该说明书大体上涉及电子驱动器电路，并且一个或多个实施例涉及可用于例如超声波发送信道中并且可以应用于例如超声波扫描设备的电子驱动器电路。
背景技术：
超声波扫描系统，诸如在医疗领域中使用的那些超声波扫描系统，可以提供超声波传输通道的存在，该超声波传输通道具有在发送阶段期间电激发连接到其输出的换能器(例如，由压电材料制成的或电容型的超声发生器)的功能。相反，在接收阶段期间，信道接收来自换能器的发射波的回波，将其传送到接收机电路并处理信号。
以精确的方式将给定的低电压信号转换成高电压信号的任务可以被分配给驱动器电路。这样的系统还可以提供接收的要经历基于所发送的信号的谐波进行分析的回波。
期望驱动器电路能够在有源元件的带内实现正确的激励，引入低水平的失真，例如生成关于参考电压(GND)对称的信号，因此关于参考电压(GND)对称的负输出电压和正输出电压两者。
驱动器可以基本上被归属于两个基本(宏)类别：线性驱动器和脉冲驱动器，后者也称为脉冲发生器。
在线性驱动器中，电路在高电压下以低电压复制(任意)模拟信号。该类别的驱动器可以基于运算放大器，并且允许带内的有源元件的激励被优化，还允许探针的处理，在相同探针的元件之间的信号在幅度上被平滑，并在激励算法中提供高水平的灵活性。线性驱动器也可能具有某些缺点，诸如功率消耗、一些集成问题、占用面积、以及因此的每个通道的高成本。为此，线性驱动器目前首先在高端应用中被使用，并且具有主要使用分立元件的电路拓扑。
在脉冲驱动器或脉冲发生器中，该电路允许高压输出被带到与对该电路的电源供应相对应的给定电压电平。这种类型的驱动器可以包括简单的半桥，例如(也考虑作为可能的电压电平的参考地)三级系统或五级系统，其中一个半桥或两个半桥作用在输出节点上。该解决方案例如在高级集成、电路消耗的功率减少、有限的占用面积和每个通道的低成本方面可以提供优点，但是在有源元件的激励的灵活性或优化方面也具有缺点。脉冲驱动器目前首先在标准或低端系统中使用，并且考虑到功率消耗，在有源元件被连续激发的CW(连续波)应用中使用。
从(美国)加尼福尼亚州圣何塞果园大道2560号(2560Orchard Parkway,San Jose(USA))CA 95131的Tripath科技有限公司(Tripath Technology,Inc.)可获得的放大器TAA4100、从(美国)加尼福尼亚州圣何塞Rio Robles 160号(160Rio Robles,San Jose,(USA))CA95134的Maxim Integrated可获得的产品MAX14807、IEEE电路与系统杂志(IEEE Transactions on Circuits and Systems)第61卷2014年7月第7期第1942–1951页由D.Bianchi等的文章：“Analysis and Design of a High Voltage Integrated Class-B Amplifier for Ultra-Sound Transducers”、以及US 7977 820B2例示了参考上文概述的场景的现有技术。
技术实现要素：
这些权利要求构成了与一个或多个实施例有关的技术教导的组成部分。
本实用新型的一个方面公开了一种电路。该电路包括被配置为接收脉冲信号的第一输入、被配置为接收模拟信号的第二输入、被配置为向负载施加脉冲驱动信号或模拟驱动信号的输出、以及互补极性的一对晶体管，每个晶体管包括控制端子和电流通路，并且所述一对晶体管被放置成所述电流通路串联地耦合在相对的电源线之间，其中中间连接点在所述一对晶体管之间，所述连接点耦合到所述输出，并且所述一对晶体管的所述控制端子彼此耦合并被配置为耦合到所述第一输入和所述第二输入。
在一个实施例中，该电路还可以包括插入在所述连接点和所述输出之间的相对极性的一对二极管。
在另一个实施例中，电路中的所述一对二极管可以包括反并联地耦合的所述一对二极管。在又一实施例中，电路还可以包括耦合在所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子与所述第一输入和所述第二输入之间的开关电路，所述开关电路被配置为在脉冲模式将所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第一输入，并且在线性模式将所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第二输入。
