技术特征：
技术总结
本发明公开了栅压自举开关，涉及模拟电路技术领域，包括第一电容和多个MOS管，MOS管包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、自举开关和衬底开关，衬底开关与自举开关连接。本发明通过在自举开关上接入衬底开关，即第七NMOS管和第八NMOS管，使得在采样时，自举开关的栅极电位与衬底电位保持一致，所以就能减小MOS管二级效应中体效应，降低了谐波失真，同时保证了采样开关SW的线性度，提高了采样开关电路的精度，大大减小了开关线性对ADC精度的影响。
技术研发人员：宋树祥;庞中秋;张泽伟;岑明灿
受保护的技术使用者：广西师范大学
技术研发日：2018.09.07
技术公布日：2018.11.09