专利名称：一种双通道150w音频功率放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及音频功率放大电路技术领域，特别是涉及ー种双通道150W音频功率放大电路。
背景技术：
音频功率放大器，简称音频功放，俗称“扩音机”，是音响系统中最基本的设备，它的任务是把来自信号源的微弱电信号进行放大以驱动扬声器发出声音。ー套良好的音响系统，音频功放的作用功不可没。由于考虑到功率、阻抗、失真、动态以及不同的使用范围和控制调节功能，不同的 功放在内部的信号处理、线路设计和生产エ艺上也各不相同。现有技术的音频功率放大器多为单电压供电，而对于大功率输出的电路，单电压供电电路的功率损耗较大，不能满足大部分的使用条件的要求。
发明内容本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种双通道150W音频功率放大电路，该双通道150W音频功率放大电路可减小大功率输出时的功率损耗，提高电路的工作效率。本实用新型的目的通过以下技术方案实现。提供一种双通道150W音频功率放大电路，包括第一通道电路单元和第二通道电路单元，第一通道电路单元和第二通道电路单元的电路结构相同，第一通道电路单元的输出端和第二通道电路单元的输出端连接有高低压电源自动切换电路，高低压电源自动切换电路包括高压电源通道接ロ、低压电源通道接ロ、外部高压电源接ロ和外部低压电源接ロ，第一通道电路单元的输出管、第二通道电路单元的输出管直接与低压电源通道接ロ连接，外部低压电源接ロ与外部低压电源连接，低压电源通道接ロ通过开关管电路与高压电源通道接ロ连接，外部高压电源接ロ与外部高压电源连接。优选的，负半周高低压电源通道包括电阻R20、电阻R40、电阻R38、电阻R21、电容C8、三极管Q21、场效应管Q16、ニ极管D11、ニ极管D13和ニ极管D20，电阻R40—端与ニ极管Dll正极、ニ极管D13正极连接电阻R40另一端与电阻R20 —端、三极管Q21基极、电容C8一端连接，电阻R20另一端与三极管Q21发射极、接ロ 4连接，电容C8另一端与三极管Q21集电极、电阻R38 —端连接，电阻R38另一端与电阻R21 —端、场效应管Q16的栅极连接，电阻R21另一端与场效应管Q16的漏极、外部高压电源接ロ 6连接，场效应管Q16的源极与ニ极管D20正极连接，ニ极管D20负极与负半周低压电源通道接ロ连接；正半周高低压电源通道包括电阻R39、电阻R19、电阻R37、电阻R18、电阻R41、电阻R42、电容C7、三极管Q11、三极管Q19、场效应管Q24、ニ极管D9、ニ极管D12和ニ极管D21，电阻R39 —端与ニ极管D9、ニ极管D12负极连接，电阻R39另一端与电阻R19 —端、三极管Qll基板、电容C7 —端连接，电阻R19另一端与三极管Qll发射极、接ロ 3连接，电容C7另一端与三极管Qll集电极、电阻R37 —端连接，电阻R37另一端与三极管Q19基极连接，三极管Q19发射极与电阻R41、电阻R42 —端连接，电阻R41另一端、电阻R42另一端与场效应管Q24源极、外部高压电源接ロ连接，场效应管Q24栅极与三极管Q19集电极、电阻R18 —端连接，电阻R18另一端与场效应管Q24漏极、ニ极管D21负极连接，ニ极管D21正极与正半周低压电源通道接ロ连接；ニ极管D9的正极与第二通道电路单元的正半周输出端连接，ニ极管管D12的正极与第一通道电路单元的正半周输出端连接； ニ极管Dll的负极与第二通道电路单元的负半周输出端连接，ニ极管管D13的负极与第一通道电路单元的负半周输出端连接。另ー优选的，第一通道电路单元包括差动放大电路、电压放大和温度补偿电路、电流放大电路、输入保护电路和有源负载电路；差动放大电路包括芯片Q4 ；电压放大和温度补偿电路包括电阻R2、电阻R12、电阻R14、电阻R16、电容C2、三极管Q2和三极管Q18 ；输入保护电路包括电阻R8、电阻RlO、电阻R9、电阻R11、电阻R32、电容C5、电容C6、ニ极管D5、ニ极管D7、ニ极管D15、ニ极管D14、ニ极管D18、ニ极管D19、三极管Q13和三极管Q22 ；电流放大电路包括电阻R26、电阻R29、电阻R282、电阻R30、三极管Q12、三极管Q23、场效应管Q15和场效应管Q16 ；有源负载电路包括电阻R22、电阻R24、电阻R36、ニ极管D6、三极管Q7和三极管Q8 ο更优选的，芯片Q4的I脚和2脚与音频信号17、音频信号18连接。