具有温度补偿的自适应栅极驱动电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种可为MOSFET生成具有温度补偿的栅极偏置电压的自适应栅极驱动电路。该自适应栅极驱动电路可生成具有可变驱动能力的栅极偏置电压以对抗MOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。在一种设计中，一种装置包括控制电路和栅极驱动电路。该控制电路生成具有可变频率的至少一个控制信号，该可变频率是基于MOSFET的感测温度来确定的。例如，可基于MOSFET的感测温度来确定时钟分频比，可基于该时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得可变时钟信号，并且可基于该可变时钟信号来生成控制信号。栅极驱动电路基于该控制信号来生成用于MOSFET的偏置电压。
【专利说明】具有温度补偿的自适应栅极驱动电路
[0001] 根据35 U. S. C. § 119的优先权要求
[0002] 本专利申请要求于2012年7月26日提交的题为"Adaptive gate charge compensation for minimizing system quiescent current and thermal runaway(用于 最小化系统静态电流和热散逸的自适应栅极电荷补偿）"的临时申请No. 61/676, 094的优 先权，该临时申请已转让给本申请受让人并因此通过援引明确纳入于此。
[0003] 背景
[0004] 领域
[0005] 本公开一般涉及电子器件，尤其涉及用于为晶体管生成偏置电压的栅极驱动电 路。
[0006] 背景
[0007] 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)是一种常常被用作电源电路中的开关 以向负载提供电源电压的晶体管。MOSFET在导通时在其漏极与源极之间具有电阻，该电阻 可被称为RDS_0N电阻。MOSFET在导通时向负载提供电源电流，并且该电源电流经由MOSFET 的RDS_0N电阻耗散。栅极驱动电路可为MOSFET生成栅极偏置电压，以使得可在MOSFET导 通时为其获得充分低的RDS_0N电阻以限制MOSFET的功率耗散。
[0008] 概述
[0009] 本文公开了一种自适应栅极驱动电路，该自适应栅极驱动电路为MOSFET或某种 其他类型的晶体管生成具有温度补偿的栅极偏置电压。该自适应栅极驱动电路可生成具有 可变驱动能力的栅极偏置电压，以对抗MOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。这可确 保MOSFET随温度具有充分低的RDS_0N电阻。
[0010] 在一示例性设计中，一种装置包括控制电路和栅极驱动电路。控制电路生成具有 可变频率的至少一个控制信号，该可变频率是基于耦合在电源电压与负载之间的MOSFET 的感测温度来确定的。栅极驱动电路基于该至少一个控制信号来生成用于MOSFET的偏置 电压。该装置还可包括温度传感器以感测MOSFET的温度。
[0011] 在一示例性设计中，控制电路包括温度补偿电路、时钟分频器、以及控制信号生成 器。温度补偿电路接收指示MOSFET的感测温度的输入信号并且基于该输入信号来确定时 钟分频比。时钟分频器基于该时钟分频比来对输入时钟信号进行分频以获得具有可变频率 的可变时钟信号。控制信号生成器基于可变时钟信号来生成该至少一个控制信号。
[0012] 以下更加详细地描述本公开的各种方面和特征。
[0013] 附图简述
[0014] 图1示出具有固定栅极驱动的电源电路的示意图。
[0015] 图2示出MOSFET的RDS_0N电阻的标绘。
[0016] 图3示出具有自适应栅极驱动的电源电路的示意图。
[0017] 图4示出温度传感器的示意图。
[0018] 图5示出控制电路的框图。
[0019] 图6A和6B示出温度补偿电路的两个示例性设计。
[0020] 图7示出可变时钟信号和控制信号的时序图。
[0021] 图8示出栅极驱动电路的示意图。
[0022] 图9示出用于生成用于MOSFET的栅极偏置电压的过程。
[0023] 详细描述
[0024] 以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述，而无意表示可在其中 实践本公开的仅有设计。术语"示例性"在本文中用于表示"用作示例、实例或解说"。本文 中描述为"示例性"的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体 细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是，没有这 些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中，公知的结构和器件以框图形 式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。
