一种正控地控双模光耦阵列驱动装置的制作方法

文档序号:11925591阅读:386来源:国知局

本实用新型涉及光耦阵列驱动控制领域,具体涉及一种正控地控双模光耦阵列驱动装置。



背景技术:

在许多需要复杂光耦阵列隔离的控制系统中,光耦阵列经常同时需要进行正端驱动和地端驱动。为了满足这样的要求,现在通常都是设计两套不同的驱动电路,这往往导致系统电路结构复杂,对于驱动较大规模的光耦阵列,还导致驱动电路规模庞大,不仅不利于系统的小型化设计,而且也不利于系统成本控制。



技术实现要素:

本实用新型提供一种正控地控双模光耦阵列驱动装置,能够以一套电路同同时驱动具有光耦正端控制和光耦地端控制的光耦阵列,用于需要复杂光耦阵列隔离的控制系统。

本实用新型的技术方案为:

一种正控地控双模光耦阵列驱动装置,包括总线接口控制电路、多通道数字驱动电路、P沟道MOS管开关组、正控限流接口电路、地控限流接口电路;

总线接口控制电路输出连接到多通道数字驱动电路,多通道数字驱动电路输出分别连接到P沟道MOS管开关组和地控限流接口电路,P沟道MOS管开关组输出连接到正控限流接口电路。

还包括电源分配电路,电源分配电路输出的电源分别连接到总线接口控制电路、多通道数字驱动电路和P沟道MOS管开关组。

所述总线接口控制电路包括可编程逻辑器件。

所述多通道数字驱动电路包括反相器阵列。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型能够以一套电路同时向光耦阵列提供正控和地控信号,实现同时对正控和地控的光耦进行驱动,极大的压缩了光耦阵列驱动电路的规模,最终减小了系统体积,降低了系统的成本,适用于需要复杂光耦阵列隔离的控制系统。

附图说明

图1为本实用新型所述的一种正控地控双模光耦阵列驱动装置的电路原理图。

其中,1-总线接口控制电路,2-多通道数字驱动电路,3-P沟道MOS管开关组,4-正控限流接口电路,5-地控限流接口电路,6-电源分配电路。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行进一步描述。

如图1所述,本实用新型是一种正控地控双模光耦阵列驱动装置,包括总线接口控制电路1、多通道数字驱动电路2、P沟道MOS管开关组3、正控限流接口电路4、地控限流接口电路5、电源分配电路6。

总线接口控制电路1与外部总线相连,总线接口控制电路1输出连接到多通道数字驱动电路2,多通道数字驱动电路2输出分别连接到P沟道MOS管开关组3和地控限流接口电路5,P沟道MOS管开关组3输出连接到正控限流接口电路4,正控限流接口电路4和地控限流接口电路5分别将正控信号和地控信号输出到光耦阵列。电源分配电路6输出的电源分别连接到总线接口控制电路1、多通道数字驱动电路2和P沟道MOS管开关组3。

总线接口控制电路1包括可编程逻辑器件,从外部总线接收到光耦控制信号并进行解码后输出到多通道数字驱动电路2,同时向外部控制总线返回状态信号。多通道数字驱动电路2包括具有高压漏极输出的反相器阵列,把总线接口控制电路1输入的光耦控制信号变换为多通道漏极开路信号,并为每个通道提供足够的电流驱动能力以驱动光耦,输出的多通道漏极开路信号分别进入到P沟道MOS管开关组3和地控限流接口电路5。P沟道MOS管开关组3利用多通道数字驱动电路2输入的多通道漏极开路信号控制P沟道MOS管开关组3中各个MOS管开关的通断,进而控制光耦正控信号的输出。P沟道MOS管开关组3输出的信号进入正控限流接口电路4进行限流后输出正控信号到光耦阵列。地控限流接口电路5对多通道数字驱动电路2输出的多通道漏极开路信号进行限流以后输出地控信号到光耦阵列。电源分配电路6用于为各部分电路提供合适的电源。

在本实施例中,多通道数字驱动电路2中的反相器阵列漏极输出端能够承受P沟道MOS管开关组3中来自于MOS管开关源极的电压,这个电压也是光耦阵列正控驱动信号电压。多通道数字驱动电路2中的反相器阵列输出端的灌电流能够满足光耦阵列驱动电流要求。

上面对本实用新型的实施例作了详细说明,上述实施方式仅为本实用新型的最优实施例,但是本实用新型并不限于上述实施例,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。

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