入端连接；一中功率放大单元，是与前述高功率放大单元并联，所述中功率放大单元包含一个放大器；一第一阻抗逆变单元，具有一输入端及一输出端，其输入端是与中功率放大单元连接，其输出端是与阻抗匹配电路的输入端连接；一低功率放大单元，是与前述高、中功率放大单元并联，所述低功率放大单元包含一个放大器；一第二阻抗逆变单元，具有一输入端及一输出端，其输入端是与低功率放大单元连接，其输出端是与第一阻抗逆变单元的输入端连接。
2.根据权利要求1所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该高功率放大单元主要是由两放大器AMP11，AMP12依序串接组成，后端的放大器AMP12输 出端是与阻抗匹配电路的输入端连接。
3.根据权利要求2所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该高功率放大单元在两放大器AMPll，AMP12之间串接有一延迟线，又前端放大器AMPll输 出端进一步连接一放大器AMP13，该放大器AMP13输出端通过一第三阻抗逆变单元与阻抗 匹配电路的输入端连接。
4.根据权利要求3所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该放大器AMP13的晶体管颗数少于放大器AMP12。
5.根据权利要求1至4中任一项所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路， 其特征在于，该第一、第二阻抗逆变单元是分别由一 λ/4的传输线所构成。
6.根据权利要求5所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该第三阻抗逆变单元是由一 λ/4的传输线所构成。
7.根据权利要求1至4中任一权利要求所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制 电路，其特征在于，该中功率放大单元是由一放大器ΑΜΡ2构成，其输入端通过一延迟线与 一射频输入端连接。
8.根据权利要求1至4中任一权利要求所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制 电路，其特征在于，该低功率放大单元是由两并联的放大器ΑΜΡ3，ΑΜΡ4组成，该放大器ΑΜΡ4 的晶体管颗数少于另一放大器ΑΜΡ3。
9.根据权利要求7所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该第一、第二阻抗逆变单元是分别由一 λ/4的传输线所构成。
10.根据权利要求9所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该第三阻抗逆变单元是由一 λ/4的传输线所构成。
11.根据权利要求8所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在于， 该第一、第二阻抗逆变单元是分别由一 λ/4的传输线所构成。
12.根据权利要求11所述多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，其特征在 于，该第三阻抗逆变单元是由一 λ/4的传输线所构成。
专利摘要本实用新型是关于一种多模态无负载效应的射频功率放大器控制电路，主要是通过切换控制使数个放大器分别构成一高功率放大单元、一中功率放大单元及一低功率放大单元，该高、中、低功率放大单元之间分别通过一阻抗逆变单元相互连接，而在高、中、低功率放大单元分别工作时，利用阻抗逆变单元产生的阻抗逆变作用，使未工作的功率放大单元不具负载效应，借此可省去以不同制程制造的功率开关进行切换，有效降低制造成本。
文档编号H03F3/189GK201708768SQ201020189558
公开日2011年1月12日 申请日期2010年4月28日 优先权日2010年4月28日
发明者彭天云, 王文斌, 陈智圣, 黄韦渊 申请人:华新科技股份有限公司