在一个实施例中，电路可以包括互补极性的另一对晶体管，所述另一对中的每个晶体管包括控制端子和电流通路，并且所述一对晶体管被放置成所述电流通路串联地耦合在所述相对的电源线之间，其中中间连接点在耦合到所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子的所述另一对晶体管之间，所述另一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子被配置为耦合到所述第一输入并且耦合到所述第二输入。
在另一个实施例中，电路的中所述开关电路还可以耦合到所述另一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子，并且还被配置为在所述脉冲模式将所述另一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第一输入，并且在所述线性模式将所述另一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第二输入。
在又一实施例中，电路中的所述相对的电源线可以包括第一电源线和第二电源线；所述一对晶体管中的一个晶体管和所述另一对晶体管的一个晶体管耦合到所述第一电源线并且具有相互互补的极性；以及所述一对晶体管的另一个晶体管和所述另一对晶体管的另一个晶体管耦合到所述第二电源线并且具有相互互补的极性。
在另一实施例中，电路还可以包括钳位网络，所述钳位网络耦合在所述另一对晶体管的所述晶体管之间的所述中间连接点与所述一对晶体管的所述晶体管之间的所述中间连接点之间，并被配置为关于所述输出传送电流。
在一个实施例中，电路中的所述钳位网络可以包括彼此串联地耦合的相反极性的两个齐纳二极管。
在另一个实施例中，电路还可以包括：互补极性的另外的第一对晶体管，所述另外的第一对中的每个晶体管包括控制端子，所述第一输入被配置为接收与所述另外的第一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子相对应的所述脉冲信号；互补极性的另外的第二对晶体管，所述另外的第二对中的每个晶体管包括控制端子，所述第二输入被配置为接收与所述另外的第二对晶体管的所述晶体管的所述控制端子相对应的所述模拟信号；以及被配置为向所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合所述另外的第一对晶体管和所述另外的第二对晶体管的开关电路。
在一些实施例中，电路中的所述另外的第一对晶体管的所述晶体管耦合到第一对电源线；以及所述另外的第二对晶体管的所述晶体管耦合到第二对电源线。
在另一个实施例中，电路中的所述另外的第一对晶体管和所述另外的第二对晶体管可以各包括：被配置为耦合到所述一对晶体管的所述晶体管中的一个晶体管的所述控制端子的第一晶体管；以及被配置为耦合到所述一对晶体管的所述晶体管中的另一个晶体管的所述控制端子的第二晶体管。
在又一实施例中，电路中的所述开关电路可以包括：第一二极管，所述第一二极管插入在所述另外的第一对晶体管和所述另外的第二对晶体管的所述第一晶体管与所述一对晶体管的所述晶体管中的所述一个晶体管的所述控制端子之间；以及第二二极管，所述第二二极管插入在所述另外的第一对晶体管和所述另外的第二对晶体管的所述第二晶体管与所述一对晶体管的所述晶体管中的所述另一个晶体管的所述控制端子之间。
在一个实施例中，电路还可以包括钳位网络，所述钳位网络插入在所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子之间，并且耦合在所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子和所述输出之间。
在另一个实施例中，电路中的所述钳位网络可以包括：第一分支，所述第一分支插入在所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子之间，并且优选地包括两个二极管串，所述串关于彼此反并联地被放置；以及第二分支，所述第二分支插入所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子和所述输出之间，以在所述输出与所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子之间建立导电通路。
