一种微带线匹配低噪声放大器的制造方法

文档序号:7543613阅读:262来源:国知局
一种微带线匹配低噪声放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种微带线匹配低噪声放大器,包括输入端匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配;其中,输入端匹配依次和第一晶体管、级间匹配、第二晶体管、输出端匹配相连接。所述的输入端匹配、级间匹配、输出端匹配均采用并联支路为短截线的T型微带线匹配结构。采用微带线匹配的结构,微带线精确的尺寸使得等效而成的电容电感值也更加精确,消除了集总参数元器件带来的信号串扰,性能不够稳定的缺点,驻波性能得到提高,同时可以拓展带宽,结构简单,性能稳定。
【专利说明】一种微带线匹配低噪声放大器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种低噪声放大器,特别是一种微带线匹配低噪声放大器。
【背景技术】
[0002]晶体管放大器是史上最为经典的放大器之一,使用晶体管进行级联的放大器使用比较广泛,同时对晶体管进行集总参数匹配,也就是所谓的电容电感进行匹配,但是使用电容电感却会带来一些不可避免的问题,一方面由于电容电感在电路板上容易产生一些信号串扰,导致端口的驻波比较差,另一方面还容易发生虚焊,器件损坏等影响,电路容易产生问题,当电路板大到一定程度时,查找起来也很困难,另外,目前的贴片电容电感的值只是近似值,并不够精确,只能找替代品,所以这些问题都成为晶体管放大器亟待解决的问题。
实用新型内容
[0003]针对上述问题,本实用新型公开了一种微带线匹配低噪声放大器,采用微带线匹配的结构,微带线精确的尺寸使得等效而成的电容电感值也更加精确,消除了集总参数元器件带来的信号串扰,性能不够稳定的缺点,驻波性能得到提高,同时可以拓展带宽,结构简单,性能稳定。
[0004]为了解决上述问题,本实用新型采用的技术方案是:
[0005]一种微带线匹配低噪声放大器,包括输入端匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配;其中,输入端匹配依次和第一晶体管、级间匹配、第二晶体管、输出端匹配相连接。
[0006]作为本实用新型的进一步优选方案,所述的输入端匹配、级间匹配、输出端匹配均采用并联支路为短截线的T型微带线匹配结构。
[0007]作为本实用新型的进一步优选方案,所述的第一晶体管和第二晶体管均采用型号为ATF-54143的高电子迁移率场效应管。
[0008]作为本实用新型的进一步优选方案,所述并联支路为短截线的T型微带线,其尺寸精度为0.1mm。
[0009]本实用新型与现有技术相比,具有以下技术效果:采用微带线匹配,提高了驻波系数,拓展了带宽;级间匹配更加稳定,电路信号串扰小;结构简单,实用可靠,性能稳定。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1是系统电路模块图。
[0011]图2是短截线的T型微带线匹配结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明:
[0013]如图1所示,本实用新型公开了一种微带线匹配低噪声放大器,包括输入端匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配,其中输入匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配依次相连。信号依次经过输入匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配,并经过两级放大输出。
[0014]第一晶体管和第二晶体管都是采用的AVAGO公司的型号为ATF-54143的高电子迁移率场效应管,其工作频率为450MHz到6GHz,增益为20.4dB,噪声系数为0.5dB,通过其芯片资料借助软件可以计算出输出输出端口的阻抗值,然后根据计算所得的阻抗值将微带线的尺寸计算出来,匹配到电路两端即可。
[0015]微带线的匹配结构通常有两种方式:并联支路为短路的T型微带线匹配结构和并联支路为短截线的T型微带线匹配结构。本实施例中,输入端匹配、级间匹配、输出端匹配采用的是并联支路为短截线的T型微带线匹配结构,如图2所示。由于微带线的尺寸可以精确到0.1mm,微带线精确的尺寸等效而成的电容电感的值也很精确,通过微带线的匹配,电路的匹配更加准确,电路也更接近理想状况,电路才会更加稳定。
[0016]上面结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明,但是本实用新型并不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。
【权利要求】
1.一种微带线匹配低噪声放大器,其特征在于:包括输入端匹配、第一晶体管、级间匹配、第二晶体管和输出端匹配;其中,输入端匹配依次和第一晶体管、级间匹配、第二晶体管、输出端匹配相连接。
2.如权利要求1所述的一种微带线匹配低噪声放大器,其特征在于:所述的输入端匹配、级间匹配、输出端匹配均采用并联支路为短截线的T型微带线匹配结构。
3.如权利要求1所述的一种微带线匹配低噪声放大器,其特征在于:所述的第一晶体管和第二晶体管均采用型号为ATF-54143的高电子迁移率场效应管。
4.如权利要求2所述的一种微带线匹配低噪声放大器,其特征在于:所述并联支路为短截线的T型微带线,其尺寸精度为0.1_。
【文档编号】H03F1/26GK203434935SQ201320392481
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2013年7月3日
【发明者】马婷 申请人:吴江市同心电子科技有限公司
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