弹性波元件以及通信装置的制作方法

本发明涉及使用了声表面波(saw：surfaceacousticwave)的弹性波元件以及通信装置。

背景技术

作为弹性波元件，公知具有被设置在压电基板的主面上的idt(interdigitaltransducer，叉指换能器)电极的元件。上述那样的弹性波元件，例如被利用于分波器的发送滤波器、接收滤波器等。

idt电极例如具备：对置的一对汇流条；从各个汇流条向另一方的汇流条侧交替地延伸突出的多个电极指；以及在该电极指的延伸方向上从另一方的汇流条延伸突出的虚设电极。

国际公开编号2006/109591号中公开了通过将电极指的前端与虚设电极的间隙附近的电极指宽度加宽而使谐振特性提高的例子。

技术实现要素：

-发明所要解决的技术问题-

在使用上述那样的idt电极的弹性波元件中，谋求进一步的谐振特性的提高。具体而言，谋求提供一种在谐振特性中损耗也少的弹性波元件。

本公开是鉴于该事情而被提出的，其目的在于，提供一种损耗少的弹性波元件以及使用其的通信装置。

-用于解决技术问题的手段-

作为本公开的一方式的弹性波元件具备压电基板、和被配置在所述压电基板的上表面的idt电极。而且，所述idt电极具备第一汇流条以及第二汇流条、第一电极指以及第二电极指和第一虚设电极以及第二虚设电极。第一汇流条以及第二汇流条被连接于相互不同的电位，且相互空开间隔配置。第一电极指与所述第一汇流条连接，且向所述第二汇流条侧延伸。第二电极指与所述第二汇流条连接，且向所述第一汇流条侧延伸。而且第一电极指与第二电极指被配置成沿着弹性波传播方向相邻。第一虚设电极与所述第一汇流条连接，且隔着第二间隙而与所述第二电极指对置。第二虚设电极与所述第二汇流条连接，且隔着第一间隙而与所述第一电极指对置。而且，假定沿着弹性波传播方向延伸的三个区域。三个区域是：包括所述第一电极指与所述第二电极指交叉的部分的中央区域；位于所述中央区域的两侧的、位于比所述中央区域更靠所述第一汇流条侧的位置的第一端部区域和位于比所述中央区域更靠所述第二汇流条侧的位置的第二端部区域。在此，所述第一电极指具有位于所述第二端部区域的第一前端部。而且，所述第一电极指以及所述第二电极指的任意一方在与沿着弹性波传播方向延伸的所述第一前端部重叠的前端区域具备增加部，在该增加部，相对于所述第一电极指与所述第二电极指延伸的方向上的每单位长度的电极体积比所述中央区域大。

本公开的一方式所涉及的通信装置具备：具有第一通带的第一滤波器；以及具有与所述第一通带不同的第二通带的第二滤波器，对用于所述第一滤波器或者所述第二滤波器的弹性波滤波器，使用上述的弹性波元件。

-发明效果-

通过包含上述结构的弹性波元件以及使用其的通信装置，通过使电极指的前端附近的振动分布相异，从而抑制从电极指的前端与虚设电极之间泄漏的体波(bulkwave)，由此损耗少。

附图说明

图1是本公开的实施方式所涉及的弹性波元件的俯视图。

图2是图1的ii-ii线的主要部位剖视图。

图3是idt电极的主要部位放大图。

图4是图3的主要部位立体图。

图5是表示实施例以及比较例的频率特性的线图。

图6是实施例以及比较例的主要部位放大图。

图7是表示实施例以及比较例的频率特性的线图。

图8是表示实施例以及比较例的频率特性的线图。

图9是实施例以及比较例的主要部位放大图。

图10是表示实施例以及比较例的频率特性的线图。

图11是表示实施例以及比较例的频率特性的线图。

图12是变形例的弹性波元件的主要部位放大剖视图。

图13是表示本公开的通信装置的一例的框图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本公开的实施方式所涉及的弹性波元件(以下，称为saw元件)。另外，以下的说明中所使用的图是示意性的附图，附图上的尺寸比率等和现实的尺寸比率未必一致。