[0025] 本文所公开的自适应栅极驱动电路可用在（i)向负载提供电源电压的电源电路 和/或（ii)其他电路中。自适应栅极驱动电路可用于各种电子设备，诸如无线通信设备 (例如，蜂窝电话、智能电话等）、平板计算机、个人数字助理（PDA)、手持式设备、无线调制 解调器、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路（WLL)站、蓝牙设备、消费 电子设备、等等。
[0026] 图1示出具有固定栅极驱动的电源电路100的示意图。电源电路100包括N沟道 M0SFET(nM0SFET)110和栅极驱动电路150。nM0SFET110的漏极耦合至系统电源电压（V系 I ^js)且其源极耦合至电子电路/负载180并向负载180提供电源电压（Vw)。负载180 可包括基于V ws电压来操作的数字电路和/或模拟电路。栅极驱动电路150具有接收控制 信号的输入端以及耦合至nMOSFET 110的栅极的输出端。
[0027] nMOSFET 110用作向负载180递送系统电源电压的传输晶体管。栅极驱动电路150 生成用于nMOSFET 110的栅极偏置电压，以使得nMOSFET 110在期望的工作区域中操作。
[0028] nMOSFET(诸如nMOSFET 110)常常用在电源电路中，因为对于给定的器件大小， nMOSFET可提供比P沟道MOSFET (pMOSFET)低的导通电阻。然而，nMOSFET 110需要比源 极电压或漏极电压高的栅极偏置电压才能导通。栅极驱动电路150可包括电荷泵，该电荷 泵可生成充分高的栅极偏置电压，以使得nMOSFET 110在期望的工作区域中操作。具体地， 可生成比nMOSFET 110的源极电压高的栅极偏置电压，以使得在nMOSFET 110导通时该 nMOSFETllO的RDS_0N电阻小于目标电阻。这可确保nMOSFET 110的功率耗散落在容限内。
[0029] nMOSFET 110具有栅极漏泄电流，其是从nMOSFET 110的栅极漏泄到源极的电流。 nMOSFET 110的栅极漏泄电流在较高温度时可显著增加。
[0030] 图2示出在不同温度时nMOSFET 110的RDS_0N电阻相对于栅极放电时间的标绘。 在图2中，横轴表示时间并且是以分钟为单位来给出的。纵轴表示RDS_0N电阻并且是以欧 姆（Ω)为单位来给出的。在时间〇:〇〇,由栅极驱动电路150在nMOSFET 110的栅极处施加 合适的栅极偏置电压。栅极驱动电路150随后与nMOSFET 110的栅极断开，并且栅极偏置 电压由于nMOSFETllO的栅极漏泄电流而减小。nMOSFET 110的RDS_0N电阻随着栅极偏置 电压的减小而增大。
[0031] 标绘210示出了在25°C的标称温度/室温时nMOSFET 110的RDS_0N电阻相对于 栅极偏置电压的放电时间。如图2中所示，RDS_0N电阻保持相对较低直至时间4:00,并且 随后由于因栅极漏泄电流导致的较低栅极偏置电压而快速增大。标绘220示出了在52°C 的中等温度时nMOSFET 110的RDS_ON电阻相对于栅极偏置电压的放电时间。如图2中所 示，RDS_0N电阻保持相对较低直至时间0:40,并且随后由于因漏泄导致的较低栅极偏置电 压而快速增大。标绘230示出了在85°C的较高温度时nMOSFET 110的RDS_0N电阻相对于 栅极偏置电压的放电时间。如图2中所示，栅极驱动电路150 -断开，RDS_0N电阻就由于 因漏泄导致的较低栅极偏置电压而快速增加。图2表明栅极漏泄电流随着逐渐升高的温度 而变得更成问题。
[0032] 栅极驱动电路150可被设计成在标称条件（例如，室温）下为nMOSFETl 10的栅极 偏置电压提供充分的驱动。栅极驱动电路150可具有用于计及nMOSFET 110在标称条件下 的栅极漏泄电流以及其他漏泄电流源的充分驱动能力。然而，栅极驱动电路150可能不能 够提供用于计及nMOSFET 110在较高温度时显著较高的栅极漏泄电流的充分驱动。这可能 导致在较高温度时该栅极偏置电压低于为获得nMOSFET 110的目标RDS_0N电阻所必需的 栅极偏置电压。较高温度时较大的RDS_0N电阻可增加 nMOSFET 110的功率耗散，这可进一 步增高温度并且加重栅极漏泄。nMOSFET 110在较高温度时较大的RDS_0N电阻可能因此导 致热散逸和其他问题。