进ー步的，芯片Q4的3脚与电阻R2 —端、电阻R12 —端连接，芯片Q4的4脚与电阻R12另一端、三极管Q2基板、电容C2 —端连接，电阻R2另一端与三极管Q2发射极连接，电容C2另一端与三极管Q2集电极、电阻R14 —端、三极管Q18集电极连接，电阻R14另ー端与电阻R16 —端、三极管Q18基极连接，电阻R16另一端与三极管Q18发射极连接。进ー步的，ニ极管D5负极与三极管Q18集电极连接，ニ极管D5正极与ニ极管D14正极连接，ニ极管D14负极与三极管Q13集电极连接，三极管Q13基极与电阻RlO —端、电容C5 —端、电阻R34 —端、ニ极管D18正极、电阻R8 —端连接，电阻R8另一端与ニ极管D12正极连接，三极管Q13的发射极与电阻RlO另一端、电容C5另一端、接ロ 22、三极管Q22的发射极、电阻Rll —端、电容C6 —端连接，三极管Q22的基极与电阻Rll另一端、电容C6另一端、电阻R34另一端、ニ极管D19负极、电阻R9 —端连接，电阻R9另一端与ニ极管D13负极连接，三极管Q22集电极与ニ极管D15正极连接，ニ极管D15负极与ニ极管D7负极连接，ニ极管D18负极、ニ极管D19负极与电阻R32 —端连接，电阻R32另一端与接ロ 20连接。进ー步的，三极管Q12的基极与ニ极管D5的负极连接，三极管Q12的发射极与电阻R26 —端、电阻R29 —端连接，电阻R26另一端与场效应管Q15的栅极连接，电阻R29另一端与场效应管Q15的源极、ニ极管D12正极连接；场效应管Q16的漏极与ニ极管D13负极、三极管Q23的发射极连接，场效应管Q16的栅极与电阻R282 —端连接，电阻R282另一端与电阻R30 —端、三极管Q23发射极连接，电阻R30另一端与三极管Q16源极连接，三极管Q23基极与ニ极管D7正极连接。进一步的,ニ极管D6负极与三极管Q18的发射极连接,ニ极管D6正极与三极管Q7的集电极、ニ极管D7正极连接，三极管Q7的基极与电阻R22 —端连接，电阻R22另一端与三极管Q8的基极连接，三极管Q8的集电极与Q4的5脚连接，三极管Q8的发射极与电阻R24一端连接，电阻R24另一端与电阻R36 —端连接，电阻R36另一端与三极管Q7的发射极连接。进ー步的，三极管Q21的型号为5401，场效应管Q16的类型为N-M0S，三极管Qll的型号为5551，三极管Q19的型号为1579、场效应管Q24的类型为N-M0S，芯片Q4的型号为FMW3，三极管Q2的型号为1579、三极管Q18的型号为BC-817，ニ极管D12的型号为1SS355，ニ极管D13的型号为1SS355，ニ极管D15的型号为1SS355，ニ极管D14的型号为1SS355，ニ极管D18的型号为1SS355，ニ极管D19的型号为1SS355，三极管Q13的型号为4102，三极管Q12的型号为5551，三极管Q23的型号为5401，场效应管Q15的类型为N-M0S，场效应管Q16的类型为N-M0S，三极管Q7的型号为4102，三极管Q8的型号为4102。 进ー步的，电阻R20设置为2千欧，电阻R40设置为I千欧，电阻R38设置为5. I千欧，电阻R21设置为2千欧，电容C8设置为22皮法，电阻R39设置为I千欧，电阻R19设置为2千欧，电阻R37设置为5. I千欧，电阻R18设置为3千欧，电容C7设置为22皮法，电阻R2设置为33欧姆，电阻R12设置为820欧姆，电阻R14设置为2. 4千欧，电阻R16设置为2. 2千欧，电阻R8设置为820欧姆，电阻RlO设置为820欧姆，电阻R9设置为820欧姆，电阻Rll设置为820欧姆，电阻R32设置为27千欧，电阻R26设置为10欧姆，电阻R29设置为300欧姆，电阻R282设置为10欧姆，电阻R30设置为300欧姆，电阻R22设置为2千欧，电阻R24设置为470欧姆，电阻R36设置为120欧姆。