一种具有抑制电磁干扰的驱动电路的制作方法

本发明涉及一种驱动电路，特别涉及一种具有抑制电磁干扰(ElectroMagnetic Interference,EMI)效果的驱动电路。

背景技术：

尽管公知的卤素灯泡虽然亮度高而常应用于投射灯，但是由于其耗电量较大(例如50W)，所以已渐渐被低瓦数(例如3W～10W)的发光二极管(LED)投射灯泡所取代。

在公知的一种LED投射灯中，例如标准的MR16(Multifaceted Reflector,多重反射罩)型LED投射灯泡，其驱动电路并无法通过电磁干扰的安规要求(EN55015class B)，甚至超过安规标准达20dB。目前解决电磁干扰问题通常是通过共模扼流圈(Common mode Choke，或称共模电感或共模线圈)来实现。不过，此类元件在原本电路所要求的电流下，体积相当大，无法置入标准的MR16型(ANSI标准，例如ANSI C78.1413-2001)灯泡内。另外，也有使用缓冲(snubber)电路来抑制高频切换所造成的电磁干扰，但是，加入该缓冲电路后对发光效率影响大，而且抑制电磁干扰的效果也相当有限(只有5～10dB的抑制能力)，无法达到安规上的要求。

技术实现要素：

本发明的目的为提供一种具有抑制电磁干扰的驱动电路。本发明的驱动电路可在特定的空间要求下达到抑制电磁干扰的效果。优选的，电磁干扰的抑制效果更可达到法规上要求。

为实现上述目的，依据本发明的一种具有抑制电磁干扰的驱动电路，其驱动发光单元发光，驱动电路包括驱动单元、电源切换单元以及定电流单元。电源切换单元与驱动单元耦接，并具有电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗元件、第二阻抗元件及第三阻抗元件，电感的第一端耦接驱动单元，其第二端分别耦接二极管及第一晶体管，第一晶体管的第三端耦接于接地端，第一阻抗元件连接于二极管的第一端或第二端，第二阻抗元件连接于第一晶体管的第一端或第三端，第三阻抗元件的第一端连接第一晶体管的第二端，且 第三阻抗元件的第二端耦接驱动单元。定电流单元分别与电源切换单元、驱动单元及发光单元耦接，且驱动单元控制定电流单元输出一定电流驱动发光单元发光。

在一个实施例中，第一阻抗元件连接在电感的第二端与二极管的第一端之间，第一晶体管的第一端分别连接电感的第二端与第一阻抗元件的第一端，且第二阻抗元件连接于第一晶体管的第三端与接地端之间。

在一个实施例中，第一阻抗元件连接在电感的第二端与二极管的第一端之间，第二阻抗元件的第一端分别连接于电感的第二端与第一阻抗元件的第一端，第二阻抗元件的第二端连接第一晶体管的第三端，且第一晶体管的第三端连接接地端。

在一个实施例中，电感的第二端分别连接二极管的第一端与第一晶体管的第一端，第一阻抗元件连接在二极管的第二端与定电流单元之间，且第二阻抗元件连接在第一晶体管的第三端与接地端之间。

在一个实施例中，电感的第二端分别连接二极管的第一端与第二阻抗元件的第一端，第一阻抗元件连接在二极管的第二端与定电流单元之间，第二阻抗元件的第二端连接第一晶体管的第一端，且第一晶体管的第三端连接接地端。

在一个实施例中，电源切换单元的第一阻抗元件或第二阻抗元件或第三阻抗元件为磁珠或电阻。

在一个实施例中，电源切换单元的电感、二极管、第一晶体管、第一阻抗元件、第二阻抗元件及第三阻抗元件整合成集成电路。

在一个实施例中，驱动电路进一步包括整流单元及检测单元。整流单元耦接驱动单元及电源切换单元。检测单元分别与整流单元、电源切换单元及驱动单元耦接。

在一个实施例中，驱动电路进一步包括泄能单元，其分别与电源切换单元、定电流单元与驱动单元耦接，且泄能单元与相位调光器配合应用。

在一个实施例中，定电流单元具有第一电容、第四阻抗元件及第五阻抗元件，第一电容的第一端分别连接电源切换单元的二极管的第二端及第四阻抗元件的第一端，第四阻抗元件的第二端连接发光单元的第一端，第五阻抗元件的第一端连接第一电容的第二端，其第二端连接发光单元的第二端。