再有，在变形例等中，关于与已经说明过的实施方式共用或者类似的结构，使用与已经说明过的实施方式共用的符号，并且有时会省略图示或说明。

<实施方式>

(saw元件的结构)

(基本结构)

图1是表示本发明的实施方式所涉及的saw元件1的基本结构的俯视图。图2是图1的ii-ii线的主要部位剖视图。作为弹性波，saw元件1利用saw，如图1所示那样，saw元件1具有压电基板2、和设置在压电基板2的上表面2a的激发电极3(以下，记载为idt电极3)。idt电极3具有相互对置的两根汇流条31、从各汇流条31向其他汇流条31侧延伸的多个电极指32、以及与各个电极指32对置的虚设电极33。将各电极指32之中与虚设电极33对置的部分作为前端部34。

在此，在本实施方式中，使从一方的电极指32的前端部34到另一方的汇流条31之间的端部区域、和从另一方的电极指32的前端部34到一方的汇流条31之间的端部区域a1、a2的电极指32、虚设电极33的形状采取后述的结构，由此能够提供损耗少的saw元件1。以下，详述各结构。

压电基板2通过包含铌酸锂(ln：linbo3)晶体或者钽酸锂(lt：litao3)晶体或者水晶(sio2)的具有压电性的单晶体的基板来构成。切角也可以设为适当的角度。例如，如果是lt，那么是42°±10°y-x切割、0°±10°y-x切割等。如果是ln，那么是128°±10°y-x切割或者64°±10°y-x切割等。

另外，以下主要以压电基板2为包含lt的38°以上且48°以下y-x切割的方式为例进行说明。只要没有特别说明，后述的模拟结果等都是包含lt的38°以上且48°以下y-x切割的基板。

压电基板2的平面形状以及各种尺寸适当地设定即可。作为一例，压电基板2的厚度(z方向)在整个平面方向上是恒定的，可例示0.2mm以上且0.5mm以下。

在压电基板2的上表面2a配置有idt电极3。如图1所示那样，idt电极3具有第一梳齿电极30a以及第二梳齿电极30b。另外，在以下的说明中，有时将第一梳齿电极30a以及第二梳齿电极30b简称为梳齿电极30，而并未对这些加以区别。

如图1所示那样，梳齿电极30具有相互对置的两根汇流条31(第一汇流条31a、第二汇流条31b)、和从各汇流条31向其他汇流条31侧延伸的多个电极指32。而且，一对梳齿电极30被配置为第一电极指32a与第二电极指32b在saw的传播方向上相互咬合(交叉)。第一电极指32a与第一汇流条31a电连接，第二电极指32b与第二汇流条31b电连接。

在此，第一汇流条31a与第二汇流条31b连接于不同的电位。

再有，梳齿电极30具有与各个电极指32对置的虚设电极33。第一虚设电极33a从第一汇流条31a朝着第二电极指32b延伸。第二虚设电极33b从第二汇流条31b朝着第一电极指32a延伸。在此，将第二虚设电极33b与第一电极指32a之间的间隙设为第一间隙gp1。同样地，将第一虚设电极33a与第二电极指32b之间的间隙设为第二间隙gp2。

汇流条31例如形成为以大体恒定的宽度直线状地延伸的长条状。因此，汇流条31的相互对置一侧的缘部为直线状。多个电极指32例如形成为以大体恒定的宽度直线状地延伸的长条状，且以大体恒定的间隔排列在saw的传播方向上。

