一种Ku波段数控衰减器的制作方法

本实用新型涉及电子设备领域，尤其是一种Ku波段数控衰减器。

背景技术：

衰减器是一种提供衰减的电子元器件，分为：固定衰减器和可变衰减器，主要用于调整电路中的信号大小；在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值；再者，用于改善阻抗匹配，以满足多端口对电平的需求，被广泛应用于电子设备中。

目前，传统的Ku波段数控衰减器，多采用单片集成数控衰减器加上一组或多组单刀双掷开关SPDT切换衰减的方式实现多位控制的高动态衰减。由于设置单刀双掷开关使得电路损耗增加，插入损耗一般在7dB左右，并且附加相移较高，当该数控衰减器的附加相移较高，在50°左右，其应用受限。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种Ku波段数控衰减器，主要解决现有技术中存在的设置单刀双掷开关增加电路损耗，插入损耗高，附件相位较高、使用范围窄等问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种Ku波段数控衰减器，包括正电极接Ku波射频输入的二极管D1，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，正电极接Ku波射频输入、负电极分别接地且均与二极管D1并联的二极管D2、二极管D3和二极管D4，正电极接Ku波射频输入且与二极管D4并联的二极管D5，并联后一端接二极管D5负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。

具体地，二极管D1至二极管D5的型号为ADP2220-000，电容C1至电容C4均采用电容值为47pf的芯片电容，电阻R1和电阻R2的电阻值为1500Ω。

该衰减器的Ku波段射频输入为12～18GHz。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

(1)本实用新型采用并联5个二极管，较单片集成数控衰减器元器件减少，投入成本降低，Ku波传输路径缩短，降低插入能耗，其输出响应快。

(2)本实用新型在不同控制电压实现衰减时，射频信号所经历的传输路径等长，在保证功能的前提，简化电路，使二极管和电容的产生的附加相位降至最低。

(3)本实用新型的偏置电流由DA转换芯片提供，可监测任意衰减状态所需控制电压点，其衰减精度得到大大提高，适用范围广。

(4)本实用新型的元器件少，投入成本低廉，控制方式简单，便于调试。本实用新型具有成本低廉、衰减精度高、损耗低、附加相位小、适用范围广等特点，在电子设备领域具有很高的实用价值和推广价值。

附图说明

图1为现有的Ku波单片集成数控衰减器。

图2为本实用新型的Ku波数控衰减器。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

实施例

如图1所示，如图1所示，现有的单片集成数控衰减器射频输入FRin为12～18GHz，经单刀双掷开关SPDT进入固定衰减器Fixed Atten，最后从数控衰减器输出,其中设置两个单刀双掷开关SPDT，使得损耗增加。

如图2所示，一种Ku波段数控衰减器，包括正电极接Ku波射频输入的二极管D1，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，正电极接Ku波射频输入、负电极分别接地且依次排列在二极管D1之后的二极管D2、二极管D3和二极管D4，正电极接Ku波射频输入且排列在二极管D4之后的二极管D5，并联后一端接二极管D5负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。

射频输入12～18GHz波形，经二极管D1至D5，其中，CTL互补式晶体管逻辑闸产生的数字控制信号经CPLD可编程逻辑器展位数后输送至DA转换芯片，再经DA转换芯片转换成模拟电压信号为二极管D1至D5提供偏置电流。

该衰减器中的二极管D1至二极管D5的型号为ADP2220-000，电容C1至电容C4均采用电容值为47pf的芯片电容，电阻R1和电阻R2的电阻值为1500Ω。

上述实施例仅为本实用新型的优选实施例，并非对本实用新型保护范围的限制，但凡采用本实用新型的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本实用新型的保护范围之内。