本公开的另一方面公开了一种超声波装置。该超声波装置的特征在于，包括：驱动电路和超声换能器设备，所述超声换能器设备耦合到所述输出并被配置为将在所述输出上提供的所述驱动信号转换成超声波发射信号；该驱动器电路包括被配置为接收脉冲信号的第一输入、被配置为接收模拟信号的第二输入、输出、以及互补极性的一对晶体管，每个晶体管包括控制节点并且具有电流通路，所述一对晶体管具有串联地耦合在相对的电源线之间的所述电流通路并且具有在所述一对晶体管之间形成的中间节点，所述中间节点耦合到所述输出，并且所述一对晶体管的所述控制节点彼此耦合并且被配置为在脉冲操作模式耦合到所述第一输入以在所述输出上提供脉冲驱动信号、并且在线性操作模式耦合到所述第二输入，以在所述输出上提供线性驱动信号。
在一个实施例中，超声波装置还可以包括开关部件，所述开关部件用于在所述脉冲操作模式将所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第一输入，并且在所述线性操作模式将所述一对晶体管的所述晶体管的所述控制端子耦合到所述第二输入。
一个或多个实施例可以允许将线性和脉冲驱动器的功能集成到使用相同输出功率组件的单个电路解决方案中，具有实现以下优点中的一个或多个的可能性：
仅使用一个输出级；
在面积/成本方面是经济的；
脉冲发生器模式下输出波形的高对称性；
当前反馈比较的内在鲁棒性；
避免在线性操作中阶段的完全关断的可能性，以便于避免在相同阶段的关断和(重新)启动期间注入电荷。
除了在两种不同模式(线性/脉冲)中使用相同输出功率分量的可能性之外，一个或多个实施例的有益方面可以包括：
在脉冲或脉冲发生器模式下可能重新使用驱动电流的负载；
线性和脉冲发生器模式能够连接到两个不同的电源，具有脉冲发生器的潜在添加；
输出级可配置为在任意一对电压+/-HV之间提供的射极跟随器，从而具有关于参考地(GND)对称的输出信号的后续可能性。
附图说明
现在将仅通过非限制性示例参照附图来描述一个或多个实施例，在附图中：
图1是驱动器电路的一个可能的实现的电路图；
图2是根据本公开的实施例的一个可能实现的电路图；以及
图3是根据本公开的实施例的一个可能实现的电路图的一个示例。
具体实施方式
在下面的描述中，示出了特定于提供根据说明书对各种示例性实施例的深入理解的目的的各种细节。可以在没有具体细节中的一个或多个的情况下或者利用其他方法、组件、材料等获得实施例。在其他情况下，未详细说明或描述已知的结构、材料或操作，使得实施例的各个方面不会被变得不清楚。在本说明书的框架中对“实施例”的引用旨在指示在至少一个实施例中包括关于该实施例所描述的特定配置、结构或特征。因此，可能在本说明书的各个点处呈现的诸如“在一个实施例中”的短语不一定参考完全相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，特定配置、结构或特征可以以任何给定的适当的方式被组合。
这里使用的参考仅为了方便而提供，并且因此不限定保护范围或实施例的范围。
一个或多个实施例旨在考虑到以下事实：如果一方面，能够在单个集成结构内接合以前讨论的驱动功能(线性和脉冲)两者的电路解决方案的需求正在增加并且对市场更有吸引力，并且另一方面，使得驱动器解决方案中的两者在相同电路中共存可能导致难以解决的问题。
例如，图1例示了电路10的可行实现，电路10在具有正高电压+HV/+HV2的两条分离线路和具有负高电压-HV/-HV2的两条分离线之间工作，并且将脉冲式或脉冲发生器类型11(图的右侧)的一个输出级和线性类型12(图的左侧)的一个输出级接合，在这种情况下被例示为射极跟随器，但也可采用不同的解决方案。连接到输出节点Vout，钳位开关可以被激活，其能够将参考电压GND施加到一级或另一级Vout的输出，具有形成例如具有三个等级的脉冲发生器的可能性。
从电路的角度来看，这样的解决方案包括各种关键方面：
-高压电源利用与脉冲发生器级11和线性级12两者的输出串联的二极管来彼此去耦合；
-为了允许脉冲发生器级11工作，与线性级的输出串联的二极管被反向偏置，以便于促进线性级12的输出的关断；
-在导通和关断期间，可能产生毛刺，如果发送到有源元件上，则毛刺可能会降低接收信号；