在一个实施例中，定电流单元进一步具有第一电阻、第二电阻及第二晶 体管，第一电阻的第一端分别连接第五阻抗元件的第一端与第一电容的第二端，其第二端分别连接第二电阻的第一端与驱动单元，第二电阻的第二端连接接地端，且第二晶体管的第二端与第三端分别耦接驱动单元。

在一个实施例中，定电流单元进一步具有第三电阻与第二电容，第二电容的第一端连接第二晶体管的第二端及驱动单元，第三电阻的第一端分别连接第二晶体管的第三端及驱动单元，其第二端连接接地端。

在一个实施例中，第四阻抗元件或第五阻抗元件为磁珠或电阻。

在一个实施例中，驱动电路应用于多重反射罩型的发光二极管灯泡。

承上所述，在本发明的驱动电路中，由于主要电磁干扰的原因来自于驱动电路的集成电路的工作频率过高，并且在电源切换单元所产生的问题较为严重。因此，本发明通过设置多个阻抗元件于电源切换单元中，不仅使驱动电路可符合灯泡特定的电路空间要求外，也可达到抑制电磁干扰的效果。在一个实施例中，除了设置多个阻抗元件于电源切换单元外，更在定电流单元上另设置多个阻抗元件，同样可符合灯泡的特定电路空间要求外，更使电磁干扰的抑制效果可达到法规上要求。

附图说明

图1为本发明优选实施例的一种具有抑制电磁干扰的驱动电路的功能方块示意图。

图2A为实施例的驱动电路的电路示意图。

图2B为图2A的驱动电路的电源切换单元的电路放大示意图。

图2C至图2E分别为本发明优选实施例不同实施方式的驱动电路的电路示意图。

图2F为图2E的驱动电路的定电流单元的电路放大示意图。

图3A与图3B、图4A与图4B分别为在本发明实施例中，驱动电路加上阻抗元件前与加上阻抗元件后，在不同工作频率下的电磁干扰曲线示意图。

具体实施方式

以下将参照相关附图，说明依据本发明优选实施例的具有抑制电磁干扰的驱动电路，其中相同的元件将以相同的附图标记加以说明。

请参照图1、图2A及图2B所示，其中，图1为本发明优选实施例的一 种具有抑制电磁干扰的驱动电路1的功能方块示意图，图2A为实施例的驱动电路1的电路示意图，而图2B为图2A的驱动电路1的电源切换单元14的电路放大示意图。

本实施例的驱动电路1具有抑制电磁干扰的功能而可应用于例如但不限于驱动标准的MR型的发光二极管灯泡，由此驱动包含至少一个发光二极管的发光单元2发光。由于MR16型灯泡的电路设置空间相当有限，因此驱动电路1具有特定空间尺寸的限制。其中，“MR”是代表多重反射罩(Multifaceted Reflector)的意思，而MR16表示该灯泡的前直径是2英吋(即口径约5厘米长)。换言之，本实施例的驱动电路1是解决在MR16型灯泡的特定空间要求下，可达到抑制电磁干扰(EMI)的效果，优选的，更可达到安规上的要求。不过，在不同的实施例中，驱动电路1也可应用于其它型式的发光二极管灯泡上，并不限定只可应用于标准的MR型的发光二极管灯泡的电路。

如图1所示，驱动电路1包括驱动单元11、电源切换单元14以及定电流单元16。另外，本实施例的驱动电路1进一步包括整流单元12、检测单元13及泄能单元15。其中，以下所述的“耦接”可为实体的电性连接或通过其它元件的实体电性连接或非实体的信号连接，并不限定。另外，“连接”可为实体元件的直接连接，或者是通过其它元件的间接连接，也不限定。

如图1所示，驱动单元11分别与整流单元12、检测单元13、电源切换单元14、泄能单元15及定电流单元16耦接，并输出控制信号控制检测单元13、电源切换单元14与定电流单元16，由此控制定电流单元16输出一定电流驱动发光单元2发光。在本实施例中，驱动单元11是由集成电路(标示为IC1)、四个电容(标示为C6、C7、C_VCC、C_OFF)及一个电阻(标示为R_OFF)所构成的电路，其连结关系可参照图2A，本领域技术人员由图2A的电路示意图中可清楚了解这些元件的连接关系，不再赘述。

