一种稳定增益的MMIC放大器的制作方法

本实用新型涉及放大器领域，尤其是一种稳定增益的MMIC放大器。

背景技术：

在系统应用时，要求在不同的应用环境下电子元器件的指标不会有大的变化，对于放大器而言，在高温下增益会降低，低温下增益会抬升，且设计的放大器的级数越多，高低温带来的增益变化越大，在某些项目中，会要求高低温变化带来的增益变化不能超过3dB。一般来说，单级放大器在140摄氏度变化下增益变动约为1dB，由于该放大器频段高且宽，且增益有一定要求，需采用三级实现，若采用通常的设计方法，高低温下增益变化量余量不大，有一定的设计风险。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种稳定增益的MMIC放大器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种稳定增益的MMIC放大器，它包括第一场效应管，所述的第一场效应管的漏极和第二电阻的一端相连接；第一场效应管的栅极与第一电阻的一端相连接；第一场效应管的源极和第二场效应管的漏极相连接；第二场效应管的栅极和第二场效应管的源极相连并通过接地孔接地。所述的第一场效应管为放大场效应管。所述的第二场效应管为恒流源FET。所述的第一场效应管的栅极被偏置在0V。所述的第二场效应管的漏极与源极间电压为一个正的直流电位。所述的第一场效应管栅极与源极间电压为负。

本实用新型的有益效果是：采用了恒流源自偏置的方式，通过FET管代替传统MMIC自偏置MMIC放大器中的源极电阻，稳定了高低温下放大器的增益及电流。

附图说明

图1为恒流源自偏置MMIC放大器原理图；

图2为MMIC放大器增益(S(2,1))曲线。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，一种稳定增益的MMIC放大器；它包括第一场效应管FET1，所述的第一场效应管FET1的漏极和第二电阻R2的一端相连接；第一场效应管FET1的栅极与第一电阻R1的一端相连接；第一场效应管FET1的源极和第二场效应管FET2的漏极相连接；第二场效应管FET2的栅极和第二场效应管FET2的源极相连并通过接地孔接地。所述的第一场效应管FET1为放大场效应管。所述的第二场效应管FET2为恒流源FET。所述的第一场效应管FET1的栅极被偏置在0V。所述的第二场效应管FET2的漏极与源极间电压为一个正的直流电位。所述的第一场效应管FET1栅极与源极间电压为负。

利用ADS软件对设计的MMIC放大器进行建模、仿真，得到放大器的增益、噪声及驻波曲线。图2为恒流源自偏置结构的MMIC放大器的增益曲线，其中最上面一天曲线为-55摄氏度下增益，中间曲线为+15摄氏度下增益，最下面一条曲线为+85摄氏度下增益，可以看到，高低温下增益变化量约1.5dB。通过仿真结果可以看出，该MMIC放大器起到了改善高低温下增益变化的作用，适合系统应用需求。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。