1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括：
第一上电模块，所述第一上电模块输出第一上电信号；
第一保持模块，所述第一保持模块连接到所述第一上电模块的输出端，输入所述第一上电信号，输出第一复位信号；
第二上电模块，所述第二上电模块连接到所述第一保持模块的输出端，输入所述第一复位信号，输出第二上电信号；
第二保持模块，所述第二保持模块连接到所述第二上电模块的输出端，输入所述第二上电信号，输出第二复位信号。
2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一上电模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电容，其中，所述第一晶体管的漏极分别连接到所述第三晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极以及所述第四晶体管的栅极；
所述第二晶体管的栅极分别连接到所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极以及所述第一电容的一端，所述第一电容的一端输出所述第一上电信号；
所述第一晶体管的源极以及所述第二晶体管的源极连接到电源电压；
所述第一晶体管的栅极、所述第三晶体管的源极、所述第四晶体管的源极以及所述第一电容的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二上电模块包括：第五晶体管、第六晶体管以及第二电容，
其中，所述第五晶体管的栅极连接到所述第六晶体管的栅极，输入所述第一复位信号；
所述第五晶体管的漏极分别连接到所述第六晶体管的漏极以及所述第二电容的一端，所述第二电容的一端输出所述第二上电信号；
所述第五晶体管的源极连接到电源电压；
所述第六晶体管的源极以及所述第二电容的另一端接地。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一保持模块包括：
第一施密特触发器，所述第一施密特触发器的输入端输入所述第一上电信号，输出所述第一复位信号。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一保持模块包括：
第一倒相器模块，所述第一倒相器模块的输入端输入所述第一上电信号，输出所述第一复位信号，
其中，所述第一倒相器模块包括串联的偶数个倒相器。
6.根据权利要求1-3中任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二保持模块包括：
第二施密特触发器，所述第二施密特触发器的输入端输入所述第二上电信号，输出中间信号；
第二倒相器模块，连接到所述第二施密特触发器，所述第二倒相器模块的输入端输入所述中间信号，输出所述第二复位信号，
其中，所述第二倒相器模块包括串联的奇数个倒相器。
7.根据权利要求1-3中任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二保持模块包括：
第三倒相器模块，所述第三倒相器模块的输入端输入所述第二上电信号，输出所述第二复位信号，
其中，所述第三倒相器模块包括串联的奇数个倒相器。
8.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，
所述第一晶体管和所述第二晶体管为PMOS晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管为NMOS晶体管。
9.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，
所述第五晶体管为PMOS晶体管，所述第六晶体管为NMOS晶体管。
10.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括如权利要求1-9中任意一项所述的上电复位电路，所述上电复位电路输出的第二复位信号对所述集成电路进行上电复位。