整流单元12耦接驱动单元11、检测单元13及电源切换单元14，并可接收输入电压。其中，输入电压可依据整流单元12与发光单元2的设计需求而不同(不同的实施方式可具有不同的输入电压)；在一个实施例中，输入电压例如可为交流(AC)12V或直流(DC)12V；在不同的实施例中，输入电压也可为其它电压值，并不限定，视整流单元12的规格与发光单元2的LED的需求规格而定。其中，输入电压经整流单元12整流后，可得到直流电而输 入检测单元13。本实施例的整流单元12为全波整流单元，并可为桥式整流器，如图2A所示，其包含4个二极管DB1～DB4，桥式整流器(二极管DB1～DB4)的连结关系为公知技术，在此不再多作说明。

检测单元13是由三个电容(标示为C3、C4、C5)、三个电阻(标示为R4、R5、R6)、一个二极管(标示为D2)与一个晶体管(标示为Q3)所构成的电路。其中，晶体管Q3的一端会通过电容C3与整流电路12及电源切换单元14连接，其另一端耦接电源切换单元14及驱动单元11的集成电路IC1(接脚3)。另外，晶体管Q3的控制端(闸极)连接电容C4与电阻R4，并连接至驱动电路11的集成电路IC1(接脚4)，以接受集成电路IC1的控制而导通或截止。此外，二极管D2的阳极通过电阻R5连接至集成电路IC1(接脚5)，并分别与电阻R6及电容C6连接，且二极管D2的阴极与输入端及整流单元12的二极管DB4连接。检测单元13的元件的详细连结关系可参照图2A。

本实施例的整流单元12与检测单元13是为了解决变压器兼容性问题而设置，此兼容性是指原本的变压器是提供给例如50W卤素灯泡使用，但当驱动具有LED的发光单元2时，由于负载特性的不同，功率也较低(例如3W～10W)，因此当利用原本给卤素灯所使用的电路而配接到驱动具有LED的发光单元2时，可能会造成LED无法启动或闪烁的情况。因此，本实施例需要加上整流单元12与检测单元13，以克服LED无法启动或闪烁的问题。在不同的实施例中，可不需设置整流单元12与检测单元13。

另外，请同时参照图2A及图2B所示，电源切换单元14分别与驱动单元11、整流单元12、检测单元13、泄能单元15及定电流单元16耦接。本实施例的电源切换单元14具有电感L1、二极管D1、第一晶体管Q1、第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3。另外，电源切换单元14进一步具有电阻R0。

电感L1的第一端耦接驱动单元11，其第二端分别耦接二极管D1及第一晶体管Q1，而第一晶体管Q1的第三端耦接于接地端。另外，第一阻抗元件B1连接于二极管D1的第一端或第二端，第二阻抗元件B2连接于第一晶体管Q1的第一端或第三端，第三阻抗元件B3的第一端连接第一晶体管Q1的第二端，且第三阻抗元件B3的第二端耦接驱动单元11。

在本实施例中，电感L1的第一端通过检测单元13耦接于驱动单元11。 于此，电感L1的第一端连接检测单元13的电容C3的一端及整流单元12的输出端(二极管DB3的阴极)，使得整流单元12的输出端输出的信号可被电感L1接收，而电感L1的第二端分别连接第一阻抗元件B1的第一端及第一晶体管Q1的第一端，且第一阻抗元件B1连接在电感L1的第二端与二极管D1的第一端(阳极)之间。另外，第一晶体管Q1的第一端分别连接电感L1的第二端与第一阻抗元件B1的第一端，且第二阻抗元件B2连接在第一晶体管Q1的第三端与接地端之间。

另外，二极管D1的第二端(阴极)分别连接泄能单元15、驱电单元11的集成电路IC1(接脚14)与定电流单元16。另外，第一晶体管Q1的第二端(控制端、闸极)连接第三阻抗元件B3的第一端，且第三阻抗元件B3的第二端连接驱动单元11的集成电路IC1(接脚1)。此外，电阻R0的第一端分别连接检测单元13的晶体管Q3的第三端与驱动单元11的集成电路IC1(接脚3)，其第二端分别连接第二阻抗元件B2的第二端、驱动单元11的集成电路IC1(接脚2、12)及接地端。