[0033] 栅极驱动电路150可被设计成在最坏情形条件（例如，为电源电路100指定的最 高温度）下为nMOSFET 110的栅极偏置电压提供充分的驱动能力。然而，用于栅极偏置电 压的较高驱动能力可能是以栅极驱动电路150的较高功耗为代价来获得的。这可能导致栅 极驱动电路150甚至在标称条件下也要消耗更多的电池功率。
[0034] 在本公开的一方面，自适应栅极驱动电路可为nMOSFET生成具有可变驱动能力的 栅极偏置电压，以对抗nMOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。这可通过检测nMOSFET 的温度并且提供用于计及nMOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流的较大驱动能力来 达成。
[0035] 栅极驱动电路可包括电荷泵，该电荷泵接收一个或多个控制信号并且提供用于 nMOSFET的栅极偏置电压。电荷泵可具有取决于提供给该电荷泵的控制信号的频率（例如， 与之成比例）的驱动能力。在一示例性设计中，电荷泵可按可变频率来操作，该可变频率可 取决于检测到的nMOSFET的温度。具体地，电荷泵可（i)在较高温度时以较高频率操作以 提供用于栅极偏置电压的较大驱动能力，或者（ii)在较低温度时以较低频率操作以在栅 极漏泄电流较小时减少栅极驱动电路的功耗。
[0036] 图3示出具有自适应栅极驱动的电源电路300的示例性设计的示意图。电源电路 300包括nMOSFET 310和自适应栅极驱动电路320。nMOSFET 310的漏极耦合至系统电源 电压且其源极耦合至电子电路/负载380并向负载380提供电源电压（V_)。 负载380可包括基于V 电压来操作的数字电路和/或模拟电路。栅极驱动电路350具有 接收输入时钟信号的输入端以及耦合至nMOSFET 310的栅极的输出端。
[0037] 在图3所示的示例性设计中，自适应栅极驱动电路320包括温度传感器330、控制 电路340、以及栅极驱动电路350。温度传感器330感测nMOSFET 310的温度（或者nMOSFET 310附近的温度）并且向控制电路340提供感测温度信号。感测温度信号指示由温度传感 器330感测到的温度。控制电路340接收输入时钟信号和感测温度信号并且生成用于栅极 驱动电路350的控制信号。栅极驱动电路350生成具有基于该控制信号所确定的可变驱动 能力的栅极偏置电压并且向nMOSFET 310的栅极提供该栅极偏置电压。栅极驱动电路350 可以能够向nMOSFET 310的栅极提供较高的栅极偏置电压和/或较多的偏置电流以计及较 高温度时较大的栅极漏泄电流。
[0038] 图3示出了其中自适应栅极驱动电路320包括温度传感器330、控制电路340和栅 极驱动电路350的示例性设计。自适应栅极驱动电路还可按其他方式来实现。例如，自适 应栅极驱动电路可包括直接耦合至栅极驱动电路的温度传感器。自适应栅极驱动电路还可 包括图3中未示出的其他电路。
[0039] 图3还示出了其中基于输入时钟信号和感测温度信号来生成用于栅极驱动电路 350的控制信号的示例性设计。用于栅极驱动电路350的控制信号还可以用其他信号和/ 或以其他方式来生成。
[0040] 自适应栅极驱动电路320内的温度传感器330、控制电路340和栅极驱动电路350 可按各种方式来实现。以下描述温度传感器330、控制电路340和栅极驱动电路350的一些 示例性设计。
[0041] 图4示出图3中的自适应栅极驱动电路320内的温度传感器330的示例性设计的 示意图。在此设计中，温度传感器330包括电流源410和PN二极管420。电流源410的一 端耦合至电源电压（Vdd)且另一端耦合至节点X。PN二极管420的阳极耦合至节点X且其 阴极耦合至电路接地。节点X是温度传感器330的输出端并且提供感测温度信号，其可以 是电压信号（V ss)。
[0042] 电流源410可提供固定的偏置电流，该偏置电流可独立于温度或者可以随温 度尽可能小地变化。PN二极管420传导来自电流源410的偏置电流并且具有取决于各种 因素（诸如由PN二极管420传导的电流量、PN二极管420的大小、以及温度）的压降。对 于给定的偏置电流量和给定的PN二极管大小，跨PN二极管420的压降（并且因此V s度电 压）与温度逆相关。例如，用于三个不同温度的Vss可以如下：
[0043] 在l〇(TC，V温度=V高温（例如，V高温=0· 6V)，
[0044]在25 c，V温度=V标称温度（例如，V标称温度=0· 75V)，以及
[0045] 在-40 C，V温度=V低温（例如，V低温=0· 88V)。
[0046] Vss还可在不同温度时具有其他电压，这可取决于以上所列出的因素。
[0047] 图4示出了基于PN二极管的温度传感器330的示例性设计。温度传感器330还 可按本领域技术人员已知的其他方式来实现。
