梯型滤波器、双工器和模块的制作方法

本发明的特定方面涉及梯型滤波器、双工器和模块。

背景技术：

梯型滤波器已经用在高频通信系统中。已经知道将电感器连接在梯型滤波器和地之间，如日本专利申请公开No.2002-314372(专利文献1)中公开的。还已经知道将电容器连接在地端子和并联谐振器的串联臂之间，如日本专利申请公开No.2014-17537(专利文献2)中公开的。

专利文献1和2中公开的技术允许在梯型滤波器的通带外部形成衰减极点。当形成衰减极点时，在连接电感器之前和之后，要求不劣化带通的损耗和包括隔离特性的特性。例如，如果由于添加了电感器导致谐振器的谐振频率改变，则梯型滤波器的特性改变。

技术实现要素：

根据本发明的第一方面，提供了一种梯型滤波器，所述梯型滤波器包括：一个或更多个串联谐振器，其串联连接在输入端子与输出端子之间；一个或更多个并联谐振器，其并联连接在所述输入端子与所述输出端子之间；划分的并联谐振器，其是通过串联地划分所述一个或更多个并联谐振器中的至少一个并联谐振器而形成的；以及电感器，其第一端连接到第一节点并且其第二端连接到第二节点，所述第一节点位于从所述输入端子通过所述一个或更多个串联谐振器到所述输出端子的路径中，所述第二节点位于所述划分的并联谐振器之间。

根据本发明的第二方面，提供了一种双工器，所述双工器包括：发送滤波器，其连接在发送端子与公共端子之间；以及接收滤波器，其连接在接收端子与所述公共端子之间，其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一个是以上的梯型滤波器。

根据本发明的第三方面，提供了一种模块，所述模块包括：以上的梯型滤波器。

附图说明

图1是按照第一实施方式的滤波器的电路图；

图2是使用第一实施方式的滤波器的双工器的电路图；

图3A至图3C示出第一实施方式和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性；

图4A和图4B示出第一实施方式和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性，并且图4C示出第一实施方式和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性；

图5A和图5B是示出第一实施方式和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图(Smith chart)；

图6A至图6C示出当在第一实施方式中电感器L1的电感变化时的通过特性；

图7A和图7B示出当在第一实施方式中电感器L1的电感变化时的通过特性，并且图7C示出当在第一实施方式中电感器L1的电感变化时的隔离特性；

图8A和图8B分别是并联臂A和B的电路图；

图9A至图9C示出并联臂A和B的通过特性；

图10A和图10B分别是并联臂C和D的电路图；

图11A至图11C示出并联臂B至D的通过特性；

图12是使用第一实施方式的第一变形例的滤波器的双工器的电路图；

图13A至图13C示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性；

图14A和图14B示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性，并且图14C示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性；

图15A和图15B是示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图；

图16是使用第一实施方式的第二变形例的滤波器的双工器的电路图；

图17A至图17C示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性；

图18A和图18B示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性，并且图18C示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性；

图19A和图19B是示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图；

图20是形成第二实施方式中使用的滤波器的滤波器芯片的平面图；

图21是按照第二实施方式的声波装置的剖视图；

图22是按照第二实施方式的第一变形例的声波装置的剖视图；

图23是按照第二实施方式的第二变形例的声波装置的平面图；以及

图24是按照第三实施方式的包括模块的系统的框图。

具体实施方式

下文中，将参照附图描述本发明的实施方式。

第一实施方式

图1是按照第一实施方式的滤波器的电路图。如图1中所示，滤波器100是梯型滤波器，并且包括一个或更多个串联谐振器S1至S4、一个或更多个并联谐振器P1至P4和电感器L1。串联谐振器S1至S4串联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。并联谐振器P1至P4并联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。并联谐振器P4被串联地划分成并联谐振器P41和P42。电感器L1的第一端连接到串联谐振器S4和输入端子Tin之间的节点N1。电感器L1的第二端连接到划分的并联谐振器之P41和P42之间的节点N2。