另外，汇流条31的宽度也可以不是恒定的。只要汇流条31的相互对置一侧(内侧)的缘部为直线状即可，例如也可以是将内侧的缘部设为梯形的底边的形状。

在此之后，有时将第一汇流条31a以及第二汇流条31b简称为汇流条31，并不对第一与第二进行区别。同样地，有时将第一电极指32a以及第二电极指32b简称为电极指32，将第一虚设电极33a以及第二虚设电极33b简称为虚设电极33，将第一间隙gp1以及第二间隙gp2简称为间隙gp，而不对第一与第二进行区别。

构成idt电极3的一对梳齿电极30的多个电极指32进行排列，以使得在附图的x方向上反复排列。更详细的是，如图2所示那样，第一电极指32a以及第二电极指32b在压电基板2的上表面2a空开间隔并交替地反复配置。

这样，构成idt电极3的一对梳齿电极30的多个电极指32被设定为成为间距pt1。间距pt1是多个电极指32的中心间的间隔(反复间隔)，例如被设置为与欲使之谐振的频率下的saw的波长λ的半波长同等。波长λ(即2×pt1)例如为1.5μm以上且6μm以下。idt电极3通过配置为使多个电极指32的大部分变为间距pt1，从而多个电极指32以恒定的反复间隔被配置，因此能够使saw有效地产生。

在此，如图2所示那样，间距pt1指的是：在saw的传播方向上，从第一电极指32a的中心到与该第一电极指32a相邻的第二电极指32b的中心为止的间隔。根据saw元件1所要求的电特性等，适当地设定各电极指32在saw的传播方向上的宽度w1。电极指32的宽度w1例如相对于间距pt1为0.3倍以上且0.7倍以下。

图2是电极指32的交叉区域的中央区域ac(例如参照图3)处的剖视图。中央区域ac指的是除去电极指32的前端部34之外电极指32相互交叉的区域，是占据交叉部分的大部分的区域。例如，也可以在与弹性波的传播方向正交的方向上具有交叉宽度的85％以上的宽度。在此，将各电极指32的中央区域ac的电极厚度设为s。再有，将各电极指32的位于中央区域ac的部分设为中央部35。

产生在与该多个电极指32正交的方向上传播的saw。因此，考虑了压电基板2的晶体取向，然后将两根汇流条31配置成在与欲使saw传播的方向交叉的方向上相互空开间隔地对置。多个电极指32形成为在相对于欲使saw传播的方向正交的方向上延伸。另外，saw的传播方向虽然能够根据多个电极指32的朝向等来确定，但在本实施方式中，为了方便，将saw的传播方向作为基准来说明多个电极指32的朝向等。

多个电极指32的长度(从汇流条31到电极指32的前端为止的长度)例如设定为大体相同。另外，也可以改变各电极指32的长度，例如也可以随着在传播方向上前进而增长或缩短。具体而言，也可以通过使各电极指32的长度相对于传播方向发生变化，从而构成变迹型的idt电极3。该情况下，能够使横模的寄生减少，或使耐电力性提高。

如图2所示那样，idt电极3例如通过包含金属的导电层15来构成。作为该金属，例如能列举出al或者以al为主成分的合金(al合金)。al合金例如是al-cu合金。另外，idt电极3也可以由多个金属层构成。idt电极3的各种尺寸能够根据saw元件1所要求的电特性等而适当地设定。idt电极3的中央区域ac的电极厚度s(z方向)例如为50nm以上且600nm以下。

idt电极3既可以直接配置于压电基板2的上表面2a，也可以隔着其他构件而配置于压电基板2的上表面2a。其他构件例如包含ti、cr或者这些金属的合金等。在隔着其他构件而将idt电极3配置于压电基板2的上表面2a的情况下，其他构件的厚度被设定成对idt电极3的电特性几乎不会造成影响的程度的厚度(例如，ti的情况下为idt电极3的厚度的5％程度的厚度)。

idt电极3若被施加电压，则在压电基板2的上表面2a附近激励在x方向上传播的saw。被激励出的saw在与电极指32的非配置区域(相邻的电极指32间的长条状的区域)的边界处反射。而且，形成将电极指32的间距pt1设为半波长的驻波。驻波被变换为与该驻波相同频率的电信号，并通过电极指32取出。这样一来，saw元件1作为1端口的谐振器发挥功能。