驱动单元11的集成电路IC1输出高频的切换信号，例如但不限于为脉宽调变(Pulse width modulation,PWM)信号控制第一晶体管Q1工作在导通/截止区，以控制第一晶体管Q1的切换动作，进而通过电感L1储能而提供驱动发光单元2所需的电压与电流；由于集成电路IC1的高频的工作频率会使驱动电路1产生电磁干扰的问题，因此，本实施例的电源切换单元14是在升压(Boost)电路架构中，通过加入三个阻抗元件(第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3)来抑制电磁干扰。

第一阻抗元件B1或第二阻抗元件B2或第三阻抗元件B3可为磁珠(Ferrite Bead)或电阻。本实施例是以第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2及第三阻抗元件B3分别为磁珠为例。磁珠是由一种铁氧体的合金粉末所构成的元件，而合金的材质会影响滤波作用的频带；当电磁干扰射入此磁珠的材料表面时会在元件表面形成一层极薄的磁性壁，壁内部的磁性材料会因为外部射入的电磁能量形成自旋进动效应而产生分子间的相互磨擦，由此将电磁干扰的能量转化为热能消散掉。本实施例通过在电源切换单元14中加入第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2与第三阻抗元件B3，可抑制高频的电磁干扰信号。此外，在一个实施例中，第一阻抗元件B1、第二阻抗元件B2与第三阻抗元件B3可与电感L1、二极管D1、第一晶体管Q1及电阻R0整合成一个 集成电路(也即将电源切换单元14的元件整合，且制作成IC)，由此减少空间上的使用，而且更能符合MR16型灯泡的电路设置空间。

另外，泄能(Bleeder)单元15分别与电源切换单元14、定电流单元16与驱动单元11耦接。泄能单元15主要是为了搭载硅控整流(TRIAC)相位调光器所设置。换言之，泄能单元15使得LED驱动器可与硅控整流的调光器兼容，以达到调光的目的。本实施例的泄能单元15为电阻R4，电阻R4的一端分别连接电源切换单元14的二极管D1的阴极、电容C6、电容C7的一端及定电流单元16，且电阻R4的另一端连接驱动单元11的集成电路IC1(接脚15)。在另一个实施例中，也可不设置泄能单元15。

定电流单元16分别与泄能单元15、电源切换单元14、驱动单元11及发光单元2耦接，且驱动单元11可控制定电流单元16输出一定电流驱动发光单元2发光。如图2A所示，本实施例的定电流单元16具有第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第二晶体管Q2与第二电容C2。本实施例的第一晶体管Q1、第二晶体管Q2与第三晶体管Q3可例如但不限于分别为n通道的金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。

第一电容C1的第一端分别连接电源切换单元14的二极管D1的第二端及发光单元2的第一端(正极)，而第一电容C1的第二端分别连接第一电阻R1的第一端、第二晶体管Q2的第一端及发光单元2的第二端(负极)。另外，第一电阻R1的第二端分别连接第二电阻R2的第一端与驱动单元11的集成电路IC1(接脚11)，而第二电阻R2的第二端分别连接驱动单元11的集成电路IC1(接脚12)与接地端，且第二晶体管Q2的第二端(控制端、闸极)与第三端分别耦接驱动单元11的集成电路IC1(接脚9、接脚10)。此外，第二电容C2的第一端也连接第二晶体管Q2的第二端(控制端、闸极)及驱动单元11的集成电路IC1(接脚9)，且第三电阻R3的第一端分别连接第二晶体管Q2的第三端及驱动单元11的集成电路IC1(接脚10)，其第二端连接接地端及集成电路IC1(接脚12)。

在本实施例中，第二晶体管Q2的控制端(闸极)接受集成电路IC1的控制而工作在其线性区，以依据闸极输入电流开启第二晶体管Q2的通道比例，使由第二晶体管Q2的第二端流至第三端的电流为定电流，进而使流过发光单元2的电流为定电流，由此驱动发光单元2发光。

