技术特征：
技术总结
本发明涉及一种氚靶装置，所述氚靶装置包括靶主体和加速器接口，所述靶主体包括靶片，所述靶片包括基底以及设于所述基底上具备高热导率性能的金刚石层，其中，当氘离子束流经所述加速器接口射入轰击所述靶片时，释放的热能经由所述金刚石层吸收扩散后传递给所述基底。通过这种方式，本申请能够有效地控制靶片的温度，避免工作时氚原子的逃逸损失、避免降低装置的性能，并能有效地保护装置，此外无需增加靶片的直径和提高靶片的转速，而且能保证装置的机械强度等。
技术研发人员：李珂;董学强;沈俊;公茂琼;戴巍
受保护的技术使用者：中国科学院理化技术研究所
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.09.22