反射器4被配置为在saw的传播方向上夹持idt电极3。反射器4大体形成为格子状。即，反射器4具有：在与saw的传播方向交叉的方向上相互对置的反射器汇流条41；以及在这些汇流条41间在与saw的传播方向正交的方向上延伸的多个反射电极指42。反射器汇流条41例如形成为以大体恒定的宽度直线状地延伸的长条状，且平行配置于saw的传播方向上。

多个反射电极指42基本上配置为使通过idt电极3激励的saw反射的间距。反射电极指42的间距是多个反射电极指42的中心间的间隔(反复间隔)，在将idt电极3的间距pt1设定为saw的波长λ的半波长的情况下，只要设定为与间距pt1相同的程度即可。

再有，多个反射电极指42形成为以大体恒定的宽度直线状地延伸的长条状。反射电极指42的宽度例如能够设定为与电极指32的宽度w1大体同等。反射器4例如通过与idt电极3相同的材料形成，并且形成为与idt电极3同等的厚度。

如图2所示那样，保护层5被设置于压电基板2上，以使得覆盖idt电极3以及反射器4上。具体而言，保护层5覆盖idt电极3以及反射器4的表面，并且覆盖压电基板2的上表面2a之中从idt电极3以及反射器4露出的部分。保护层5的厚度例如为1nm以上且50nm以下。作为上述那样的保护层5，能够使用siox膜、sinx膜。

(端部区域a1、a2的结构)

在此，详述端部区域a1、a2的idt电极3的电极指32与虚设电极33的形状。

图3中表示idt电极3的主要部位放大俯视图。再有，图4中表示主要部位放大立体图。图4中，仅表示一方的汇流条31，而省略另一方的汇流条31的记载。

idt电极3在端部区域a1、a2，具备与中央区域ac相比，电极指延伸的方向(y方向)上的每单位长度的体积不同的增加部sh。本例中，增加部sh是通过将厚度增厚来实现的。图3中，与中央部35相比对膜厚大的部分赋予斜线，以使得容易掌握膜厚不同的部分。如图3所示那样，端部区域a1、a2的idt电极3的一部分厚度，与中央区域ac的电极指32的厚度相比，有所增厚。

更具体而言，端部区域a1、a2中，沿着saw的传播方向，在与电极指32的前端部34(位于第二端部区域a2的第一前端部34a、位于第一端部区域a1的第二前端部34b)以及间隙gp部分重叠的区域内，配置有第一电极指32a与第二电极指32b中厚度交替地较厚的部分即增加部sh、和通常厚度的部分sn。特别是，在端部区域a1、a2中，在沿着saw的传播方向而与电极指32的前端部34重叠的区域(以后，称为前端区域ae)内，增加部sh和通常厚度的部分sn交替地位于第一电极指32a与第二电极指32b。将该结构作为结构1。前端区域ae有位于端部区域a1的第二前端区域ae2、和位于端部区域a2的第一前端区域ae1。本例中，将虚设电极33、电极指32的前端部34与汇流条31设为增加部sh，将其余部分设为部分sn。

进而，本例中，在端部区域a1、a2中，在沿着saw的传播方向延伸并与间隙gp以及虚设电极33重叠的区域内，至少在虚设电极33与电极指32的一方的一部分具备增加部sh。将结构作为结构2。saw元件1中，将虚设电极33设为增加部sh，将电极指32之中沿着saw的传播方向而与虚设电极33重叠的部分作为部分sn。

