本发明涉及电路技术领域，更具体地，涉及一种易熔金属重构电路装置。
背景技术：
通常的电路板上，一些通用元件、模块如mmc功率单元、igbt功率单元、电容器等昂贵的、体积大的、散热大的、散热复杂的元件已固定接入某一电路中，设备中这类电路不一定工作在最佳效率状态附近、甚至不工作，考虑到设备成本、体积、散热、效率等因素，应该尽量让这些通用元件共享，灵活实现元件投退、元件在电路中的迁移，进而调整元件在电路中的位置，实现元件的柔性互联、功率动态流动及共享，可以达到降低设备的硬件成本、体积、散热需求，提高设备运行效率、经济性及市场竞争力的目的。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种易熔金属重构电路装置。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种易熔金属重构电路装置，包括阴模与阳模，所述阴模倒扣于所述阳模中，所述阴模的横向与纵向分别设置有若干可活动调节的活动块，所述活动块上设置有调节活动块的调节装置，所述活动块与阳模底部抵接时形成封闭块，所述活动块与阳模底部不接触时形成电路块，所述阳模中还设置有易熔金属。通过在阳模上设置易熔金属，阴模上设置的活动块，当活动块抵接阳模底部时形成封闭块，当活动块与阳模底部不接触时形成电路块，将易熔金属熔化，易熔金属在封闭块与电路块的共同作用下形成电路板，实现了电路重构，避免了资源浪费，提高了市场竞争力。
优选地，所述调节装置包括若干微型气缸、安装架以及设置在活动块一端的连杆，所述的微型气缸与所述的连杆相连，所述安装架包括安装底架以及若干支架，所述安装底架设置在阴模上，所述支架横跨在安装架上，所述微型气缸安装在支架上。调节装置包括微型气缸以及连杆，连杆连接在活动块的一端，这样设置有利于在微型气缸的作用下，带动连杆一起运动，从而实现对活动块高度的调节，从而使活动块按照电路设计要求，使活动块形成封闭块或者是电路块，安装架与阴模相连是为了方便安装固着微型气缸。
优选地，所述微型气缸还连接有用于控制微型气缸活动的控制装置。控制装置的设置是为了在控制装置的作用下，根据电路设计要求，实现各个微型气缸的运动，使单个的活动块在控制装置指令的作用下，形成封闭块或者是电路块，最终实现电路的重构。
优选地，所述阳模为第一矩形框结构，所述第一矩形框结构包括第一边框结构以及由第一边框结构围成的第一空腔结构。第一空腔结构的设置是为了便于放置易熔金属，第一边框结构的设置便于与阴模密闭。
优选地，所述阴模为第二矩形框结构，所述第二矩形框结构包括第二边框结构以及由第二边框结构围成的第二空腔结构。第二边框结构的设置便于与第一边框结构相抵接而形成封闭的盒体，第二空腔结构的设置便于在其中均匀设置若干活动块。
优选地，所述易熔金属设置在所述第一空腔结构中。
优选地，所述活动块设置在所述第二空腔结构中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构大小尺度相匹配。第二空腔结构与第一空腔结构大小尺度相匹配，有利于将设置在第二空腔结构中的活动块置于第一空腔结构中，形成密闭盒体。
优选地，所述封闭块的长度与所述阳模的深度尺寸一致，所述封闭块与所述第一空腔结构的底部抵接时，所述第一边框结构与所述第二边框结构相抵接。封闭块的长度与阳模的深度一致，在封闭块与电路块压入阳模的第一空腔结构中，在封闭块与电路块的作用下，易熔金属形成电路板。
优选地，所述电路块与封闭块无缝滑动连接。电路块与封闭块之间无缝滑动连接可以防止易熔金属液进入到电路块与封闭块之间，提高了重构电路的良品率。
优选地，所述第一边框结构上设置有溢流口。第一边框结构上设置的溢流口有利于在电路重构过程中，将多余的易熔金属从溢流口溢出。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明为一种易熔金属重构电路装置，通过在阳模中放置易熔金属，阴模中设置活动块，在调节装置的作用下，活动块抵接阳模的底部时形成封闭块，活动块与阳模底部不抵接时形成电路块，易熔金属熔化成易熔金属液后，易熔金属液在电路块以及封闭块的作用下重构电路，有利于利用已有资源重构电路，节省了资源，实现了元器件的重复利用，减少了设计成本，制造成本，提高了产品市场竞争力。
附图说明
图1为本发明一种易熔金属重构电路装置中阴模的结构示意图；
图2为本发明一种易熔金属重构电路装置中阳模的结构示意图；
图3为本发明一种易熔金属重构电路装置中阴模上调节装置的结构示意图；
在图3中，只是表示其中一个活动块的调节装置的结构示意图，其它活动块上的调节装置未示出；同时也只是表示了其中一根支架，其余的支架未示出。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
实施例
图1至图3为本发明一种易熔金属重构电路装置的第一实施例，一种易熔金属重构电路装置，包括阴模1与阳模2，阴模1倒扣于阳模2中，阴模1的横向与纵向分别设置有若干可活动调节的活动块3，活动块3上设置有调节活动块3的调节装置，活动块3与阳模2底部抵接时形成封闭块4，活动块3与阳模2底部不接触时形成电路块5，阳模2中还设置有易熔金属6，易熔金属6为一种低熔点金属，阳模2以及活动块3在易熔金属6从液态转变为固态的过程中，阳模2与活动块3均与易熔金属6之间没有粘性，便于在易熔金属6重构电路后，阳模2以及活动块3与易熔金属6之间的分离。
其中，调节装置包括若干微型气缸7、安装架8以及设置在活动块3一端的连杆9，微型气缸7与连杆9相连，安装架8包括安装底架10以及若干支架11，安装底架10设置在阴模上1，支架11横跨在安装底架10上，微型气缸7安装在支架11上。
另外，微型气缸7还连接有用于控制微型气缸7活动的控制装置。
其中，阳模2为第一矩形框结构，第一矩形框结构包括第一边框结构12以及由第一边框结构12围成的第一空腔结构13。
另外，阴模1为第二矩形框结构，第二矩形框结构包括第二边框结构14以及由第二边框结构14围成的第二空腔结构。
其中，易熔金属6设置在第一空腔结构13中。
另外，活动块3设置在第二空腔结构中，第二空腔结构与第一空腔结构13大小尺度相匹配。
其中，封闭块4的长度与所述阳模2的深度尺寸一致，封闭块4与第一空腔结构13的底部抵接时，第一边框结构12与第二边框结构14相抵接。
另外，电路块5与封闭块4无缝滑动连接。
其中，第一边框结构12上设置有溢流口15。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。