模拟第一实施方式的滤波器的特性。图2是使用第一实施方式的滤波器的双工器的电路图。如图2中所示，双工器102包括发送滤波器80和接收滤波器82。发送滤波器80连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。接收滤波器82连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。电感器L0连接在公共端子Ant和地之间。发送滤波器80使从发送端子Tx输入的信号之中的、在发送带内的信号通过，到达公共端子Ant，并且抑制其他带中的信号。接收滤波器82使从公共端子Ant输入的信号之中的、在接收带内的信号通过，并且抑制其他带中的信号。电感器L0用作匹配电路。双工器102支持带7，并且具有2.50GHz至2.57GHz的发送带和2.62GHz至2.69GHz的接收带。

发送滤波器80对应于滤波器100。滤波器100的串联谐振器S1至S4分别串联地划分成串联谐振器ST11和ST12、ST21和ST22、ST31和ST32、ST41和ST42。并联谐振器PT1至PT4分别对应于并联谐振器PT1、划分的并联谐振器PT21和PT22、PT3、划分的并联谐振器PT41和PT42。并联谐振器PT1的地端子通过电感器L2连接到地。并联谐振器PT22和PT3的地端子通过电感器L3公共地连接到地。并联谐振器PT42的地端子通过电感器L4连接到地。

接收滤波器82包括串联谐振器SR11至SR4和并联谐振器PR1至PR3。串联谐振器SR11至SR4串联连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。并联谐振器PR1至PR3并联连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。并联谐振器PR1和PR2的地端子通过电感器L5公共地连接到地。并联谐振器PR3的地端子通过电感器L6连接到地。

串联谐振器和并联谐振器被假设是表面声波谐振器，并且被划分，使得划分的谐振器具有相同的电容值。各电感器的电感被配置为L0＝4.7nH、L2＝0.3nH、L3＝0.2nH、L4＝0.3nH、L5＝0.1nH和L6＝0.3nH。电感器L1的电感被配置为L1＝5.6nH。作为第一比较例，也对除了没有设置电感器L1之外与第一实施方式的构造具有相同构造的双工器进行模拟。

图3A至图4B示出第一实施方式和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性。图4C示出第一实施方式和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性。图3A是发送带周围的放大视图，图3B是发送带附近(低于发送带的频率处)的放大视图，图3C是发送带附近(高于发送带的频率处)的放大视图。图4A示出更宽带中的通过特性，图4B是略微放大图4A的视图。实线指示第一实施方式，虚线指示第一比较例。

如图3A中所示，对于第一实施方式和第一比较例，发送带的损耗几乎相同。在箭头所指示的高于发送带的频率附近，第一实施方式具有比第一比较例大的衰减。如图3B中所示，对于第一实施方式和第一比较例，低于发送带的频率处的特性是相同的。如图3C中所示，在比发送带高的频率处形成衰减极点AP2，第一实施方式具有比第一比较例大的衰减。如图4A和图4B中所示，在1.6GHz周围，形成衰减极点AP1。衰减极点AP1对应于GPS(全球定位系统)的带。衰减极点AP1是陡峭的(steep)衰减极点。如图4C中所示，对于第一实施方式和第一比较例，接收带的附近区域B中的隔离特性是相同的。

图5A和图5B是示出第一实施方式和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图。图5A和图5B分别示出从公共端子Ant看到的反射特性和从发送端子Tx看到的反射特性。实线指示第一实施方式，虚线指示第一比较例。如图5A和图5B中所示，对于第一实施方式和第一比较例，发送带中的反射特性是相同的。

如上所述，第一实施方式允许形成低于通带的频率处的衰减极点AP1和高于通带的频率处的衰减极点AP2，而相比于第一比较例没有劣化通带的通过特性(对应于发送带)和隔离特性。

通过将电感器L1的电感变化成5.6nH、4.3nH、3.0nH和1.0nH来进行模拟。图6A至图7B示出当在第一实施方式中电感器L1的电感变化时的通过特性。图7C示出当在第一实施方式中电感器L1的电感变化时的隔离特性。图6A至图7C分别对应于图3A至图4C。