通过采取上述那样的结构，从而saw元件1能够抑制损耗的产生。

接下来，检查证实本结构带来的效果。图5中表示通过fem法(有限要素法)对实施例1、比较例1、2的频率特性进行模拟后的结果。实施例1是将具备图3、4所示的idt电极3的saw元件1进行了模型化而得到的例子。比较例1将具备膜厚在端部区域a1、a2与中央区域ac都是一样的idt电极的saw元件进行了模型化。即，比较例1既不具备结构1也不具备结构2。

比较例2将具备处于端部区域a1、a2的位置的电极指32、虚设电极33全部作为增加部sh的idt电极的saw元件进行了模型化。即，比较例2(虽然具备结构2)但不具备结构1。

图5中与模拟结果配合也记载有表示各模型的结构的图。

比较例的模型的saw元件的基本结构如下所述。

压电基板材料：42°y切割x传播litao3

压电基板厚度：∞(通常假定lt基板)

电极指材料：al

电极指厚度：121nm(部分sn的厚度)

电极指根数：无限根数(周期边界条件)

电极指间距：0.77μm

电极指宽度：0.385μm

交叉宽度：30.8μm

间隙长：0.3μm

虚设电极长：3.08μm

另外，上述的基本结构中，与普通的saw元件相比，将间隙长增长若干。相对于此，在实施例1中，设为图3所示的结构，将增加部sh的厚度相对于部分sn的厚度而增厚15％，将电极指32之中前端部34所占的宽度(y方向上的长度)设为3.25％(1μm)，然后进行了模拟。比较例2的增加部sh的厚度也设为同样。将该模拟的结果示于图5。

以后，在附图中，有时将比较例1、比较例2…设为ref1、ref2、…，将实施例1、实施例2···设为ex1、ex2···。

图5中，横轴表示归一化频率(无维度量)，纵轴的左轴表示阻抗的实数部(单位：ohm)，右轴表示阻抗的相位(deg)。再有，在图5中，以虚线表示表征阻抗的实数部相对于频率的特性的线，以实线来表示表征相位相对于频率的特性的线。

阻抗的实数部越增大，则损耗越大，阻抗的相位越从+90°、-90°偏离，则表示损耗越增大。在此，归一化频率指的是：将电极指的间距乘以频率，然后用适当的速度(在此为ssbw：surfaceskimmingbulkwave的声速)相除所得的结果。

能够确认出：比较例1在谐振频率的高频侧产生损耗。这在所应用的频率例如为2.3ghz这样的高频的情况下不能使间隙长足够长时特别显著，但是在归一化频率下也能够确认倾向，因此可推测为未被限定于高频带就能产生的现象。

虽然可确认比较例2在谐振频率的高频侧比较抑制损耗，但可确认在谐振频率的低频侧，损耗增大。

相对于此，在实施例1的saw元件1的情况下，确认出能够抑制比较例1中已确认过的谐振频率的高频侧的损耗的产生。进而，确认出实施例1的saw元件1抑制比谐振频率更靠低频侧的损耗的产生。

即，确认了：实施例1的saw元件1通过具备结构1以及结构2，从而能够抑制谐振频率附近的损耗。

关于该机理，基于对体波向压电基板2的厚度方向的泄漏分布(振动分布)进行了模拟的结果而进行考察。

对idt电极正下的振动分布进行了模拟的结果，确认了：在比谐振频率更高频率的频带中，从saw的传播方向观察时，通过在与前端部34重叠的区域设置增加部sh，从而可抑制体波的泄漏。

另一方面，可知即便是相同的结构，在比谐振频率更靠低频的频带中，通过增加部sh，从前端部34朝着压电基板2的下表面2b侧向斜下方泄漏的体波也会有所增加。即，可知在比谐振频率更靠低频的频带中，通过增加部sh，从前端部34超过间隙gp并朝着虚设电极33侧方向泄漏的体波有所增加。因而，确认了：在沿着saw的传播方向观察时，在与成为泄漏的起点的前端部34重叠的区域中，并不是将全部都设为增加部sh，若将增加部sh交替地设置于电极指32，则可减少比谐振频率靠低频侧的体波的泄漏。即，确认了通过具备结构1，从而在谐振频率的高频侧以及低频侧这两侧中都可抑制损耗。