本实用新型的有益效果如下本实用新型包括第一通道电路单元和第二通道电路单元，第一通道电路单元和第二通道电路单元的电路结构相同，第一通道电路单元的输出端和第二通道电路单元的输出端连接有高低压电源自动切换电路，高低压电源自动切换电路包括高压电源通道接ロ、低压电源通道接ロ、外部高压电源接口和外部低压电源接ロ，第一通道电路单元的输出管、第二通道电路单元的输出管直接与低压电源通道接ロ连接，外部低压电源接ロ与外部低压电源连接，低压电源通道接ロ通过开关管电路与高压电源通道接ロ连接，外部高压电源接ロ与外部高压电源连接，通过设置高低压电源自动切换电路，当检测到输出电压达到预设值时，电路将启动高压电源通道进行供电，如输出电压未达到预设值，则维持用低压电源通道供电，可减少非大功率输出时的功率损耗，提高电路的工作效率。
利用附图对本实用新型做进ー步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。图I是本实用新型的电路图。图2是单ー电源供电的功率损耗情况图。图3是高低压双电源供电的功率损耗情况图。在图I至图3中包括有[0034]第一通道电路单元I、差动放大电路11、电压放大和温度补偿电路12、电流放大电路13、输入保护电路14、有源负载电路15、第二通道电路单元2、高低压电源自动切换电路3、 负半周高低压电源通道32、正半周高低压电源通道31、功率损耗し
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进ー步说明。实施例I。本实施例的一种双通道150W音频功率放大电路如图I所示，设置有第一通道电路单元I和第二通道电路单元2，第一通道电路单元I和第二通道电路单元2的电路结构相同，第一通道电路单元I的输出端A和第二通道电路单元2的输出端B连接有高低压电源自动切换电路3。高低压电源自动切换电路3包括高压电源通道接ロ(即ニ极管D9正极和ニ极管D12正扱)、低压电源通道接ロ(即ニ极管Dll负极和ニ极管D13负极)、外部高压电源接ロ(即接ロ I和接ロ 6)和外部低压电源接ロ(即接ロ 2和接ロ 5)，第一通道电路单元I的输出管(即电流放大电路中的场效应管Q15和Q26)、第二通道电路单元2的输出管(即电流放大电路中的场效应管Q14和Q17)直接与低压电源通道接ロ连接，外部低压电源接ロ与外部低压电源连接，低压电源通道接ロ通过开关管电路与高压电源通道接ロ连接，外部高压电源接ロ与外部高压电源连接。本实用新型通过设置高低压电源自动切换电路3，当检测到输出电压达到预设值时，两电源通道31、32将切换至高压电源进行供电，如输出电压未达到预设值，则维持用低压电源供电，可减少非大功率输出时的功率损耗，提高电路的工作效率。具体的，负半周高低压电源通道32包括电阻R20、电阻R40、电阻R38、电阻R21、电容C8、三极管Q21、场效应管Q16、ニ极管D11、ニ极管D13和ニ极管D20，电阻R40 —端与ニ极管Dll正极、ニ极管D13正极连接电阻R40另一端与电阻R20 —端、三极管Q21基板、电容C8 —端连接，电阻R20另一端与三极管Q21发射极、接ロ 4连接，电容C8另一端与三极管Q21集电极、电阻R38 —端连接，电阻R38另一端与电阻R21 —端、场效应管Q16的栅极连接，电阻R21另一端与场效应管Q16的漏极、外部高压电源接ロ 6连接，场效应管Q16的源极与ニ极管D20正极连接，ニ极管D20负极与负半周低压电源通道接ロ 5连接。正半周高低压电源通道31包括电阻R39、电阻R19、电阻R37、电阻R18、电阻R41、电阻R42、电容C7、三极管Q11、三极管Q19、场效应管Q24、ニ极管D9、ニ极管D12和ニ极管D21，电阻R39 —端与ニ极管D9、ニ极管D12负极连接，电阻R39另一端与电阻R19 —端、三极管Qll基板、电容C7 —端连接，电阻R19另一端与三极管Qll发射极、接ロ 3连接，电容C7另一端与三极管Qll集电极、电阻R37 —端连接，电阻R37另一端与三极管Q19基极连接，三极管Q19发射极与电阻R41、电阻R42 —端连接，电阻R41另一端、电阻R42另一端与场效应管Q24源极、外部高压电源接ロ I连接，场效应管Q24栅极与三极管Q19集电极、电阻R18 —端连接，电阻R18另一端与场效应管Q24漏极、ニ极管D21负极连接，ニ极管D21正极与正半周低压电源通道接ロ 2连接。