-反转脉冲发生器级11和线性级12的串联二极管的电路不容易实现；
-占用面积相当可观；
-在输出节点VOUT上，引入电路用于防止来自负载的电感元件的可能的电流浪涌(surge)，其旨在限制组件分解之前在组件上的(最大)电压。
图2例示了根据一个或多个实施例的电路解决方案，其中相同的输出功率组件可以例如在超声波扫描装置中被用于利用执行各种线性和脉冲驱动器功能的能力驱动超声换能器T。
一个或多个实施例适合于在超声波设备，例如超声波扫描设备中，潜在地与相同申请人在相同日期提交的各种发明专利申请中描述的技术方案结合使用。
在图2中例示的解决方案中，存在输出级，其包括互补极性(例如NMOS和PMOS)的两个输出晶体管21、22，它们被放置，其中它们的电流通路(在诸如MOS晶体管的场效应晶体管的情况下为源极-漏极)在(最大)正和负电压+HV和-HV之间彼此串联地布置。
在一个或多个实施例中，两个晶体管21和22可以以射极跟随器配置被放置，其中它们的电流发射端子(在诸如MOS晶体管的场效应晶体管的情况下为源极)在节点或点P处连接在一起，以便于潜在地经由以相反极性耦合的一对二极管(低电压)24(例如以反并联(一个二极管的阳极连接到另一个二极管的阴极)连接)来驱动输出端子VOUT，用于在接收阶段解耦合输出级的寄生电容的目的。
在一个或多个实施例中，晶体管21、22的控制端子(在诸如MOS晶体管的场效应晶体管的情况下为栅极)可以用升压电路从低压输入级驱动到电压+HV和-HV(图中未显示)：
-或者数字地用方波，
-或者以模拟方式通过任意信号
为了能够生成作为+HV和-HV之间的方波(因此在脉冲模式作为脉冲发生器操作)和“复制”输入信号(因此以线性模式操作)的模拟信号两者的输出，在这种模式下，输出能够经由反馈网络连接到输入级。
在一个或多个实施例中，可以借助于开关31、32(例如由信号LN_EN控制的电子开关)来进行将哪个输入(31a、32a-方波或者31b，32b-模拟)施加到晶体管21、22的控制端子的选择，开关31、32能够经由驱动器级(例如MOSFET晶体管、PMOS和NMOS)41、42连接到晶体管21、22，其也能够被放置，例如其中其电流通路(在诸如MOS晶体管的场效应晶体管的情况下为源极-漏极)在电压+HV和-HV之间彼此串联，例如其中晶体管41和42的漏极连接在一起。
将注意到，这里纯粹以示例的方式示出了晶体管41、42的连接放置和开关31、32的存在。
事实上，一个或多个实施例可以采用与图2的实施例中所示的不同的连接配置。
一个或多个实施例可以提供模拟信号(线性模式)或数字信号(脉冲发生器模式)的对电路10的输入(例如通过升压电路)的直接注入。
虽然不被认为是一个必要特征，但是在一个或多个实施例中，可以提供钳位(例如齐纳二极管210和220)的存在，其作用在电源线+HV和-HV和接地之间。
在一个或多个实施例中，在晶体管41和42之间(例如在连接的漏极之间)的连接节点和驱动输出VOUT的晶体管21和22之间(例如在晶体管21和22的源极之间)的连接节点P之间，可以存在钳位qi，该钳位包括例如彼此串联连接(阴极-阴极)的两个齐纳二极管51、52。
这里通过两个齐纳二极管51、52(一个或多个实施例可以利用本领域技术人员已知的其他形式的实现)示例的钳位，取决于它们制造所采用的技术，可以通过使电流流向限制晶体管21和22上的电压降(例如在栅极和源极之间)的输出VOUT来工作。
在一个或多个实施例中，这里由脉冲操作模式(脉冲发生器)中的两个齐纳二极管51、52示例的钳位还可以允许晶体管41和42的驱动电流被引向输出VOUT，因此引向负载，其中由N型功率晶体管以及P型的其互补生成的每个波前有助于输出信号的边缘的对称性的实现。在一个或多个实施例中，如这里所例示，晶体管41、42实际上可以具有分别与晶体管21、22的极性相对的极性，例如21-NMOS与41-PMOS，以及22-PMOS和42-NMOS。
这种结构允许将来自负载的电流直接再循环到晶体管21、22的体–漏二极管上，促进与以下事实链接的关键方面的克服：作为功率晶体管，晶体管21、22可以具有链接到驱动负载的电流的维度。
在一个或多个实施例中，如这里所例示，电路10可以通过单个电源(例如+HV/-HV)在脉冲发生器模式和线性模式下供电。