在此，在电极指32中，中央部35是决定所激发的saw的特性的部分，其占据电极指32的大部分。因此，电极指32的前端部34与中央部35相比在y方向上延伸的长度较短，例如设为5％以下。进而，增加部sh的厚度只要与部分sn的厚度相比更厚即可，但具体而言只要在与部分sn的厚度相比为1.05倍～1.5倍的范围内进行设定即可。若成为比1.05倍小的厚度，则在谐振频率的高频侧损耗增大。另一方面，若设为超过1.6倍的厚度，则存在在比谐振频率更靠低频的一侧损耗增大的倾向。另外，确认了将增加部sh的厚度设为部分sn的厚度的1.45倍(增加45％)时，无论是谐振频率的高频侧还是低频侧都能抑制损耗。综上，也可以将增加部sh的厚度相对于部分sn的厚度而设为1.05～1.5倍。更优选的是也可以设为1.1～1.5倍。

上述那样的增加部sh既可以简单构成为将导体层15的厚度增厚，也可以通过层叠构造来构成。

<前端区域ae的增加部sh带来的效果检查证实>

接下来，针对上述的抑制谐振频率附近的损耗的结构进行检查证实。首先，为了检查证实在前端区域ae中设置增加部sh的效果，针对图6所示的4个模型进行了模拟。即，制作比较例1、比较例3、实施例2和实施例3的模型并进行了模拟。比较例3对仅将与间隙重叠的部分的膜厚增厚而得的saw元件进行了模型化。实施例2是对前端部34设为通常的厚度且将到与间隙及前端部34重叠的部分为止的膜厚增厚所得的saw元件进行了模型化。作为实施例3，对仅将前端部34的膜厚增厚所得的saw元件进行了模型化。另外，在图6中，与图3同样地对厚度较厚的部分赋予斜线。

将其结果示于图7。图7中，横轴表示归一化频率，纵轴表示阻抗的实数部和相位。如根据图7也能明确的那样，在前端区域ae不具有膜厚较厚的部分(增加部sh)的比较例1、比较例3在谐振频率的高频侧会有损耗产生。相对于此，从saw的传播方向观察时，可确认出：无论是到与前端部34重叠的部分为止将电极厚度增厚所得的实施例2，还是仅将前端部34的电极厚度增厚所得的实施例3，在谐振频率的高频侧都能抑制损耗。特别是，实施例2与比较例3的结构的差异，仅在于从saw的传播方向观察时的将与前端部34重叠的部分的膜厚增厚这一点。即便是根据该情况，也能确认在前端区域ae中设置增加部sh是重要的。

再有，在实施例2、3中在谐振频率的高频侧均能抑制损耗，因此确认了增加部sh设置于前端部34并不是必须的，在saw的传播方向上，通过在与前端部34重叠的部分进行设置，从而起到效果。还有，若将实施例2、3相比，则可确认实施例2的比谐振频率更靠低频一侧的损耗的抑制效果更高。因而，确认了在前端区域ae中，也可以在其中某一方的电极指中设置增加部sh，并且在与间隙重叠的区域中也设置增加部sh。

<结构2带来的效果检查证实>

接下来，针对结构2，为了检查证实效果而进行了模拟。具体而言，针对实施例1、实施例3和实施例4的saw元件制作模型并进行了模拟。实施例4将虚设电极33、前端部34、以及电极指32之中从saw的传播方向观察时与间隙gp重叠的部分的厚度增厚。即，实施例1与实施例4具备结构2，实施例3不具备结构2。进一步换言之，实施例4是在实施例1的结构中，在与比较例3中成为增加部sh的部位对应的部位也追加设为增加部sh的结构。