ニ极管D9的正极与第二通道电路单元2的正半周输出端(接ロ 8)连接，ニ极管管D12的正极与第一通道电路单元I的正半周输出端(接ロ 11)连接。ニ极管Dll的负极与第二通道电路单元2的负半周输出端(接ロ 9)连接，ニ极管管D13的负极与第一通道电路单元I的负半周输出端(接ロ 10)连接。具体的，第一通道电路单元I包括差动放大电路11、电压放大和温度补偿电路12、电流放大电路13、输入保护电路14和有源负载电路15。 差动放大电路11包括芯片Q4 ；电压放大和温度补偿电路12包括电阻R2、电阻R12、电阻R14、电阻R16、电容C2、三极管Q2和三极管Q18。输入保护电路14包括电阻R8、电阻R10、电阻R9、电阻R11、电阻R32、电容C5、电容C6、ニ极管D5、ニ极管D7、ニ极管D15、ニ极管D14、ニ极管D18、ニ极管D19、三极管Q13和三极管Q22。电流放大电路13包括电阻R26、电阻R29、电阻R282、电阻R30、三极管Q12、三极管Q23、场效应管Q15和场效应管Q16。有源负载电路15包括电阻R22、电阻R24、电阻R36、ニ极管D6、三极管Q7和三极管Q8。具体的，芯片Q4的I脚和2脚与音频信号17、音频信号18连接。具体的，芯片Q4的3脚与电阻R2 —端、电阻R12 —端连接，芯片Q4的4脚与电阻R12另一端、三极管Q2基板、电容C2 —端连接，电阻R2另一端与三极管Q2发射极连接，电容C2另一端与三极管Q2集电极、电阻R14 —端、三极管Q18集电极连接，电阻R14另一端与电阻R16 —端、三极管Q18基极连接，电阻R16另一端与三极管Q18发射极连接。具体的，ニ极管D5负极与三极管Q18集电极连接，ニ极管D5正极与ニ极管D14正极连接，ニ极管D14负极与三极管Q13集电极连接，三极管Q13基极与电阻RlO —端、电容C5 一端、电阻R34 —端、ニ极管D18正极、电阻R8 —端连接，电阻R8另一端与ニ极管D12正极连接，三极管Q13的发射极与电阻RlO另一端、电容C5另一端、接ロ 22、三极管Q22的发射极、电阻Rll —端、电容C6 —端连接，三极管Q22的基极与电阻Rll另一端、电容C6另ー端、电阻R34另一端、ニ极管D19负极、电阻R9 —端连接，电阻R9另一端与ニ极管D13负极连接，三极管Q22集电极与ニ极管D15正极连接，ニ极管D15负极与ニ极管D7负极连接，ニ极管D18负极、ニ极管D19负极与电阻R32 —端连接，电阻R32另一端与接ロ 20连接。具体的，三极管Q12的基极与ニ极管D5的负极连接，三极管Q12的发射极与电阻R26 —端、电阻R29 —端连接，电阻R26另一端与场效应管Q15的栅极连接，电阻R29另一端与场效应管Q15的源极、ニ极管D12正极连接；场效应管Q16的漏极与ニ极管D13负极、三极管Q23的发射极连接，场效应管Q16的栅极与电阻R282 —端连接，电阻R282另一端与电阻R30 —端、三极管Q23发射极连接，电阻R30另一端与三极管Q16源极连接，三极管Q23基极与ニ极管D7正极连接。接ロ 7接地。ニ极管D9、D11、D12、D13的作用主要是起第一通道电路单元I和第二通道电路单元2间的隔离作用。本实用新型的工作原理如下音频信号由经差动放大电路11输入级输入至电压放大和温度补偿电路12电压放大电路，电压放大电路用高放大倍数高耐压的三极管代替现有技术中的带有源负载方式的电压放大结构，使电路简化易行。电压放大后到达电流放大电路13进行电流放大,输出大功率的电信号输出来驱动扬声器。电流放大电路13采用了场效应管代替普通的晶体三极管实现了一定程度的过 流保护作用，因为所用的场效应管具有随着温度的上升而最大通过电流会下降的特性，因此，当电流过大时使得场效应管的温度迅速上升而使得流过的电流下降而阻止了温度的进
