功率器件开关放大保护电路的制作方法
【专利摘要】功率器件开关放大保护电路，包括保护电路；所述的保护电路包括电阻R1，PNP型三极管Q1,NPN型三极管Q2，电阻R2和电阻R4，其中,电阻R1的一端与三极管Q1的发射极相连，电阻R1的另一端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极相连，三极管Q1的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一MOS管T1的栅极连接，MOS管T1的栅极还与电阻R1连接，MOS管T1的源极通过电阻R4接地；在MOS管T1的源极与电阻R1间设有放大电路。本实用新型对功率器件开关进行保护，而且有效避免了MOS管开关的输入信号削弱现象，提高电路输出信号的品质，进而提高MOS管开关的控制质量。
【专利说明】 功率器件开关放大保护电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED控制电路，具体为功率器件开关放大保护电路。
【背景技术】
[0002]现有技术中，在功率器件的应用中，对过载及负载短路的保护十分重要，一些设备的损坏往往是由于缺少保护电路或保护电路不及时造成的，虽然有些专用集成电路集成了某种保护功能，但往往保护参数单一不能很方便地实现设计者意图。而没有使用具备保护功能集成电路的方案，则功率器件处于裸奔状态，随时面临意外情况下的损坏，即使有意单独设计保护电路,往往电路相对复杂,成本也相应较高；在皿)5管开关电路中，过载保护尤其重要，在生产实际中过载保护电路对于MOS管开关的输入信号会有一定的削弱作用，如何能够减小这种削弱作用，避免MOS管开关的工作受到影响，是亟待解决的问题。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种功率器件开关放大保护电路，以解决【背景技术】中的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]功率器件开关放大保护电路，包括保护电路；所述的保护电路包括电阻Rl，PNP型三极管Ql，NPN型三极管Q2，电阻R2和电阻R4，其中，电阻Rl的一端与三极管Ql的发射极相连，电阻Rl的另一端与三极管Ql的基极、三极管Q2的集电极相连，三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一 MOS管Tl的栅极连接，MOS管Tl的栅极还与电阻Rl连接，MOS管Tl的源极通过电阻R4接地；三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极以及电阻R2相连，电阻R4 —端接地，另一端与电阻R2 —端相连端相连；在MOS管Tl的源极与电阻Rl间设有放大电路，所述的放大电路括电容Cl、电容C2、放大器Ql和偏置电路，放大器Ql的两个接地端分别接地，放大器Ql的输入端与电容Cl连接，电容Cl与三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点和电阻Rl连接，放大器Ql的输出端分别与电容C2及偏置电路连接；所述的偏置电路包括电感L1、电容C3、电容C4和电阻R1，电感LI的一端与放大器Ql的输出端连接，电感LI的另一端通过电容C3接地，电感LI的另一端还与电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端通过电容C4接地，电阻LI的另一端还与电源VDD连接。
[0006]进一步的，所述的MOS管Tl为N沟道型MOS管。
[0007]与现有技术相比，本实用新型工作中当脉冲宽度调制(PWM)驱动信号为高电平且通过电阻Rl作用到MOS管后，MOS管开始导通并且电流开始增加，电阻R5上压降也同步增大，电阻R5上压降大于三极管Q2导通电压后，三极管Q2开始导通，电阻Rl压降开始增加，电阻Rl压降超过三极管Ql导通电压后，三极管Ql导通，三极管Ql导通的结果是使NPN三极管Q2的基极电压上升促使三极管Q2导通程度进一步加大，而三极管Q2导通程度的加大又促使三极管Ql导通程度的进一步加大，如此正反馈的结果是三极管Q2、三极管Ql快速进入了饱和自锁状态，由于NPN三极管Q2饱和，MOS管进入关断状态，R5上压降为0，但由于三极管Ql饱和抬高了三极管Q2基极电压，自锁状态仍然继续维持，MOS管处于持续关断状态，当PWM驱动信号为低电平，自锁状态解除，本实用新型中的放大电路有效避免了 