1.一种装置，包括：
包括分离共源共栅电流路径的跨导放大器，所述分离共源共栅电流路径包括从共源共栅节点到第一输出的第一电流路径以及从所述共源共栅节点到第二输出的第二电流路径，并且所述跨导放大器被配置成接收射频(RF)输入电压，在第一状态下向所述第一输出提供RF输出电流，以及在第二状态下向所述第二输出提供所述RF输出电流；
混频器，包括第一混频器和第二混频器；和
电容电路，包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器电耦合在所述跨导放大器的第一输出和所述第一混频器的输入之间，所述第二电容器电耦合在所述跨导放大器的第二输出和第二混频器的输入之间，所述第一电容器和所述第二电容器具有不同的电容。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述跨导放大器包括交叉耦合的公共栅极放大器。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述交叉耦合的公共栅极放大器包括与第二场效应晶体管交叉耦合的第一场效应晶体管，并且其中所述共源共栅节点在所述第一场效应晶体管的漏极处。
4.根据权利要求2所述的装置，其中：
所述混频器还包括第三混频器和第四混频器，
所述共源共栅节点在所述交叉耦合的公共栅极放大器的第一晶体管的端子处，
所述跨导放大器还包括在所述交叉耦合的公共栅极放大器的第二晶体管的端子处的第二共源共栅节点，其中所述第二晶体管与所述第一晶体管交叉耦合，
所述跨导放大器经配置以在所述第一状态中向所述第三混频器的输入提供所述第二共源共栅节点的第二RF输出电流，且在第二状态下向所述第四混频器的输入提供所述第二共源共栅节点的所述第二RF输出电流。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述共源共栅节点相对于所述跨导放大器的其他节点具有低阻抗。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一状态与低于所述第二状态的所述RF输入电压的较低频率相关联，并且其中所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一混频器被配置为在所述频域中将所述RF输出电流的频率下变频不同于所述第二混频器的频率，并且其中所述第一混频器和所述第二混频器提供近似相同的信号增益。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括具有至少为4的高带到低带频率比的接收器，所述接收器包括跨导放大器，所述混频器和所述电容电路。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第一状态与具有在169MHz频带或433MHz频带中的至少一个的频率的RF输入电压相关联，并且其中所述第二状态与具有在868MHz频带或900MHz频带中的至少一个的频率的RF输入电压相关联。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述跨导放大器经配置以响应于指示所述RF输入电压的频率的控制信号而改变状态。
11.一种装置，包括：
跨导放大器，包括：
放大电路，被配置为接收射频输入电压并提供射频电流；和
选择电路，其被配置为从所述放大电路接收所述射频电流，在第一状态下将所述射频电流提供给第一输出，并且在第二状态下将所述射频电流提供给第二输出；
电容电路，包括电耦合到选择电路的第一输出的第一电容器和电耦合到选择电路的第二输出的第二电容器，第一电容器和第二电容器具有不同的电容；和
混频器，包括第一混频器和第二混频器，所述第一混频器具有通过所述第一电容器电连接到所述选择电路的第一输出的输入，并且所述第二混频器具有通过第二电容器电耦合到所述选择电路的第二输出的输入。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述选择电路被配置为响应于控制信号改变状态，所述控制信号指示所述射频输入电压的频率。
13.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一状态与低于所述第二状态的所述射频输入电压的频率相关联，并且其中所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。
14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述放大电路包括交叉耦合的公共栅极放大器。
15.根据权利要求11所述的设备，其中，所述选择电路电连接到具有相对于所述放大电路的其它节点的低阻抗的共源共栅节点。
16.一种电子系统，包括：
混频器，包括第一混频器和第二混频器；
包括分离共源共栅电流路径的低噪声跨导放大器，其中所述低噪声跨导放大器被配置为在所述电子系统的第一状态下通过第一耦合电容器向所述第一混频器提供射频(RF)输出电流，其中所述低噪声跨导放大器被配置为在所述电子系统的第二状态下通过第二耦合电容器向所述第二混频器提供所述RF输出电流，并且其中所述第一电容器和所述第二电容器具有不同的电容；和
振荡器路由块，其包括在振荡器和所述第一混频器之间的第一路径以及在所述振荡器和所述第二混频器之间的第二路径，所述振荡器路由块被配置为从所述振荡器接收振荡器信号，使得在所述电子系统的第一状态中启用第一路径，并且在电子系统的第二状态中启用第二路径。
17.根据权利要求16所述的电子系统，其中所述振荡器路由块的所述第一路径是低频带路径，并且所述振荡器块的所述第二路径是高频带路径，并且其中所述电子系统的所述第一状态是低频带状态，并且所述电子系统的第二状态是高频带状态。
18.根据权利要求16所述的电子系统，其中所述振荡器路由块的所述第一路径包括：
射频分频器，被配置为将所述振荡器信号除以大于1的正奇整数；和占空比校正电路，被配置为接收来自所述射频分频器的输出，并提供具有比所述射频分频器的输出更接近50％的占空比的输出。
19.根据权利要求18所述的电子系统，其中，所述振荡器路由块的所述第一路径包括电耦合在所述占空比校正电路和所述第一混频器之间的占空比减小电路，所述占空比减小电路配置成接收所述占空比并提供具有对应于所述占空比校正电路的输出的占空比除以正偶数整数的占空比的输出。
20.根据权利要求16所述的电子系统，还包括I信道滤波器和Q信道滤波器，并且其中所述第一混频器电耦合到所述I信道滤波器的输入，以及所述第二混频器电耦合到所述Q信道滤波器的输入。