1.一种电路，包括：
压控振荡器，包括一个或多个电感器、一个或多个电容器以及至少两个交叉耦合的晶体管；
第一晶体管，与所述交叉耦合的晶体管具有相反的器件类型；
第二晶体管，与所述交叉耦合的晶体管具有相反的器件类型；以及
第一电容性衰减器电路和第二电容性衰减器电路，
其中所述第一晶体管通过第一电容性衰减器电路交叉耦合到所述第二晶体管，并且所述第二晶体管通过所述第二电容性衰减器电路交叉耦合到所述第一晶体管。
2.根据权利要求1所述的电路，其中，在第一模式中，当所述第一晶体管和所述第二晶体管被关断时，所述第一电容性衰减器电路和所述第二电容性衰减器电路衰减跨所述压控振荡器的信号，并且其中，在第二模式中，当所述第一晶体管和所述第二晶体管以交叉耦合配置被导通时，所述第一电容性衰减器电路和所述第二电容性衰减器电路不衰减跨所述压控振荡器的所述信号。
3.根据权利要求1所述的电路，还包括配置在所述第一电容性衰减器电路和所述第二电容性衰减器电路之间的开关，其中所述开关在第一模式中闭合并且所述开关在第二模式中断开。
4.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合到所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子的偏置电压，其中在第一模式中，所述偏置电压被设置成第一电压以将所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，并且在第二模式中，所述偏置电压被设置成第二电压以将所述第一晶体管和所述第二晶体管导通。
5.一种电路，包括：
第一导电类型的第一晶体管，所述第一晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子；
所述第一导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子；
第二导电类型的第三晶体管，所述第三晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子，其中所述第三晶体管的第二端子耦合到所述第一晶体管的第二端子；
所述第二导电类型的第四晶体管，所述第四晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子，其中所述第四晶体管的第二端子耦合到所述第二晶体管的第二端子；
谐振电路，配置在所述第三晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第二端子之间；
第一电容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第一电容器的第一端子耦合到所述第一晶体管的第二端子，并且所述第一电容器的第二端子耦合到所述第二晶体管的控制端子；
第二电容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第二电容器的第一端子耦合到所述第一电容器的第二端子；
第三电容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第三电容器的第一端子耦合到所述第二晶体管的第二端子，并且所述第三电容器的第二端子耦合到所述第一晶体管的控制端子；以及
第四电容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第四电容器的第一端子耦合到所述第三电容器的第二端子。
6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管在第一操作模式中关断，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管在第二操作模式中导通。
7.根据权利要求5所述的电路，还包括开关，所述开关具有耦合到所述第二电容器的第二端子的第一端子以及耦合到所述第四电容器的第二端子的第二端子。
8.根据权利要求7所述的电路，其中所述开关是NMOS晶体管。
9.根据权利要求5所述的电路，还包括：
第一电阻器，具有耦合到所述第二电容器的第二端子的第一端子和耦合到模式控制电压的第二端子；以及
第二电阻器，具有耦合到所述第二电容器的第二端子的第一端子和耦合到模式控制电压的第二端子。
10.根据权利要求5所述的电路，还包括：
第一电阻器，具有耦合到所述第一晶体管的控制端子的第一端子和耦合到偏置电压的第二端子；以及
第二电阻器，具有耦合到所述第二晶体管的控制端子的第一端子和耦合到所述偏置电压的第二端子。
11.根据权利要求5所述的电路，其中在第一操作模式中，所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子耦合到第一偏置电压以将所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，并且在第二操作模式中，所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子耦合到的第二偏置电压以将所述第一晶体管和所述第二晶体管导通。
12.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是PMOS晶体管，并且所述第三晶体管和所述第四晶体管是NMOS晶体管。
13.根据权利要求5所述的电路，其中所述谐振电路接收控制电压以设置振荡频率。
14.根据权利要求5所述的电路，其中在第一模式中，所述第二电容器的第二端子耦合到所述第四电容器的第二端子，并且所述第一晶体管的第二端子上的第一信号被所述第一电容器和所述第二电容器衰减到所述第二晶体管的控制端子，并且所述第二晶体管的第二端子上的第二信号被所述第三电容器和所述第四电容器衰减到所述第一晶体管的控制端子，并且在第二模式中，所述第二电容器的第二端子和所述第四电容器的第二端子耦合到高阻抗，并且根据所述高阻抗，所述第一信号被AC耦合到所述第二晶体管的控制端子，并且所述第二信号被AC耦合到所述第一晶体管的控制端子。
15.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子耦合到偏置电压，并且根据所述偏置电压，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端子上的第一信号和第二信号的峰值幅度与所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端子上的第一衰减信号和第二衰减信号的峰值幅度的差低于阈值，因此所述第一晶体管和所述第二晶体管关断。
16.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一电容器近似等于所述第二电容器，并且所述第三电容器近似等于所述第四电容器。
17.根据权利要求16所述的电路，其中所述第一电容器近似等于但大于所述第二电容器，并且所述第三电容器近似等于但大于所述第四电容器。
18.根据权利要求5所述的电路，还包括无线通信信道，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管以锁相环配置，以生成具有不同频率的本地振荡器信号。
19.一种电路，包括：
用于响应于控制电压而生成差分周期性信号的装置，其中所述控制电压设置所述周期性信号的频率；
用于电容性地衰减所述差分周期性信号以产生差分衰减信号的装置；以及
第一晶体管和第二晶体管，具有用于接收所述差分衰减信号的控制端子和耦合到用于生成所述差分周期性信号的装置的第二端子。
20.根据权利要求19所述的电路，还包括用于选择性地控制用于电容性衰减的装置的衰减的装置，其中，在第一模式中，用于选择性地控制所述衰减的装置生成虚地，并且其中，在第二模式中，用于选择性地控制所述衰减的装置生成高阻抗。