一步升闻。输入保护电路14在输入异常过高时候起作用，能够对电路起保护作用。其通过电阻R8对输出电压进行取样监视，一旦输入异常使得输出电压过高，采样得到的分压就驱动三极管Q13导通，使得经过电压放大和温度补偿电路12放大的音频信号无法到达电流放大电路13，从而避免输出电压过高。高低压电源自动切换电路3在电路工作时也对输出信号进行取样监视(以三极管Q21和三极管Q16这部分为例)，一旦输出电压达到一定值，分压将三极管Q21这个三极管导通，三极管Q21导通后驱动三极管Q16这个高导通电流场效应管使其导通使得接在外部高压电源接ロ 6的高压电源对电路供电以提供更高的输出。这种高低压电源自动切换电路3主要能降低电路本身的功率损耗使电路长期稳定工作。实施例2一种双通道150W音频功率放大电路，本实施例的其他结构与实施例I相同，不同之处在于三极管Q21的型号为5401，场效应管Q16的类型为N-M0S，三极管Qll的型号为5551，三极管Q19的型号为1579、场效应管Q24的类型为N-M0S，芯片Q4的型号为FMW3，三极管Q2的型号为1579、三极管Q18的型号为BC-817，ニ极管D12的型号为1SS355，ニ极管D13的型号为1SS355，ニ极管D15的型号为1SS355，ニ极管D14的型号为1SS355，ニ极管D18的型号为1SS355，ニ极管D19的型号为1SS355，三极管Q13的型号为4102，三极管Q12的型号为5551，三极管Q23的型号为5401，场效应管Q15的类型为N-M0S，场效应管Q16的类型为N-M0S，三极管Q7的型号为4102，三极管Q8的型号为4102。电阻R20设置为2千欧，电阻R40设置为I千欧，电阻R38设置为5. I千欧，电阻R21设置为2千欧，电容C8设置为22皮法，电阻R39设置为I千欧，电阻R19设置为2千欧，电阻R37设置为5. I千欧，电阻R18设置为3千欧，电容C7设置为22皮法，电阻R2设置为33欧姆，电阻R12设置为820欧姆，电阻R14设置为2. 4千欧，电阻R16设置为2. 2千欧，电阻R8设置为820欧姆，电阻RlO设置为820欧姆，电阻R9设置为820欧姆，电阻Rll设置为820欧姆，电阻R32设置为27千欧，电阻R26设置为10欧姆，电阻R29设置为300欧姆，电阻R282设置为10欧姆，电阻R30设置为300欧姆，电阻R22设置为2千欧，电阻R24设置为470欧姆，电阻R36设置为120欧姆。[0074]加入高低压电源自动切换电路3主要能降低电路本身的功率损耗使电路长期稳定工作。如图2和图3所示，图2是现有技术单ー电源供电的功率损耗情况图；图3是本实用新型采用了高低压双电源供电后的功率损耗情况图。L代表功率损耗的大小，从图中可以看出，图3的功率损耗比图2小，说明了利用高低压双电源供电能减低电路本身的功率损耗。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管參照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技 术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.一种双通道150W音频功率放大电路，包括第一通道电路单元和第二通道电路单元，第一通道电路单元和第二通道电路单元的电路结构相同，其特征在干第一通道电路单元的输出端和第二通道电路单元的输出端连接有高低压电源自动切换电路，高低压电源自动切換电路包括高压电源通道接ロ、低压电源通道接ロ、外部高压电源接ロ和外部低压电源接ロ，第一通道电路单元和第二通道电路单元的输出管直接与低压电源通道接ロ连接，夕卜部低压电源接ロ与外部低压电源连接，低压电源通道接ロ通过开关管电路与高压电源通道接ロ连接，外部高压电源接ロ与外部高压电源连接。