[0048] 图5示出图3中的自适应栅极驱动电路320内的控制电路340的示例性设计的框 图。在此设计中，控制电路340包括温度补偿电路510、时钟分频器520、控制信号生成器 530和栅极驱动电路540。温度补偿电路510从温度传感器330接收感测温度信号（或即 Vs?信号）并且生成用于时钟分频器520的时钟分频比。时钟分频器520基于该时钟分频 比来对输入时钟信号进行分频并且向控制信号生成器530提供可变时钟信号。生成器530 基于该可变时钟信号来生成用于栅极驱动电路350的控制信号。该控制信号的频率是由该 可变时钟信号的频率来确定的（例如，等于该可变时钟信号的频率）。栅极驱动电路350接 收该控制信号并且生成用于nMOSFET 310的栅极偏置电压。
[0049] 栅极驱动电路350可包括电荷泵，该电荷泵具有基于该控制信号的频率所确定的 驱动能力。电荷泵对于较快的控制信号可具有较高的驱动能力并且对于较慢的控制信号可 具有较低的驱动能力。可能需要较高的驱动能力以计及较高温度时较大的栅极漏泄电流， 而较低的驱动能力可能对于较低温度时较小的栅极漏泄电流而言是充分的。
[0050] 温度补偿电路510可基于感测温度信号来生成时钟分频比，并且可（i)针对较高 的感测温度提供较小的时钟分频比或者（ii)针对较低的感测温度提供较大的时钟分频 t匕。时钟分频器520可按该时钟分频比来对输入时钟信号进行分频并且提供可变时钟信 号，该可变时钟信号可（i)针对在感测到较高温度时的较小时钟分频比具有较快速率/较 高频率，或者（ii)针对在感测到较低温度时的较大时钟分频比具有较慢速率/较低频率。 控制信号生成器530可基于该可变时钟信号来生成控制信号，并且可（i)在针对较低感测 温度的较慢时钟信号下提供较慢的控制信号，或者（ii)在针对较高感测温度的较快时钟 信号下提供较快的控制信号。栅极驱动电路350内的电荷泵可（i)基于针对较高感测温度 的较快控制信号生成具有较高驱动能力的栅极偏置电压，或者（ii)基于针对较低感测温 度的较慢控制信号生成具有较低驱动能力的栅极偏置电压。
[0051] 温度补偿电路510、时钟分频器520、控制信号生成器530、以及栅极驱动电路540 可按各种方式来实现。以下描述温度补偿电路510、时钟分频器520、控制信号生成器530 和栅极驱动电路540的一些示例性设计。
[0052] 图6A示出了温度补偿电路510a的框图，该温度补偿电路510a是图3中的控制电 路340内的温度补偿电路510的一个示例性设计。在此设计中，温度补偿电路510a包括量 化器610和查找表620。量化器610从温度传感器330接收感测温度信号（V ss信号），量 化此信号以获得数字值，并将该数字值提供给查找表620。查找表620从量化器610接收该 数字值并且提供时钟分频比。每个数字值可对应于感测温度信号在特定时刻的量化值，并 且该量化值可指示该时刻的感测温度。查找表620可将每个数字值映射到合适的时钟分频 t匕，从而能为与该数字值相对应的感测温度获得控制信号的期望/目标频率。
[0053] -般而言，量化器610可将感测温度信号量化成具有任何位数的分辨率的数字 值。较多位的数字值可允许以较大的查找表620为代价用较精细的粒度来调整栅极驱动电 路350的驱动能力。
[0054] 图6B示出了温度补偿电路510b的示意图，该温度补偿电路510b是图3中的控制 电路340内的温度补偿电路510的另一示例性设计。在此设计中，温度补偿电路510b包括 两个比较器630和632以及查找表640。比较器630在非反相输入端接收V ss信号以及在 反相输入端接收Vss电压，并且提供第一量化信号（A)。比较器632在非反相输入端接收V 信号以及在反相输入端接收Viaiss电压，并且提供第二量化信号（B)。
[0055] 在一个示例中，V高温电压可以等于0· 6V，这可对应于KKTC时的V温度电压。V标称温度 电压可以等于〇. 75V，这可对应于25°C时的Vss电压。当信号超过0. 6V时，比较器630 可在A信号上输出（i)逻辑高（'1'）（这可以是感测温度低于KKTC时的情形），否则输 出（ii)逻辑低（'〇'）。当信号超过〇. 75V时，比较器632可在B信号上输出⑴逻 辑高（'1'）（这可以是感测温度低于25°C时的情形），否则输出（ii)逻辑低（'0'）。
[0056] 对于图6B中所示的示例性设计，表1列出了来自比较器630和632的A和B信 号的三种可能的状态、每种状态的温度范围、每种状态的时钟分频比、以及对每种状态的描 述。在该设计中，比较器630和632被用于感测三个范围内的温度，这三个范围包括大于 l〇〇°C的第一温度范围、在25°C与KKTC之间的第二温度范围、以及小于25°C的第三温度范 围。感测温度落在这三个温度范围之一内。如表1中所示，通过A和B信号的逻辑值来反 映覆盖感测温度的温度范围。每个温度范围与特定的时钟分频比相关联。如表1中所示， 逐渐升高的温度范围与逐渐降低的时钟分频比相关联，逐渐降低的时钟分频比对应于提供 给栅极驱动电路350的控制信号的逐渐增大的时钟速度以及栅极驱动电路350的逐渐增大 的栅极驱动能力。