如图6A中所示，即使当电感器L1的电感变化时，发送带的损耗保持不变。如图7C中所示，在接收带的附近区域B中，隔离特性保持不变。如图6B至图7B中所示，随着电感器L1的电感减小，衰减极点AP1和AP2移位到更高频率。相应地，通过改变电感器L1的电感，在所需频率处形成衰减极点AP1和AP2。

为了研究在第一实施方式中不改变通带的通过特性和隔离特性的情况下形成衰减极点的原因，只通过使用并联谐振器PT41和PT42和电感器L1和L4进行模拟。图8A和图8B分别是并联臂A和B的电路图。如图8A中所示，在并联臂A中，并联谐振器PT41和PT42并联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。电感器L1连接在比并联谐振器PT41和PT42更靠近输入端子Tin的节点N1与并联谐振器PT41和PT42之间的节点N2之间。电感器L4连接在并联谐振器PT42和地之间。

如图8B中所示，在并联臂B中，没有连接电感器L1。在并联臂A和B中，并联谐振器PT41和PT42和电感器L1和L4与模拟图3A至图4C的第一实施方式的并联谐振器PT41和PT42和电感器L1和L4相同。

图9A至图9C示出并联臂A和B的通过特性。图9A示出在宽带中从输入端子Tin到输出端子Tout的通过特性，图9B是发送带的放大视图，图9C是发送带和发送带的附近区域的放大视图。

如图9A至图9C中所示，对于并联臂A和B，大致2.488GHz的谐振频率fr是相同的。并联臂A通过设置电感器L1，允许分别在大致1.6GHz和大致2.61GHz处形成衰减极点AP1和衰减极点AP2。

如上所述，在并联臂A中，向并联臂B添加电感器L1允许在不改变谐振频率fr的情况下形成衰减极点AP1和AP2。由于谐振频率fr保持不变，因此第一实施方式允许在不改变通带的通过特性和隔离特性的情况下形成衰减极点AP1和AP2。

接下来，检查并联谐振器没有被划分的情况。图10A和图10B是并联臂C和D的电路图。如图10A中所示，在并联臂C中，并联谐振器PT4没有被划分。电感器L1位于节点N1与并联谐振器PT4和电感器L4之间的节点N2之间。如图10B中所示，在并联臂D中，并联谐振器PT4没有被划分。电感器L1位于节点N1与节点N2之间，节点N2位于并联谐振器PT4的输入端子Tin侧。

图11A至图11C示出并联臂B至D的通过特性。图11A示出在宽带中从输入端子Tin到输出端子Tout的通过特性，图11B是发送带的放大视图，图11C是发送带和发送带的附近区域的放大视图。

如图11A至图11C中所示，在并联臂C中，形成由于谐振频率fr导致的衰减极点，如同在并联臂B中，但没有形成衰减极点AP1和AP2。在并联臂D中，尽管形成衰减极点AP2，但由于谐振频率fr导致的衰减极点的频率改变，以形成衰减极点AP1。

如上所述，除非并联谐振器PT4被划分并且电感器L1连接到划分的并联谐振器PT41和PT42之间的节点N2，否则不会在不改变谐振频率fr的情况下形成衰减极点AP1和AP2。

图12是使用第一实施方式的第一变形例的滤波器的双工器的电路图。如图12中所示，在双工器104的发送滤波器80中，电感器L1连接在串联谐振器ST31和ST32之间的节点N1与并联谐振器PT21和PT22之间的节点N2之间。电感器L1具有1.0nH的电感。其他构造与图2的构造相同，并且省略描述。

图13A至图14B示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性。图14C示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性。图13A至图14C对应于图3A至图4C。实线指示第一实施方式的第一变形例，虚线指示第一比较例。

