低功耗逻辑家族的制作方法

文档序号:14651801发布日期:2018-06-08 21:58阅读:来源:国知局
低功耗逻辑家族的制作方法

技术特征:

1.由仅具有两个输入的布尔函数的PMOS(NMOS)增强模式晶体管构成的逻辑门,其特征在于下拉(上拉)分支,其门和源端连接到逻辑门的输出,由单个晶体管实现;至少有一个拉升(下拉)分支,实现布尔函数的拉升(下拉)部分,其中上拉(下拉)部分由至少两个具有不同的晶体管与其门端相关联的输入;当没有上拉(下拉)分支处于导通模式时,下拉(上拉)分支将输出拉近接近较低(较高)电源电压,并且上拉(下拉)部分在至少一个上拉(下拉)分支处于导通模式时拉动输出接近较高(较低)电源电压;当至少一个拉升(下拉)分支处于传导模式时,所有构成逻辑门的晶体管都具有相同的衬底电压。

2.根据权利要求1所述的逻辑门,其中所述晶体管的衬底电压可从外部调节到门的操作。

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