[0057] 表 1
[0058]
【权利要求】
1. 一种装置，包括： 控制电路，配置成生成具有可变频率的至少一个控制信号，所述可变频率是基于耦合 在电源电压与负载之间的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)的感测温度来确定 的；以及 栅极驱动电路，配置成基于所述至少一个控制信号来生成用于所述MOSFET的偏置电 压。
2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括： 温度传感器，配置成感测所述MOSFET的温度。
3. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制电路包括： 控制信号生成器，配置成接收具有所述可变频率的可变时钟信号并且基于所述可变时 钟信号来生成所述至少一个控制信号。
4. 如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述控制电路进一步包括： 温度补偿电路，配置成接收指示所述MOSFET的所述感测温度的输入信号并且基于所 述输入信号来确定时钟分频比；以及 时钟分频器，配置成基于所述时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得所述可变时 钟信号。
5. 如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述温度补偿电路包括： 量化器，配置成量化所述输入信号并且提供数字值；以及 查找表，配置成接收所述数字值并且提供所述时钟分频比。
6. 如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述温度补偿电路包括： 至少一个比较器，配置成将所述输入信号与至少一个阈值作比较并且提供至少一个输 出信号；以及 查找表，配置成接收所述至少一个输出信号并且提供所述时钟分频比。
7. 如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述控制电路包括： 振荡器，配置成接收指示所述MOSFET的所述感测温度的输入信号并且提供所述可变 时钟信号。
8. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极驱动电路包括： 电荷泵，配置成接收所述至少一个控制信号并且提供用于所述MOSFET的所述偏置电 压。
9. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述电荷泵被配置成接收参考电压并且在 所述MOSFET的栅极处提供所述偏置电压，所述偏置电压比所述MOSFET的源极电压高出由 所述参考电压确定的量。
10. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极驱动电路包括： 电容器，配置成由参考电压来充电并且向所述MOSFET提供所述偏置电压。
11. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述至少一个控制信号包括第一控制信 号和第二控制信号，并且所述栅极驱动电路进一步包括： 耦合在所述参考电压与所述电容器之间并且由所述第一控制信号控制的第一开关，以 及 耦合在所述电容器与所述MOSFET之间并且由所述第二控制信号控制的第二开关。
12. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极驱动电路具有针对第一感测温度 的第一驱动能力并且具有针对比所述第一感测温度高的第二感测温度的比所述第一驱动 能力大的第二驱动能力。
13. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极驱动电路针对第一感测温度基于 第一频率的所述至少一个控制信号来生成所述偏置电压，并且针对比所述第一感测温度高 的第二感测温度基于比所述第一频率高的第二频率的所述至少一个控制信号来生成所述 偏置电压。
14. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MOSFET在第一温度时具有第一栅极漏 泄电流并且在比所述第一温度高的第二温度时具有比所述第一栅极漏泄电流高的第二栅 极漏泄电流，所述栅极驱动电路在所述第一温度时提供第一偏置电流并且在所述第二温度 时提供比所述第一偏置电流高的第二偏置电流以计及较高的所述第二栅极漏泄电流。
15. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MOSFET包括N沟道MOSFET。
16. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制电路和所述栅极驱动电路被配置 成生成所述偏置电压以在预定的温度范围上使所述MOSFET的导通电阻保持在目标电阻范 围内。
17. -种方法，包括： 生成具有可变频率的至少一个控制信号，所述可变频率是基于向负载提供电源电压的 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)的感测温度来确定的；以及 基于所述至少一个控制信号来生成用于所述MOSFET的偏置电压。
18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成至少一个控制信号包括基于具 有所述可变频率的可变时钟信号来生成所述至少一个控制信号。
19. 如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述生成至少一个控制信号进一步包括： 基于指示所述MOSFET的所述感测温度的输入信号来确定时钟分频比；以及 基于所述时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得所述可变时钟信号。
20. 如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述确定时钟分频比包括： 量化所述输入信号以获得数字值；以及 基于所述数字值和查找表来确定所述时钟分频比。
21. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成偏置电压包括基于所述至少一 个控制信号和电荷泵来生成所述偏置电压。
22. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成偏置电压包括基于针对第一感 测温度的第一驱动能力以及基于针对比所述第一感测温度高的第二感测温度的比所述第 一驱动能力大的第二驱动能力来生成所述偏置电压。
23. -种设备，包括： 用于生成具有可变频率的至少一个控制信号的装置，所述可变频率是基于用于向负载 提供电源电压的装置的感测温度来确定的；以及 用于基于所述至少一个控制信号来生成用于所述用于提供的装置的偏置电压的装置。
24. 如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述用于生成至少一个控制信号的装置 包括用于基于具有所述可变频率的可变时钟信号来生成所述至少一个控制信号的装置。
25. 如权利要求24所述的设备，其特征在于，所述用于生成至少一个控制信号的装置 进一步包括： 用于基于指示所述用于提供的装置的所述感测温度的输入信号来确定时钟分频比的 装置；以及 用于基于所述时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得所述可变时钟信号的装置。
26. 如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述用于确定时钟分频比的装置包括： 用于量化所述输入信号以获得数字值的装置；以及 用于基于所述数字值来确定所述时钟分频比的装置。
27. 如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述用于生成偏置电压的装置包括用于 基于所述至少一个控制信号和电荷泵来生成所述偏置电压的装置。
28. 如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述用于生成偏置电压的装置包括用于 基于针对第一感测温度的第一驱动能力以及基于针对比所述第一感测温度高的第二感测 温度的比所述第一驱动能力大的第二驱动能力来生成所述偏置电压的装置。
29. -种计算机程序产品，包括： 非瞬态计算机可读介质，包括： 用于使至少一台计算机指导生成具有可变频率的至少一个控制信号的代码，所述可变 频率是基于向负载提供电源电压的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)的感测温度 来确定的；以及 用于使所述至少一台计算机指导基于所述至少一个控制信号来生成用于所述MOSFET 的偏置电压的代码。
【文档编号】H03K17/14GK104396143SQ201380034402
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2013年7月26日 优先权日:2012年7月26日
【发明者】N·S·梅达, L·K-A·马特 申请人:高通股份有限公司