一种高稳恒温晶体振荡器的制作方法

本实用新型涉及设备电路领域，尤其涉及一种高稳恒温晶体振荡器。

背景技术：

随着时代的进步,计量的准确性在军事、航天、通信和计量等方面越来越重要。计量的精度需要基准频率源的支持,因此提高其精准度、稳定度成为当今对基准频率源研究的热点。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种高稳恒温晶体振荡器，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。

在上述技术方案基础上，所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。

在上述技术方案基础上，所述控温电路中+12V电源经电阻R6接热敏电阻RT，电阻R6经二极管D1接地，热敏电阻RT经电阻R3接运算放大器IC0的2端口，热敏电阻RT经电阻RX接地，电阻R6经电阻R1接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1经电阻R4接运算放大器IC0的3端口，电阻R4接电容C1，电容C1分别经电容C2和电阻R5接电容C3，电容C3接地，电阻R3分别经二极管D1和二极管D2接电阻R4，运算放大器IC0的输出端经电阻R7接晶体管T0的基极，电阻R7经电容C4接地，电阻R7分别经电容C5和电阻R9接地，+12V电源经电阻R8接晶体管T0的集电极，晶体管T0的发射极接地。

在上述技术方案基础上，所述运算放大器IC采用LM224J型运算放大器，运算放大器IC0均采用LM308型运算放大器。

本实用新型设计的高稳恒温晶体振荡器调节范围大，从而适用范围广，从而提高了使用者的工作效率，通过控温电路控制恒温，从而利于高稳恒温晶体振荡器恒温稳定运行，提高电路运行稳定性，降低老化率，同时控温电路内置零点漂移，提高控温电路整体性能，方便使用者操作。

附图说明

图1为本实用新型的高稳恒温晶体振荡电路图。

图2为本实用新型的控温电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。

一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。

所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。

所述控温电路中+12V电源经电阻R6接热敏电阻RT，电阻R6经二极管D1接地，热敏电阻RT经电阻R3接运算放大器IC0的2端口，热敏电阻RT经电阻RX接地，电阻R6经电阻R1接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1经电阻R4接运算放大器IC0的3端口，电阻R4接电容C1，电容C1分别经电容C2和电阻R5接电容C3，电容C3接地，电阻R3分别经二极管D1和二极管D2接电阻R4，运算放大器IC0的输出端经电阻R7接晶体管T0的基极，电阻R7经电容C4接地，电阻R7分别经电容C5和电阻R9接地，+12V电源经电阻R8接晶体管T0的集电极，晶体管T0的发射极接地。

所述运算放大器IC采用LM224J型运算放大器，运算放大器IC0均采用LM308型运算放大器。

本实用习性设计的高稳恒温晶体振荡器运行时，高稳恒温晶体振荡电路中会发现电路的振荡频率f并不是在下边频fl和上边频fh的中心位置的情况。当调整其他元件参数都不能很好的改善时，可以通过调整这个正温度系数热敏电阻RT尺来获得改善，同时晶体振荡器的制作过程中，晶体的振荡频率可能会略高于或略低于标称频率。当振荡频率略高于标称频率时，通过手动调节RX，原电路的振荡频率可以顺利的调整到标称频率。当振荡频率略低于标称频率时，在原电路变容二极管C7下,串联一个电阻电容网络，可以有效改善，从而得到理想频率。控温电路由热敏电阻RT，拐点电阻RX，以及电阻R1、R2构成控温电桥网络，其阻值匹配可设定恒温电路的控温精度，其集成运放构成了直流电压放大器，功率管通过管耗为恒温槽提供热量。由此既可充分利用电源提供的效率，使恒温工程硕士学位论文槽消耗的功率降低，又可避免用电阻丝加热的工艺繁杂程序。拐点电阻凡可用来针对不同的晶体个体调整起拐点温度，拐点调定后再用固定电阻代替。该恒温电路的基本工作原理为通电后，当恒温槽温度还未达到晶体的拐点温度时，热敏电阻电桥将存在较大的失衡输出电压，恒温控制电路处于大电流加热功率状态，流过功率管的电流最大随着恒温槽内温度的上升，热敏电桥电路的失衡电压下降，导致功率管的管耗降低当恒温槽加热到所需控制温度时，电桥保持一定的平衡输出电压，此时，恒温控制电路处于最小加热功率状态，流过功率管的电流最小。它产生的热量等于一定条件下恒温槽散失的热量。当槽内温度发生变化时，则热敏电阻的阻值也会发生相应的变化,因而改变电桥相对失衡电平的输出电压。如T↑→RT↓→+V↓→V0↓→I↓→T↓，这样通过热敏电阻阻值的变化，就可休整恒温槽内的温度变化，即保持了槽内的恒温。通过设置放大倍数，加热电流可以调整加热时间和加热电路的稳定性，欠阻尼系统是快速的，但呈现一个阻尼振荡特性而过阻尼系统是稳定的，但加热速度慢。

以上所述为本实用新型较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本实用新型的教导，在不脱离本实用新型的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本实用新型的保护范围之内。