一种总线逻辑电平双向转换电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于电子【技术领域】，尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。一种总线逻辑电平双向转换电路,该转换电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻，第一N沟道MOS管的源极接第一总线，第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源，第一N沟道MOS管的漏极接第二总线，并通过第一电阻接第二总线的第二电源；第二N沟道MOS管的源极接第二总线，第二N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源，第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过第二电阻接第一总线的第一电源，第二N沟道MOS管的漏极和第一N沟道MOS管的源极连接。本实用新型的电路成本低、结构简单，可以双向转换的逻辑电平转换电路。
【专利说明】一种总线逻辑电平双向转换电路
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子【技术领域】，尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。
【背景技术】
[0002]在电子产品设计，常常会遇到不同逻辑电平器件的混用，比如1.8V、3.3V、5V。由于接口逻辑电平不同，直接接口容易损坏器件，必须要进行电平转换。目前常用的转换方法:1:采用集成电路如74LVC4245之类，缺点是成本较高且无法实现双向转换；2:电阻限流+二极管钳位，缺点是低电平的容差较小，容易受干扰。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种总线逻辑电平双向转换电路，且本实用新型的电路成本低、结构简单，可以双向转换的逻辑电平转换电路。
[0004]为实现上述的目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]一种总线逻辑电平双向转换电路，其特征在于:该转换电路包括第一 N沟道MOS管、第二 N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻，所述的第一 N沟道MOS管的源极接第一总线，所述的第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源，所述的第一N沟道MOS管的漏极接第二总线，并通过所述的第一电阻接第二总线的第二电源；所述的第二 N沟道MOS管的源极接第二总线，第二 N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源，第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过所述的第二电阻接第一总线的第一电源，第二 N沟道MOS管的漏极和第一 N沟道MOS管的源极连接。
[0006]本实用新型的电路成本低、结构简单，可以双向转换的逻辑电平转换电路。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型电路结构图。
具体实施方案
[0008]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做一个详细的说明。
[0009]如图1所示的一种总线逻辑电平双向转换电路，其特征在于:该转换电路包括第一 N沟道MOS管Q1、第二 N沟道MOS管Q2、第一总线S1、第二总线S2、第一电阻Rl和第二电阻R2，所述的第一 N沟道MOS管Ql的源极接第一总线SI，所述的第一 N沟道MOS管Ql的栅极接第一总线SI的第一电源VL，所述的第一 N沟道MOS管Ql的漏极接第二总线S2，并通过所述的第一电阻Rl接第二总线S2的第二电源VH ;所述的第二 N沟道MOS管Q2的源极接第二总线S2，第二 N沟道MOS管Q2的栅极接第二总线S2的第二电源VH，第二 N沟道MOS管Q2的漏极接第一总线SI并通过所述的第二电阻R2接第一总线SI的第一电源VL，第二 N沟道MOS管Q2的漏极和第一 N沟道MOS管Ql的源极连接。
[0010]该电路有三种状态:
[0011]1、当第一总线S1、第二总线S2信号是高电平时，第一 N沟道MOS管Ql的栅极、源极电压相同，第一 N沟道MOS管Ql截止；第二 N沟道MOS管Q2的栅极、源极电压相同，第二N沟道MOS管Q2截止，此时第一总线SI被第二电阻R2上拉到第一电源VL，第一总线SI被第一电阻Rl上拉到第二电源VH。
[0012]2、当第一总线SI为低电平时，第一 N沟道MOS管Ql的源极也为低电平，而栅极接第一电源VL。VGS上升高于阀值，第一 N沟道MOS管Ql导通，第二总线S2被拉低到低电平。
[0013]3、当第二总线S2为低电平时，第二 N沟道MOS管Q2的源极也为低电平，而栅极接第二电源VH。VGS上升高于阀值，第二 N沟道MOS管Q2导通，第一总线SI被拉低到低电平。
【权利要求】
1.一种总线逻辑电平双向转换电路，其特征在于:该转换电路包括第一 N沟道MOS管(Q1)、第二 N沟道MOS管(Q2)、第一总线(SI)、第二总线(S2)、第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)，所述的第一N沟道MOS管(Ql)的源极接第一总线(SI)，所述的第一N沟道MOS管(Ql)的栅极接第一总线(SI)的第一电源(VL)，所述的第一 N沟道MOS管(Ql)的漏极接第二总线(S2)，并通过所述的第一电阻(Rl)接第二总线(S2)的第二电源(VH);所述的第二 N沟道MOS管(Q2)的源极接第二总线(S2)，第二 N沟道MOS管(Q2)的栅极接第二总线(S2)的第二电源(VH)，第二 N沟道MOS管(Q2)的漏极接第一总线(SI)并通过所述的第二电阻(R2)接第一总线(SI)的第一电源(VL)，第二 N沟道MOS管(Q2)的漏极和第一 N沟道MOS管(Ql)的源极连接。
【文档编号】H03K19/0175GK204119204SQ201420574927
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】丁文军 申请人:杭州天目电力科技有限公司