1.一种装置，包括：
第一偏置电路，其配置成生成根据第一斜率随温度变化的第一电流；
第二偏置电路，其配置成生成根据第二斜率随温度变化的第二电流；
低噪声放大器，其包括响应于所述第一偏置电路的输出的跨导级；以及
负载，其耦合到所述低噪声放大器的输出且响应于所述第二偏置电路的输出。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述负载包括选择性升压电路，所述选择性升压电路包括有源电路和至少一个无源电路元件。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一偏置电路包括耦合到所述第一偏置电路的第一输出节点的多个电流贡献级，并且其中所述第二偏置电路包括耦合到所述第二偏置电路的第二输出节点的多个电流贡献级。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一偏置电路的每个电流贡献级包括：
第一晶体管，其耦合到所述第一输出节点并且配置成向所述第一输出节点提供与绝对温度成比例(PTAT)的电流；
第二晶体管，其耦合到所述第一输出节点并且配置成从所述第一输出节点提供带隙电流；以及
使能电路，其用以选择性地激活所述第一晶体管和所述第二晶体管。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一斜率基于所述低噪声放大器的温度，并且所述第二斜率基于所述负载的温度。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，当所述第二温度在第一温度区域内时，所述第二斜率为负，并且其中当所述第二温度在第二温度区域内时，所述第二斜率为正。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一温度区域低于所述第二温度区域。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述跨导级包括响应于 所述第一电流的晶体管。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一偏置电路包括：
可操作以生成与绝对温度成比例(PTAT)的电流的PTAT电流源；
可操作以生成带隙电流的带隙电流源；
响应于第一级选择码的第一多个晶体管，其中所述第一多个晶体管可操作以基于所述第一级选择码来调节所述PTAT电流的幅值；以及
响应于第二级选择码的第二多个晶体管，其中所述第二多个晶体管可操作以基于所述第二级选择码来调节所述带隙电流的幅值。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一多个晶体管对应于PTAT电流二进制数模转换器(DAC)，并且其中所述第二多个晶体管对应于带隙电流二进制DAC。
11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一斜率是基于具有参考斜率的与绝对温度成比例(PTAT)的参考电流的，并且其中所述第一斜率与所述参考斜率之比大于1。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一斜率大于所述第二斜率。
13.一种装备，包括：
用于使用根据第一斜率随温度变化的第一电流来偏置低噪声放大器的装置；以及
用于使用根据第二斜率随温度变化的第二电流来偏置所述低噪声放大器的负载的装置。
14.如权利要求13所述的装备，其特征在于，所述第一斜率被确定为与绝对温度成比例(PTAT)的参考电流和带隙参考电流的第一函数，并且其中所述第二斜率被确定为所述PTAT参考电流和所述带隙参考电流的第二函数。
15.如权利要求13所述的装备，其特征在于，所述第一斜率是分段线性的，并且其中所述第二斜率是分段线性的。
16.如权利要求15所述的装备，其特征在于，当所述第二温度在第一温度区域内时，所述第二斜率为负，并且其中当所述第二温度在第二温 度区域内时，所述第二斜率为正。
17.如权利要求13所述的装备，其特征在于，所述负载包括选择性升压电路。
18.一种方法，包括：
使用根据第一斜率随温度变化的第一电流来偏置第一设备；以及
偏置耦合到所述第一设备的输出的第二设备，所述第二设备是使用根据第二斜率随温度变化的电流来偏置的。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括：
接收第一数字码并且基于所述第一数字码来控制所述第一斜率；以及
接收第二数字码并且基于所述第二数字码来控制所述第二斜率。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，基于所述第一数字码来控制所述第一斜率包括根据所述第一数字码的值来选择性地启用第一偏置电路中的第一数目的电流贡献级，并且其中基于所述第二数字码来控制所述第二斜率包括根据所述第二数字码的值来选择性地启用第二偏置电路中的第二数目的电流贡献级。