技术总结
本公开涉及传输门电路。一种传输门电路包括通路门和控制电路，并且在特征模式下提供对闪存存储器的高压保护和在正常模式下提供具有真正的漏极开路功能的低电阻路径。与通路门串联的本征NMOSFET为额外的电路提供过压保护。阱偏置、栅极跟踪和内部节点钳位电路确保通路门和控制电路的全部器件工作在安全工作电压电平内。可以由使能信号选择两种工作模式。在真正的漏极开路模式下，传输门电路能够支持直至5.5伏特的输入，同时提供3.3伏特的输入/输出电源电压。
技术研发人员：张文忠;M·A·斯托金戈
受保护的技术使用者：飞思卡尔半导体公司
文档号码：201510325845
技术研发日：2015.04.03
技术公布日：2016.11.23