MOS管开关的输入信号削弱现象，提高电路输出信号的品质，进而提高MOS管开关的控制质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0010]如图1所示的功率器件开关放大保护电路，包括保护电路；所述的保护电路包括电阻Rl，PNP型三极管Ql，NPN型三极管Q2，电阻R2和电阻R4，其中，电阻Rl的一端与三极管Ql的发射极相连，电阻Rl的另一端与三极管Ql的基极、三极管Q2的集电极相连，三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一 N沟道型MOS管Tl的栅极连接，MOS管Tl的栅极还与电阻Rl连接，MOS管Tl的源极通过电阻R4接地；三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极以及电阻R2相连，电阻R4 —端接地，另一端与电阻R2 —端相连端相连；在MOS管Tl的源极与电阻Rl间设有放大电路，所述的放大电路括电容Cl、电容C2、放大器Ql和偏置电路，放大器Ql的两个接地端分别接地，放大器Ql的输入端与电容Cl连接，电容Cl与三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点和电阻Rl连接，放大器Ql的输出端分别与电容C2及偏置电路连接；所述的偏置电路包括电感L1、电容C3、电容C4和电阻R1，电感LI的一端与放大器Ql的输出端连接，电感LI的另一端通过电容C3接地，电感LI的另一端还与电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端通过电容C4接地，电阻LI的另一端还与电源VDD连接。
[0011]当脉冲宽度调制(PWM)驱动信号为高电平且通过电阻Rl作用到MOS管后，MOS管开始导通并且电流开始增加，电阻R5上压降也同步增大，电阻R5上压降大于三极管Q2导通电压后，三极管Q2开始导通，电阻Rl压降开始增加，电阻Rl压降超过三极管Ql导通电压后，三极管Ql导通，三极管Ql导通的结果是使NPN三极管Q2的基极电压上升促使三极管Q2导通程度进一步加大，而三极管Q2导通程度的加大又促使三极管Ql导通程度的进一步加大，如此正反馈的结果是三极管Q2、三极管Ql快速进入了饱和自锁状态，由于NPN三极管Q2饱和，MOS管进入关断状态，R5上压降为0，但由于三极管Ql饱和抬高了三极管Q2基极电压，自锁状态仍然继续维持，MOS管处于持续关断状态，当PWM驱动信号为低电平，自锁状态解除。
[0012]放大电路有效避免了 MOS管开关的输入信号削弱现象，提高电路输出信号的品质，进而提闻MOS管开关的控制质量。
[0013]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.功率器件开关放大保护电路，其特征在于，功率器件开关放大保护电路，包括保护电路；所述的保护电路包括电阻Rl，PNP型三极管Ql，NPN型三极管Q2，电阻R2和电阻R4，其中，电阻Rl的一端与三极管Ql的发射极相连，电阻Rl的另一端与三极管Ql的基极、三极管Q2的集电极相连，三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一 MOS管Tl的栅极连接，MOS管Tl的栅极还与电阻Rl连接，MOS管Tl的源极通过电阻R4接地；三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极以及电阻R2相连，电阻R4 —端接地，另一端与电阻R2 —端相连端相连；在MOS管Tl的源极与电阻Rl间设有放大电路，所述的放大电路括电容Cl、电容C2、放大器Ql和偏置电路，放大器Ql的两个接地端分别接地，放大器Ql的输入端与电容Cl连接，电容Cl与三极管Ql的基极、三极管Q2集电极的连接点和电阻Rl连接，放大器Ql的输出端分别与电容C2及偏置电路连接；所述的偏置电路包括电感L1、电容C3、电容C4和电阻Rl，电感LI的一端与放大器Ql的输出端连接，电感LI的另一端通过电容C3接地，电感LI的另一端还与电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端通过电容C4接地，电阻LI的另一端还与电源VDD连接。
2.根据权利要求1所述的功率器件开关放大保护电路，其特征在于:所述的MOS管Tl为N沟道型MOS管。
【文档编号】H03K17/687GK204103886SQ201420506077
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日
【发明者】朱晓宏 申请人:江西双宏科技电气有限公司