2.根据权利要求I所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于负半周高低压电源通道包括电阻R20、电阻R40、电阻R38、电阻R21、电容C8、三极管Q21、场效应管Q16、ニ极管D11、ニ极管D13和ニ极管D20，电阻R40 —端与ニ极管Dll正极、ニ极管D13正极连接电阻R40另一端与电阻R20 —端、三极管Q21基板、电容C8 —端连接，电阻R20另ー端与三极管Q21发射极、接ロ 4连接，电容C8另一端与三极管Q21集电极、电阻R38 —端连接，电阻R38另一端与电阻R21 —端、场效应管Q16的栅极连接，电阻R21另一端与场效应管Q16的漏极、外部高压电源接ロ连接，场效应管Q16的源极与ニ极管D20正极连接，ニ极管D20负极与负半周低压电源通道接ロ连接； 正半周高低压电源通道包括电阻R39、电阻R19、电阻R37、电阻R18、电阻R41、电阻R42、电容C7、三极管Q11、三极管Q19、场效应管Q24、ニ极管D9、ニ极管D12和ニ极管D21，电阻R39 —端与ニ极管D9、ニ极管D12负极连接，电阻R39另一端与电阻R19 —端、三极管Qll基板、电容C7 —端连接，电阻R19另一端与三极管Qll发射极、接ロ 3连接，电容C7另一端与三极管Qll集电极、电阻R37 —端连接，电阻R37另一端与三极管Q19基极连接，三极管Q19发射极与电阻R41、电阻R42 —端连接，电阻R41另一端、电阻R42另一端与场效应管Q24源极、外部高压电源接ロ连接，场效应管Q24栅极与三极管Q19集电极、电阻R18 —端连接，电阻R18另一端与场效应管Q24漏极、ニ极管D21负极连接，ニ极管D21正极与正半周低压电源通道接ロ连接； ニ极管D9的正极与第二通道电路单元的正半周输出端连接，ニ极管管D12的正极与第一通道电路单元的正半周输出端连接； ニ极管Dll的负极与第二通道电路单元的负半周输出端连接，ニ极管管D13的负极与第一通道电路单元的负半周输出端连接。
3.根据权利要求I所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于第一通道电路单元包括差动放大电路、电压放大和温度补偿电路、电流放大电路、输入保护电路和有源负载电路； 差动放大电路包括芯片Q4 ； 电压放大和温度补偿电路包括电阻R2、电阻R12、电阻R14、电阻R16、电容C2、三极管Q2和三极管Q18 ； 输入保护电路包括电阻R8、电阻R10、电阻R9、电阻R11、电阻R32、电容C5、电容C6、ニ极管D5、ニ极管D7、ニ极管D15、ニ极管D14、ニ极管D18、ニ极管D19、三极管Q13和三极管Q22 ； 电流放大电路包括电阻R26、电阻R29、电阻R282、电阻R30、三极管Ql2、三极管Q23、场效应管Q15和场效应管Q16 ；有源负载电路包括电阻R22、电阻R24、电阻R36、ニ极管D6、三极管Q7和三极管Q8。
4.根据权利要求3所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于芯片Q4的I脚和2脚与音频信号17、音频信号18连接。
5.根据权利要求4所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于芯片Q4的3脚与电阻R2 —端、电阻R12 —端连接，芯片Q4的4脚与电阻R12另一端、三极管Q2基板、电容C2 —端连接，电阻R2另一端与三极管Q2发射极连接，电容C2另一端与三极管Q2集电极、电阻R14 —端、三极管Q18集电极连接，电阻R14另一端与电阻R16 —端、三极管Q18基极连接，电阻R16另一端与三极管Q18发射极连接。
6.根据权利要求5所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于ニ极管D5负极与三极管Q18集电极连接，ニ极管D5正极与ニ极管D14正极连接，ニ极管D14负极与三极管Q13集电极连接，三极管Q13基极与电阻RlO —端、电容C5 —端、电阻R34 —端、ニ极管D18正扱、电阻R8 —端连接，电阻R8另一端与ニ极管D12正极连接，三极管Q13的发射极与电阻RlO另一端、电容C5另一端、接ロ 22、三极管Q22的发射极、电阻Rll —端、电容C6 —端连接，三极管Q22的基极与电阻Rll另一端、电容C6另一端、电阻R34另一端、ニ极管D19负极、电阻R9 —端连接，电阻R9另一端与ニ极管D13负极连接，三极管Q22集电极与ニ极管D15正极连接，ニ极管D15负极与ニ极管D7负极连接，ニ极管D18负极、ニ极管D19负极与电阻R32 —端连接，电阻R32另一端与接ロ 20连接。