如图13A中所示，对于第一实施方式的第一变形例和第一比较例，发送带中的通过特性几乎相同。如图13B中所示，在2.44GHz周围，形成衰减极点AP1。形成衰减极点AP1的频率与第一实施方式的图6B中的电感器L1的电感是1.0nH的情况下的频率相同。如图13C中所示，在高于通带的频率附近，第一实施方式的第一变形例的衰减特性略优于第一比较例的衰减特性。如图14A中所示，在4.7GHz周围，形成衰减极点AP2。形成衰减极点AP2的频率与第一实施方式的图7A中的电感器L1的电感是1.0nH的情况下的频率相同。如图14C中所示，对于第一实施方式的第一变形例和第一比较例，接收带的附近区域B中的隔离特性相同。

图15A和图15B是示出第一实施方式的第一变形例和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图。图15A和图15B分别示出从公共端子Ant看到的反射特性和从发送端子Tx看到的反射特性。实线指示第一实施方式的第一变形例，虚线指示第一比较例。如图15A和图15B中所示，在第一实施方式的第一变形例和第一比较例之间，发送带中的反射特性并不是极大地不同。第一实施方式的第一变形例和第一比较例之间的反射特性的差异略大于图5A和图5B中示出的第一实施方式和第一比较例之间的差异。尤其是图15B中示出的差异略大于图5B中示出的差异。

如上所述，第一实施方式的第一变形例形成低于发送带的频率处的衰减极点AP1和高于发送带的频率处的衰减极点AP2，而相比于第一比较例没有劣化发送带的通过特性和隔离特性。发送带中的反射特性的变化略大于第一实施方式，但即使当添加了电感器L1时，反射特性也几乎不改变。

图16是使用第一实施方式的第二变形例的滤波器的双工器的电路图。如图16中所示，在双工器106的发送滤波器80中，电感器L1连接在串联谐振器ST41和ST42之间的节点N1与并联谐振器PT41和PT42之间的节点N2之间。电感器L1具有1.0nH的电感。其他构造与图2的构造相同，并且省略描述。

图17A至图18B示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的从发送端子到公共端子的通过特性。图18C示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的从发送端子到接收端子的隔离特性。图17A至图18C分别对应于图3A至图4C。实线指示第一实施方式的第二变形例，虚线指示第一比较例。

如图17A中所示，对于第一实施方式的第二变形例和第一比较例，发送带中的通过特性几乎相同。如图17B和图17C中所示，对于第一实施方式的第二变形例和第一比较例，发送带周围的衰减特性几乎相同。如图18A中所示，在5.5GHz周围，形成衰减极点AP2。如图18C中所示，对于第一实施方式的第二变形例和第一比较例，接收带的附近区域B中的隔离特性相同。

图19A和图19B是示出第一实施方式的第二变形例和第一比较例中的发送带中的反射特性的史密斯图。图19A和图19B分别示出从公共端子Ant看到的反射特性和从发送端子Tx看到的反射特性。实线指示第一实施方式的第二变形例，虚线指示第一比较例。如图19A和图19B中所示，在第一实施方式的第二变形例和第一比较例之间，发送带中的反射特性并不是极大地不同。第一实施方式的第二变形例和第一比较例之间的反射特性的差异略大于图5A和图5B中示出的第一实施方式和第一比较例之间的差异。尤其是图19B中示出的差异略大于图5B中示出的差异。

如上所述，第一实施方式的第二变形例形成高于通带的频率处的衰减极点AP2，而相比于第一比较例没有劣化通带的通过特性和隔离特性。在图17B中，不清楚是否形成衰减极点AP1。然而，认为形成了对应于衰减极点AP1的小衰减极点。发送带中的反射特性的改变略大于第一实施方式，但即使当添加了电感器L1时，反射特性也几乎不改变。

根据第一实施方式及其变形例，电感器L1的第一端通过串联谐振器ST11至ST42连接到节点N1，节点N1位于从发送端子Tx(输入端子)到公共端子Ant(输出端子)的路径中。电感器L1的第二端连接到位于划分的并联谐振器PT41和PT42之间的节点N2。这种构造允许有陡峭的衰减极点AP1和AP2，而没有劣化通带的通过特性(第一实施方式及其变形例中的发送带)和隔离特性。这被认为是因为在不改变并联谐振器的谐振频率fr的情况下形成衰减极点AP1和AP2，如并联臂A至D中描述的。通过电感来配置衰减极点AP1和AP2的位置。