在一个或多个实施例中，能够对电路10作用，以便于使用不同的电源电压，其潜在地能够例如产生具有五个等级的脉冲发生器解决方案或允许电流消耗被限制。
图3例示了基于图2中例示的解决方案的这种开发的一个或多个实施例。
在图3的电路图中，图2中的晶体管41和42(例如PMOS和NMOS)可以说是“分裂”成：
在电压+HV_P和-HV_P之间工作的第一对晶体管411和421(例如PMOS和NMOS)
在电压+HV_L和-HV_L之间工作的第二对晶体管412和422(例如PMOS和NMOS)。
具有输入级(图中未示出)的整个组件能够例如：
利用方波(输入31a、32a)数字地驱动第一对晶体管411和421，
利用任意信号(输入端31b、32b)以模拟方式驱动第二对晶体管412和422。
在一个或多个实施例中，在晶体管对411、421和晶体管对412、422的电流通路中，可以存在相应的二极管对61、62和71、72(例如耦合到晶体管411、421和412、422的漏极)，当相应的晶体管对被启用时其正在导通(即，具有正向偏置)，当另一对晶体管被被启用时其不导通(即，具有反向偏置)。
在一个或多个实施例中，因此保持将功率晶体管21、22连接到电压HV_L或HV_P的较高者的可能性，例如能够使用较低电压进行线性模拟操作，暴露于更大的功率吸收，或者保持在CW模式中使用不同于在线性操作中使用的脉冲发生器操作中的电源电压的可能性。
在一个或多个实施例中，还能够添加连接到相应电源值的其他驱动器级(实际上任何给定数量)。
在一个或多个实施例中，钳位解决方案512可以被应用(替代地于电路52)，该解决方案在图3中被例示，并且包括：
反并联地(即其中阳极和阴极在串81中以一种方向，并且在串82中以相反的方向)布置在输出功率晶体管21和22的控制电极(栅极，在场效应晶体管的情况下为栅极)之间的两串二极管81、82，以及
两个二极管91、92各自插入在晶体管21和22中的一个的控制电极与驱动输出VOUT的这些晶体管21和22的连接点(例如源极)之间，例如其中二极管91、92设置其阳极和阴极使得以正向偏置的方式并且在上述连接点与晶体管21(二极管91)的控制电极之间以及在晶体管22的控制电极和上述连接点P之间形成相应的导电通路。
因此，应当理解，在上文中参照附图中的任何一个讨论的各种特征可以在其他附图中例示的实施例中单独地或相互组合地应用，尽管在这些其它附图的描述中没有具体要求保护。
因此，一个或多个实施例可涉及一种电路(例如10)，包括：
接收脉冲信号的第一输入(例如31a、32a)
接收模拟信号的第二输入(例如31b、32b)
用于向负载(例如T，其本身可以是相对于实施例不同的元件)施加脉冲驱动信号或模拟驱动信号的输出(例如VOUT)，
互补极性(例如NMOS和PMOS)的一对晶体管(例如，MOSFET晶体管21、22)，以其电流通路(例如源极-漏极)串联地放置在相对的电源线(例如图2中的+HV、-HV，或者图3中的Max(HV_L，HV_P)，Min(HV_L，HV_P))之间，其中中间连接点(例如P)在所述一对晶体管的晶体管之间，
所述一对晶体管使所述连接点耦合到所述输出以及控制端子(例如门)彼此耦合并且可耦合到第一输入或第二输入。
一个或多个实施例可以包括一对具有相反极性的二极管(例如24)，其可选地反并联插入在所述连接点和所述输出之间。
一个或多个实施例可以包括开关电路(例如图2中的电子开关31、32或图3中的二极管61、62、71、72)，作用在所述一对晶体管的晶体管的控制端子和第一输入和第二输入之间，以便于将所述一对晶体管的晶体管的控制端子耦合到第一输入或耦合到第二输入。
一个或多个实施例可以包括具有互补极性(例如PMOS和NMOS)的另一对晶体管(例如图2中的41、42)，其中它们的电流通路被放置在所述相对电源线(例如+HV、-HV)之间，其中相应的中间连接点耦合到所述一对晶体管的晶体管的控制端子，另一对晶体管的晶体管的控制端子可耦合(例如，在31、32处)到第一输入或到第二输入。
在一个或多个实施例中：
相对的电源线可以包括第一电源线(例如+HV)和第二电源线(例如-HV)，
所述一对晶体管的晶体管(例如21)和耦合到第一电源线的所述另一对晶体管的晶体管(例如41)可以具有相互互补的极性(例如NMOS和PMOS)，以及
所述一对晶体管的晶体管(例如22)和耦合到第二电源线的所述另一对晶体管的晶体管(例如42)可以具有相互互补的极性(例如PMOS和NMOS)。