另外，请分别参照图2C及图2D所示，其分别为本发明优选实施例不同实施方式的驱动电路1a、1b的电路示意图。

如图2C所示，驱动电路1a的电源切换单元14a的第一阻抗元件B1一样连接在电感L1的第二端与二极管D1的第一端之间，但是，与图2A的驱动电路1主要的不同在于，电源切换单元14a的第二阻抗元件B2的第一端分别连接于电感L1的第二端与第一阻抗元件B1的第一端，而第二阻抗元件B2的第二端连接第一晶体管Q1的第二端，且第一晶体管Q1的第三端分别连接接地端及电阻R0的第二端。

另外，如图2D所示，驱动电路1b的电源切换单元14b的第二阻抗元件B2一样连接在第一晶体管Q1的第三端与接地端之间，但是，与图2A的驱动电路1主要的不同在于，电源切换单元14b的电感L1的第二端分别连接二极管D1的第一端与第一晶体管Q1的第一端，而第一阻抗元件B1连接在二极管D1的第二端(阴极)与泄能单元15、定电流单元16之间。

此外，驱动电路1a、1b的其它技术特征可参照驱动电路1的相同元件，不再赘述。

再一提的是，在另一实施方式中(图未显示)，驱动电路的第一阻抗元件B1可连接在二极管D1的第二端与定电流单元16之间，而电感L1的第二端可分别连接二极管D1的第一端与第二阻抗元件B2的第一端，第二阻抗元件B2的第二端连接第一晶体管Q1的第一端，且第一晶体管Q1的第三端连接接地端。换言之，在不同实施方式中，相对于驱动电路1b而言，当第二阻抗元件B2连接于电感L1的第二端(及二极管D1的第一端)与第一晶体管Q1的第一端之间时，驱动电路同样也具有抑制电磁干扰的效果。

另外，请分别参照图2E及图2F所示，其中，图2E为本发明优选实施例又一实施方式的驱动电路1c的电路示意图，而图2F为图2E的驱动电路1c的定电流单元16c的电路放大示意图。

如图2E及图2F所示，相对于图2A的驱动电路1而言，本实施方式的驱动电路1c与图2A的驱动电路1主要的不同在于，驱动电路1c的定电流单元16c除了具有第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第二晶体管Q2与第二电容C2之外，本实施例的定电流单元16c更具有第四阻抗元件B4及第五阻抗元件B5。其中，第一电容C1的第一端分别连接电源切换单元14的二极管D1的第二端及第四阻抗元件B4的第一端，第四阻抗元件 B4的第二端连接发光单元2的第一端(正极)，而第五阻抗元件B5的第一端连接第一电容C1的第二端，其第二端连接发光单元2的第二端(负极)。另外，第一电阻R1的第一端分别连接第五阻抗元件B5的第一端与第一电容C1的第二端，其第二端分别连接第二电阻R2的第一端与驱动单元11的集成电路IC1(接脚11)，而第二电阻R2的第二端分别连接驱动单元11的集成电路IC1(接脚12)与接地端，且第二晶体管Q2的第二端(控制端、闸极)与第三端分别耦接驱动单元11的集成电路IC1(接脚9、接脚10)。此外，第二电容C2的第一端连接第二晶体管Q2的第二端(控制端、闸极)及驱动单元11的集成电路IC1(接脚9)，且第三电阻R3的第一端分别连接第二晶体管Q2的第三端及驱动单元11的集成电路IC1(接脚10)，其第二端连接接地端。

同样地，本实施例的第二晶体管Q2的闸极接受集成电路IC1的控制而工作在其线性区，以依据闸极输入电流开启第二晶体管Q2的通道比例，使由第二晶体管Q2的第二端流至第三端的电流为定电流，进而使流过发光单元2的电流为定电流，由此驱动发光单元2发光。不过，由于集成电路IC1控制第二晶体管Q2也会产生电磁干扰的问题，因此，本实施例进一步通过于定电流单元16c中加入二个阻抗元件B4、B5来抑制第二晶体管Q2所产生的电磁干扰问题。第四阻抗元件B4或第五阻抗元件B5也可为磁珠或电阻。本实施例是以第四阻抗元件B4与第五阻抗元件B5分别为磁珠为例。