第一实施方式及其变形例已经描述了设置一个电感器L1的情况。然而，两个或更多个并联谐振器中的每个可被划分，并且电感器L1可被定位以对应于划分的并联谐振器中的每个。此时，两个或更多个电感器L1可具有相同的电感或不同的电感。

当将第一实施方式与第一实施方式的第一变形例进行比较时，第一实施方式的发送带中的反射特性的改变小于第一变形例。因此，电感器L1所连接的并联谐振器优选地是最靠近输入端子(发送端子Tx)的并联谐振器和最靠近输出端子(公共端子Ant)的并联谐振器中的至少一个。谐振器经常在被施加大电力的输入端子侧被划分。因此，电感器L1所连接的并联谐振器优选地是最靠近输入端子的并联谐振器。

当将第一实施方式与第一实施方式的第二变形例进行比较时，第一实施方式的通带中的反射特性的改变小于第二变形例。因此，节点N1优选地是输入端子(发送端子Tx)与划分的并联谐振器PT41和PT42之间的节点。当电感器L1连接到最靠近输出端子的并联谐振器时，节点N1优选地是输出端子和划分的并联谐振器之间的节点。

如第一实施方式中描述的，在节点N1和划分的并联谐振器PT41和PT42之间不可连接串联谐振器。如第一实施方式的第二变形例中描述的，串联谐振器ST42可连接在节点N1与并联谐振器PT41和PT42之间。节点N1与并联谐振器PT41和PT42之间的串联谐振器可以是划分的串联谐振器中的一个，或者可以是没有被划分的串联谐振器。根据第一实施方式与第一实施方式的第一变形例和第二变形例之间的比较，优选地在节点N1和划分的并联谐振器之间没有连接串联谐振器。

两个或更多个并联谐振器中的没有被划分的其余并联谐振器优选地都没有连接在节点N1和划分的并联谐振器之间。

可根据目的来选择串联谐振器的数量和并联谐振器的数量。可根据目的来划分串联谐振器和并联谐振器。尽管已经描述了将并联谐振器划分成两个的情况，但也可将并联谐振器划分成三个或更多个。划分的并联谐振器可具有不同的电容值，或者可具有几乎相同的电容值。

尽管已经描述了第一实施方式的滤波器是发送滤波器80的情况，但第一实施方式的滤波器可以是发送滤波器80和接收滤波器82中的至少一个。经常在被施加大电力的发送滤波器80中划分谐振器。因此，第一实施方式的滤波器优选地应用于发送滤波器80。

第二实施方式

第二实施方式是第一实施方式及其变形例的滤波器安装在基板上的示例。图20是形成用于第二实施方式的滤波器的滤波器芯片的平面图。如图20中所示，滤波器芯片21包括基板20。基板20是诸如钽酸锂基板或铌酸锂基板的压电基板。表面声波谐振器22、金属层24和凸块26形成在基板20上。金属层24形成例如诸如铜布线、金布线或铝布线的布线。凸块26是例如金凸块或焊料凸块，并且对应于发送端子Tx、额外端子ToL、公共端子Ant和地端子GND。串联谐振器ST11至ST52通过金属层24(布线)串联连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。并联谐振器PT11至PT42通过金属层24(布线)并联连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。额外端子ToL连接在划分的并联谐振器PT41和PT42之间。

图21是按照第二实施方式的声波装置的剖视图。如图21中所述，声波装置108包括滤波器芯片21、多层基板30和密封部分28。多层基板30包括堆叠的绝缘层30a和30b。绝缘层30a和30b是例如树脂层或陶瓷层。电极31形成在绝缘层30a的上表面上。布线32形成在绝缘层30b的上表面上。底部焊盘33形成在绝缘层30b的下表面上。形成分别穿透绝缘层30a和30b的穿通布线34和35。电极31、布线32、底部焊盘33和穿通布线34和35由诸如例如铜层、金层或铝层的金属层形成。凸块26接合在电极31上，以倒装芯片方式将滤波器芯片21安装在多层基板30上。滤波器芯片21被密封部分28密封。密封部分28例如由诸如焊料的金属或诸如树脂的绝缘材料形成。在滤波器芯片21和多层基板30之间形成气隙。