7.根据权利要求6所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于三极管Q12的基极与ニ极管D5的负极连接，三极管Q12的发射极与电阻R26 —端、电阻R29 —端连接，电阻R26另一端与场效应管Q15的栅极连接，电阻R29另一端与场效应管Q15的源极、ニ极管D12正极连接； 场效应管Q16的漏极与ニ极管D13负极、三极管Q23的发射极连接，场效应管Q16的栅极与电阻R282 —端连接，电阻R282另一端与电阻R30 —端、三极管Q23发射极连接，电阻R30另一端与三极管Q16源极连接，三极管Q23基极与ニ极管D7正极连接。
8.根据权利要求7所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于ニ极管D6负极与三极管Q18的发射极连接，ニ极管D6正极与三极管Q7的集电极、ニ极管D7正极连接，三极管Q7的基极与电阻R22 —端连接，电阻R22另一端与三极管Q8的基极连接，三极管Q8的集电极与Q4的5脚连接，三极管Q8的发射极与电阻R24 —端连接，电阻R24另ー端与电阻R36 —端连接，电阻R36另一端与三极管Q7的发射极连接。
9.根据权利要求8所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于三极管Q21的型号为5401，场效应管Q16的类型为N-MOS，三极管Qll的型号为5551，三极管Q19的型号为1579、场效应管Q24的类型为N-MOS，芯片Q4的型号为FMW3，三极管Q2的型号为1579、三极管Q18的型号为BC-817，ニ极管D12的型号为1SS355，ニ极管D13的型号为1SS355，ニ极管D15的型号为1SS355，ニ极管D14的型号为1SS355，ニ极管D18的型号为1SS355，ニ极管D19的型号为1SS355，三极管Q13的型号为4102，三极管Q12的型号为5551，三极管Q23的型号为5401，场效应管Q15的类型为N-MOS，场效应管Q16的类型为N-MOS，三极管Q7的型号为4102，三极管Q8的型号为4102。
10.根据权利要求9所述的ー种双通道150W音频功率放大电路，其特征在于电阻R20设置为2千欧，电阻R40设置为I千欧，电阻R38设置为5. I千欧，电阻R21设置为2千欧，电容C8设置为22皮法，电阻R39设置为I千欧，电阻R19设置为2千欧，电阻R37设置为5.I千欧，电阻R18设置为3千欧，电容C7设置为22皮法，电阻R2设置为33欧姆，电阻R12设置为 820欧姆，电阻R14设置为2. 4千欧，电阻R16设置为2. 2千欧，电阻R8设置为820欧姆，电阻RlO设置为820欧姆，电阻R9设置为820欧姆，电阻Rll设置为820欧姆，电阻R32设置为27千欧，电阻R26设置为10欧姆，电阻R29设置为300欧姆，电阻R282设置为10欧姆，电阻R30设置为300欧姆，电阻R22设置为2千欧，电阻R24设置为470欧姆，电阻R36设置为120欧姆。
专利摘要本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种双通道150W音频功率放大电路，包括第一通道电路单元和第二通道电路单元，第一通道电路单元和第二通道电路单元的电路结构相同，第一通道电路单元的输出端和第二通道电路单元的输出端连接有高低压电源自动切换电路，第一通道电路单元的输出管、第二通道电路单元的输出管直接与低压电源通道接口连接，外部低压电源接口与外部低压电源连接，低压电源通道接口通过开关管电路与高压电源通道接口连接，外部高压电源接口与外部高压电源连接，通过设置高低压电源自动切换电路，可减少非大功率输出时的功率损耗，提高电路的工作效率。
文档编号H03F3/20GK202634370SQ201220251910
公开日2012年12月26日 申请日期2012年5月31日 优先权日2012年5月31日
发明者颜达远, 陈应洪, 陈爱萍 申请人:珠海市华晶微电子有限公司