1.一种适于控制功率半导体部件的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括能够连接到正辅助电压(V+)和负辅助电压(V-)的栅极驱动器，所述栅极驱动电路包括具有电感耦合元件的、用于提供反馈信号的反馈电路，其中：
具有所述电感耦合元件的所述反馈电路的一端连接到已知的参考电位，并且所述反馈电路的另一端连接到所述栅极驱动器，以及
所述电感耦合元件感应耦合到所述功率半导体部件的主电流路径，以基于所述功率半导体部件的电流的变化率向所述栅极驱动器提供反馈信号，从而限制所述功率半导体部件的电流的变化率。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其中，所述栅极驱动器包括形成推挽电路的晶体管对，所述晶体管对的输出端连接到所述功率半导体部件的栅极，并且所述晶体管对的输入端适于接收控制电压(Vc)，从而控制所述功率半导体部件，并且
所述反馈信号被配置为根据所述功率半导体部件的电流的变化率来改变所述推挽电路的输入端的电位。
3.根据权利要求2所述的栅极驱动电路，其中，所述反馈电路包括具有齐纳电压的双极齐纳二极管和第一电阻器(R13)，所述第一电阻器还连接到所述推挽晶体管电路的基极，并且
所述栅极驱动电路还包括控制电压(Vc)的输入端，所述控制电压的输入端通过第二电阻器(R12)连接到所述推挽式晶体管电路的基极。
4.根据权利要求2所述的栅极驱动电路，其中，所述反馈电路适于向比较器(A21)提供反馈信号，所述比较器的另一输入端接收用于控制所述功率半导体部件的控制电压(Vc)，其中，基于所述比较器中的比较，改变功率半导体部件的状态以限制电流的变化率。
5.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其中，所述反馈电路包括电阻器(R35，R36)的串联连接和晶体管(V34)，所述晶体管的基极连接在所述电阻器之间，并且来自所述电感耦合元件(T31)的反馈信号适于接通晶体管(V34)以改变所述栅极驱动器的电压。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的栅极驱动电路，其中，所述电感耦合元件是罗柯夫斯基线圈。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的栅极驱动电路，其中，所述电感耦合元件是耦合电感器。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的栅极驱动电路，其中，所述电感耦合元件感应耦合到DC链路的DC轨。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的栅极驱动电路，其中，所述功率半导体部件是功率晶体管，诸如IGBT或MOSFET。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的栅极驱动电路，其中，所述栅极驱动电路适于控制半桥配置中的功率半导体部件。