技术总结
本发明公开了一种强流离子源用弧电源，包括供电单元和用于输出弧电流的离子源输出端，供电单元经DC/DC变换器给离子源输出端供电，DC/DC变换器采用不对称H桥拓扑结构，该不对称H桥拓扑结构包括四个桥臂：第一桥臂和第二桥臂分别和离子源输出端的正极相连，第三桥臂和第四桥臂分别和离子源输出端的负极相连，在第一桥臂上设置有至少两个错相并联的BUCK变换器，BUCK变换器中的二极管为第二桥臂共用，在第三桥臂上设置有一个绝缘栅双极型晶体管，在第四桥臂上设置有一个二极管。本发明的强流离子源用弧电源，大大提高了系统的di/dt，这样一方面不需要设置电流转移电路，即可完成打坑操作，且打坑深度0～100％连续可调，电流打坑宽度不再受时间限制。
技术研发人员：阳璞琼;宣伟民;魏会领;姜飚;章辉;其他发明人请求不公开姓名
受保护的技术使用者：核工业西南物理研究院;江苏同芯电气科技有限公司
文档号码：201510159091
技术研发日：2015.04.07
技术公布日：2016.11.23