将其结果示于图8。图8中，横轴表示归一化频率，纵轴表示阻抗的实数部和相位。如根据图8能够明确的那样，可知与不具备结构2的实施例3相比，具备结构2的实施例1、4除了前端部34之外还将虚设电极33的厚度增厚，由此能够进一步抑制谐振频率的高频侧的损耗，并且也可减少谐振频率的低频侧的损耗。再有，若将实施例1与实施例4进行比较，则确认了通过沿着saw的传播方向而将与间隙gp重叠的部分的厚度增厚，从而能够进一步抑制谐振频率的低频侧的损耗。

由此可知，为了抑制谐振频率的低频侧的损耗，只要在端部区域中在虚设电极33以及电极指32的至少一方具备增加部sh即可。

<结构1带来的效果检查证实>

接下来，为了检查证实结构1带来的效果而进行了模拟。具体而言，针对比较例1、比较例2、实施例1、实施例5、6的saw元件来制作模型并进行了模拟。将这些saw元件的结构示于图9。图9中，与图3同样地对电极厚度较厚的部分赋予斜线。如图9所示那样，实施例5将电极指32的根部(汇流条侧)的厚度在端部区域中增厚，并且将虚设电极33的厚度增厚。换言之，在端部区域之中仅将前端部34的厚度设为与中央部35相同，将除此以外的部分都设为增加部sh。即，实施例5相对于比较例2，使前端部34的厚度与中央部35的厚度相同，由此来实现结构1。再有，实施例6将电极指的汇流条侧的根部的厚度在端部区域增厚，虚设电极33的厚度设为与中央部分35相同的厚度。

确认了在任意实施例中都能抑制谐振频率附近的损耗。由此可确认，在前端区域ae中设为增加部sh的场所并未被限定于隔着间隙gp而对置的前端部34与虚设电极33。

接下来，若对实施例5与比较例2进行比较，则可确认通过实现结构1，从而可抑制比谐振频率更靠低频的一侧的损耗。由此，可确认结构1的重要性。进而，若对实施例1与实施例6进行比较，则在实施例6中，能够更加抑制比谐振频率更靠低频一侧的损耗。由此确认了，通过采取在saw的传播方向上在与间隙gp重叠的部分将厚度增厚的结构，从而能够进一步抑制谐振频率的低频侧的损耗。还有，由于在实施例5、6中都能抑制比谐振频率更靠低频一侧的损耗，故对于结构2而言，确认了在从saw的传播方向观察时，在与虚设电极35重叠的区域中，即便在虚设电极33与电极指32不使设置增加部sh的部位交替也能抑制损耗。即，可知在该区域中，即便将虚设电极33与电极指32的双方都设置增加部sh，也能抑制比谐振频率更靠低频一侧的损耗。

<增加部sh的变形例>

另外，在上述的例子中，增加部sh是通过将厚度增厚来实现的，但既可以通过将宽度扩宽来实现，也可以将这些组合来实现。

作为实施例7，针对将实施例6中厚度已增厚的部分的厚度设为与中央部分相同并且将电极指宽度扩宽了20％的模型，作为实施例8，针对扩宽了50％的模型，分别进行了模拟。将其结果示于图11。与将厚度增厚的情况相比，效果小，但确认了通过进行扩宽，从而能减少谐振频率附近的损耗。再有，确认了若将扩宽的宽度增大，则比谐振频率更靠高频一侧的损耗抑制效果减少。

<其他变形例>

在上述的例子中，针对在端部区域a1、a2双方设置了增加部sh的情况进行了说明，但也可以仅在其中一方进行设置。

再有，在上述的例子中，针对压电基板足够厚的情况进行了说明，但也可以在其下表面粘贴支承基板。

图12表示saw元件1的变形例的剖视图。图12中，在压电基板2的下表面2b粘贴有支承基板7。即，在本例中利用压电基板2与支承基板7的粘贴基板来构成元件基板。

在上述那样的情况下，也可以将压电基板2的厚度例如设为0.2μm～30μm。

支承基板7例如通过热膨胀系数比压电基板2的材料小的材料来形成。由此，能够补偿saw元件1的电特性的温度变化。作为上述那样的材料，能够列举例如硅等的半导体、蓝宝石等的单晶体以及氧化铝质烧结体等的陶瓷。另外，支承基板7也可以将包含相互不同的材料的多个层层叠来构成。