一个或多个实施例可以包括钳位网络(例如，51、52)，其作用在另一对晶体管的晶体管之间的相应中间连接点与所述一对晶体管的晶体管之间的中间连接点之间，以便传送相对于所述输出(VOUT)的电流。
在一个或多个实施例中，所述钳位网络可以包括相反极性的并且可选地彼此串联(例如连接的阴极到阴极)的两个齐纳二极管。
一个或多个实施例可以包括：
互补极性(例如PMOS和NMOS)的另外的第一对晶体管(例如411、421)，第一输入接受脉冲信号，包括另外的第一对晶体管的晶体管的控制端子，
互补极性(例如PMOS和NMOS)的另外的第二对晶体管(例如412、422)，所述第二输入接受模拟信号，包括所述另外的第二对晶体管的晶体管的控制端子，以及
开关电路，可选的二极管部件(例如图3中的61、62、71、72)，用于向所述一对晶体管的晶体管的控制端子耦合另外的第一对晶体管(411、421)或另外的第二对晶体管。
在一个或多个实施例中：
另外的第一对晶体管(411、421)的晶体管可以耦合到第一对电源线(例如+HV_P，-HV_P)，以及
第二另外的晶体管对(412、422)的晶体管可以耦合到第二对电源线(例如+HV_L，-HV_L)。
在一个或多个实施例中，另外的第一对晶体管和另外的第二对晶体管可以各自包括：
第一晶体管(例如，411、412)，可耦合(例如借助于二极管61、71)到所述一对晶体管的晶体管中的一个(例如21)的控制端子，以及
第二晶体管(例如，421、422)，可耦合(例如借助于二极管62、72)到所述一对晶体管的晶体管的另一个(例如22)的控制端子。
在一个或多个实施例中，所述开关电路可以包括：
第一二极管(例如61、71)，插入在另外的第一对晶体管和另外的第二对晶体管的第一晶体管和所述一对晶体管的晶体管中的所述一个的控制端子之间，以及
第二二极管(例如62、72)，插入在另外的第一对晶体管和另外的第二对晶体管的第二晶体管和所述一对晶体管的晶体管中的另一个的控制端子之间。
一个或多个实施例可以包括钳位网络(例如512)，其被插入在所述一对晶体管的晶体管的控制端子之间并作用于所述一对晶体管的晶体管的控制端子和所述输出之间。
在一个或多个实施例中，该钳位网络可以包括：
第一分支(例如81、82)，插入在所述一对晶体管的晶体管的控制端子之间并且可选地包括两串二极管的，所述串相对于彼此反并联地放置，以及
第二支路(例如91、92)，在所述一对晶体管的晶体管的控制端子和所述输出之间有效并能够在所述输出与所述一对晶体管的晶体管的控制端子之间建立导通通路。
根据一个或多个实施例的超声波装置可以包括：
根据一个或多个实施例的驱动器设备，
能够将电驱动信号转换为超声波传输信号的超声波换能器设备(例如T)，所述超声换能器设备耦合到该驱动器设备的所述输出。
在一个或多个实施例中，一种方法可以包括：
提供根据一个或多个实施例的电路，
将负载(例如T)耦合到所述电路的输出端，以及
i)将脉冲信号施加到电路的第一输入，其中第一输入耦合到所述一对晶体管的晶体管的控制端子，由此在所述负载上存在脉冲驱动信号，或
ii)将模拟信号施加到电路的第二输入，其中第二输入耦合到所述一对晶体管的晶体管的控制端子，由此在所述负载上存在模拟驱动信号。
保持本公开的基本原理，实现和实施例的细节将能够相对于纯粹通过非限制性示例的方式说明的内容发生甚至显着地发生变化，然而并不偏离保护范围。
该保护范围由所附权利要求限定。
可以组合上述各种实施例以提供其他实施例。在不与本公开的原理和教导不一致的程度上，本说明书中提及的和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利文献的全部内容通过引用并入本文。如果需要采用各种专利、申请和出版物的概念以提供另外的实施例，可以修改实施例的各方面。
可以根据上述详细描述对这些实施例进行这些和其它改变。通常，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求书中公开的具体实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例以及这些权利要求被授权的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。