在第二实施方式中，布线32通过穿通布线34电连接在发送端子Tx和额外端子ToL之间。如第二实施方式中描述的，电感器L1可由布线32形成。

图22是按照第二实施方式的第一变形例的声波装置的剖视图。在声波装置110中，安装在多层基板30上的滤波器芯片21安装在PCB(印刷电路板)40上。PCB 40包括两个或更多个堆叠的绝缘层40a至40c。绝缘层40a至40c是例如树脂层。电极41形成在绝缘层40a的上表面上。布线42形成在绝缘层40b的上表面上，布线43形成在绝缘层40c的上表面上。底部焊盘44形成在绝缘层40c的下表面上。形成分别穿透绝缘层40a至40c的穿通布线45至47。电极41、布线42和43、底部焊盘44和穿通布线45至47由诸如例如铜层、金层或铝层的金属层形成。通过焊料48将电极41接合到底部焊盘33，以将多层基板30安装在PCB 40上。

在第二实施方式的第一变形例中，发送端子Tx没有电连接到多层基板30中的额外端子ToL。在PCB 40中，发送端子Tx通过布线42和43电连接到额外端子ToL。如第二实施方式的第一变形例中描述的，电感器L1可由PCB 40中的布线42和43形成。

图23是按照第二实施方式的第二变形例的声波装置的平面图。图23是上面安装多层基板30和芯片电感器38的PCB 40的上表面的平面图。在声波装置112中，通过省略多层基板30例示了底部焊盘33。布线49形成在PCB 40的上表面上。芯片电感器38通过布线49电连接到与发送端子Tx和额外端子ToL对应的底部焊盘33。如第二实施方式的第二变形例中描述的，电感器L1可由芯片电感器形成。

如第二实施方式和第二实施方式的第一变形例中描述的，电感器L1可形成在诸如上面安装滤波器芯片21的多层基板30或PCB基板40的基板上。如第二实施方式的第二变形例中描述的，电感器L1可以是诸如上面安装滤波器芯片21的多层基板30或PCB基板40的基板上安装的芯片部件。

第三实施方式

第三实施方式是包括第一实施方式和第二实施方式的梯型滤波器中的任一种的示例性模块。图24是按照第三实施方式的包括模块的系统的框图。如图24中所示，系统包括模块50、集成电路52和天线54。模块50包括双讯器(diplexer)70、开关76、双工器60和功率放大器66。双讯器70包括低通滤波器(LPF)72和高通滤波器(HPF)74。LPF 72连接在端子71和73之间。HPF 74连接在端子71和75之间。端子71连接到天线54。LPF 72使从天线54发送/接收的信号中的低频信号通过，并且抑制高频信号。HPF 74使从天线54发送/接收的信号中的高频信号通过，并且抑制低频信号。

开关76将端子73连接到两个或更多个端子61中的一个。双工器60包括发送滤波器62和接收滤波器64。发送滤波器62连接在端子61和63之间。接收滤波器64连接在端子61和65之间。发送滤波器62使发送带内的信号通过，并且抑制其他信号。接收滤波器64使接收带内的信号通过，并且抑制其他信号。功率放大器66放大发送信号并且将发送信号输出到端子63。低噪声放大器68放大输出到端子65的接收信号。

第一实施方式和第二实施方式的滤波器可用于双工器60的发送滤波器62和接收滤波器64中的至少一个。第三实施方式描述用于移动通信终端的前端模块作为模块的示例，但模块可以是其他类型的模块。

第一实施方式及其变形例主要将表面声波谐振器作为谐振器的示例进行描述，但谐振器可以是边界声波谐振器、拉夫波(Love wave)谐振器、或压电薄膜谐振器。

尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但要理解，可在不脱离本发明的精神和范围的情况下，对实施方式进行各种改变、替代和改变。