支承基板7的厚度，例如在支承基板7的整个平面方向上都是恒定的，其大小根据saw元件1所要求的规格等适当地设定即可。其中，使支承基板7的厚度比压电基板2的厚度厚，以使得优选地进行温度补偿，或者增强压电基板2的强度。作为一例，支承基板7的厚度为100μm以上且300μm以下。支承基板7的平面形状以及各种尺寸，例如和压电基板2同等。

压电基板2以及支承基板7，例如隔着未图示的粘接层而被相互粘贴。粘接层的材料既可以是有机材料，也可以是无机材料。作为有机材料，例如可列举热固化性树脂等的树脂。作为无机材料，例如可列举sio2。再有，压电基板2以及支承基板7也可以通过所谓的直接接合而被粘贴，即在利用等离子体等将粘接面活性化处理后无粘接层地被粘贴。进而，也可以在压电基板2与支承基板7之间依次层叠声速快的层和声速慢的层，以作为声响反射膜。

如上述那样的，在使用了元件基板的saw元件中，通过增加部sh，除了能够抑制损耗，还能够抑制谐振频率附近的寄生。

另外，在上述的例子中，针对将间隙长设为电极指间距的0.2倍的情况进行了模拟。这是因为：若间隙长成为电极指间距的大致0.2倍，则体波从前端部34向基板厚度方向的泄漏变得无法忽视，谐振频率的高频侧的损耗变得显著起来。因此，在将间隙长设为电极指间距的0.2倍以上时，特别是设置增加部sh就可以了。

<通信装置>

接下来，使用图13，对使用了上述saw元件1的通信装置100进行说明。

图13是表示本公开的通信装置100的主要部位的框图。通信装置100进行利用了电波的无线通信。

通信装置100具备第一端子110、第二端子120、第三端子130。这些端子被连接成：在第一端子110与第二端子120可对高频信号进行输入输出，在第一端子110与第三端子130可对高频信号进行输入输出。

而且，第一滤波器150位于第一端子110与第二端子120之间，第二滤波器160位于第一端子110与第三端子130之间。另外，第一滤波器150以及第二滤波器160的至少一方是使用了saw元件的弹性波滤波器。作为弹性波滤波器，可例示梯子型滤波器、多模型滤波器等。而且，第一滤波器150具有第一通带，第二滤波器160具有与第一通带不同的第二通带。

例如，在将未图示的天线连接于第一端子110，向第二端子120输入发送信号，并从第三端子130输出接收信号的情况下，第一滤波器150作为发送滤波器发挥功能，第二滤波器160作为接收滤波器发挥功能，通信装置100作为分波器发挥功能。

构成上述那样的第一滤波器150或第二滤波器160的弹性波滤波器使用的是上述的saw元件1。通过采取上述那样的结构，从而能够提供损耗少的通信装置。

另外，既可以将saw元件1使用于第一滤波器150、第二滤波器160双方，也可以仅对第一通带与第二通带之中较高频带的滤波器使用saw元件1。再者，在一个滤波器内存在多个saw元件的情况下，既可以对全部的saw元件都使用saw元件1，也可以应用于一部分saw元件。

本发明并未被限定于以上的实施方式，可以通过各种各样的方式来实施，上述的实施方式还可以适当地组合。

-符号说明-

1···弹性波装置

2···压电基板

3···idt电极

30··梳齿电极

31··汇流条

32··电极指

33··虚设电极

34··前端部

7···支承基板

第一端部区域··a1

第二端部区域··a2

中央区域····ac

前端区域····ae

增加部·····sh。