另外，请参照图3A至图4B所示，其中，图3A与图3B、图4A与图4B分别为本发明实施例中，驱动电路加上阻抗元件(B1～B5)前与加上阻抗元件后(即图2E的驱动电路1c)，在不同工作频率下的电磁干扰曲线示意图。其中，图3A与图3B为水平性能(Horizontal Performance)上的电磁波曲线图，而图4A与图4B为垂直性能(Vertical Performance)上的电磁波曲线图。

如图3A所示，折线L为MR16型LED灯泡在不同频率的安规标准。在水平性能的测试上，在加入阻抗元件(B1～B5，磁珠)之前，驱动电路的集成电路IC1在不同工作频率下所产生的电磁波的峰值(点1～5)都超过折线L(安规标准)，且超过的最高值(点5)达到23.99dB。不过，如图3B所示，在设置三个阻抗元件(B1、B2、B3)于电源切换单元14内及设置二个阻抗元件(B4、B5)于定电流单元16c内之后，在不同工作频率下所产生的电磁波的峰值(点1～3)最高只有24dB左右，均低于法规的要求。

另外，如图4A所示，在垂直性能的测试上，在加入阻抗元件(B1～B5， 磁珠)之前，驱动电路在不同工作频率下所产生的电磁波的峰值(点1～7)都超过安规标准，且超过最高值(点7)达到19.75dB。不过，如图4B所示，在设置三个阻抗元件(B1、B2、B3)于电源切换单元14内及设置二个阻抗元件(B4、B5)于定电流单元16c内之后，不同工作频率下所产生的电磁波的峰值(点1～4)最高约为30dB左右，也符合法规的要求。

承上，在本实施的驱动电路1、1a～1c中，由于主要电磁干扰的原因来自于驱动电路11的集成电路IC1的工作频率过高，并且在电源切换单元与定电流单元所产生的EMI问题较严重，因此，在驱动电路1、1a、1b中，通过对应设置三个阻抗元件(B1、B2、B3)于电源切换单元14、14a、14b，另在驱动电路1c中，设置二个阻抗元件(B4、B5)于定电流单元16c中，不仅使得驱动电路1、1a～1c可符合标准MR16型LED灯泡的特定空间要求外，并可达到抑制电磁干扰的效果，而且在驱动电路1c的实施例中，电磁干扰的抑制效果更可达到法规上要求。

另外，补充说明的是，原本驱动发光单元2的电路若不设置上述任何的阻抗元件B1～B5时，则EMI将超过安规标准约20～30dB之间。若像公知技术一样，通过共模扼流圈来抑制EMI的话，虽然具有抑制EMI的效果，但无法将全部驱动电路置于标准的MR16型灯泡内；若通过加入缓冲电路来抑制EMI的话，则不仅对发光效率影响较大，而且抑制EMI扰的效果也相当有限(只有5～10dB的抑制能力)，无法达到安规上的要求。而通过本发明复合元件的电路设计，不仅可将电路元件置于标准的MR16型灯泡内，而且可以解决EMI超标的问题。再者，在上述的电源切换单元14、14a、14b中，阻抗元件B1～B3可与其它的元件整合成一个集成电路(也即将电源切换单元14的元件整合，且制作成IC)，由此减少空间上的使用。此外，由于标准MR16型LED灯泡的电路设置空间有限，在实施上，驱动电路1、1a～1c是使用4层板，日后若使用更小的元件或是使用整合外部零件的IC或晶体管的话，则可不限定于使用4层板，也可简化至例如2层板。

综上所述，在本发明的驱动电路中，由于主要电磁干扰的原因来自于驱动电路的集成电路的工作频率过高，并且在电源切换单元所产生的问题较为严重。因此，本发明通过设置多个阻抗元件于电源切换单元中，不仅使驱动电路可符合灯泡特定的电路空间要求外，也可达到抑制电磁干扰的效果。在一个实施例中，除了设置多个阻抗元件于电源切换单元外，更在定电流单元 上另设置多个阻抗元件，同样可符合灯泡的特定电路空间要求外，更使驱动电路的电磁干扰的抑制效果可达到法规上要求。

以上所述仅为举例性，而非为限制性的。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含在随附的申请专利范围中。