一种振荡电路的制作方法

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到振荡电路。

背景技术：

振荡电路的振荡频率是由电容充电和放电的时间决定的，而充电和放电时间是由电容的充电电流和放电电流的大小决定的，为了电流不受电源电压的影响，通过设置电流反馈达到平衡。

技术实现要素：

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡电路。

一种振荡电路，包括第一电阻、第二电阻、第一pnp管、第一npn管、第一pmos管、第一nmos管、第二npn管、第二nmos管、第二pmos管、第三nmos管、第三npn管、第四nmos管、第三pmos管、第五nmos管、第四npn管、第六nmos管、第四pmos管和第七nmos管：

所述第一电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一pnp管的发射极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一pnp管的发射极，另一端接所述第一pnp管的基极和所述第一npn管的基极和集电极和所述第二npn管的基极和所述第三npn管的基极和所述第四npn管的基极；所述第一pnp管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一npn管的基极和集电极和所述第二npn管的基极和所述第三npn管的基极和所述第四npn管的基极，集电极接地，发射极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端；所述第一npn管的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第一pnp管的基极和所述第二npn管的基极和所述第三npn管的基极和所述第四npn管的基极，发射极接地；所述第一pmos管的栅极接所述第一nmos管的栅极和所述第三pmos管的漏极和所述第五nmos管的漏极和所述第六nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，漏极接所述第一nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极和所述第二pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第一nmos管的栅极接所述第一pmos管的栅极和所述第三pmos管的漏极和所述第五nmos管的漏极和所述第六nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，漏极接所述第一pmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极和所述第二pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极，源极接所述第二npn管的集电极；所述第二npn管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一pnp管的基极和所述第一npn管的基极和集电极和所述第三npn管的基极和所述第四npn管的基极，集电极接所述第一nmos管的源极，发射极接地；所述第二nmos管的栅极接所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极和所述第二pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第二pmos管的栅极接所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极，漏极接所述第三nmos管的漏极和所述第四nmos管的栅极和所述第三pmos管的栅极和所述第五nmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第三nmos管的栅极接所述第二pmos管的栅极和所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极，漏极接所述第二nmos管的漏极和所述第四nmos管的栅极和所述第三pmos管的栅极和所述第五nmos管的栅极，源极接所述第三npn管的集电极；所述第三npn管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一pnp管的基极和所述第一npn管的基极和集电极和所述第二npn管的基极和所述第四npn管的基极，集电极接所述第三nmos管的源极，发射极接地；所述第四nmos管的栅极接所述第二pmos管的漏极和所述第三nmos管的漏极和所述第三pmos管的栅极和所述第五nmos管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第三pmos管的栅极接所述第四nmos管的栅极和所述第二pmos管的漏极和所述第三nmos管的漏极和所述第五nmos管的栅极，漏极接所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极和所述第五nmos管的漏极和所述第六nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第五nmos管的栅极接所述第三pmos管的栅极和所述第四nmos管的栅极和所述第二pmos管的漏极和所述第三nmos管的漏极，漏极接所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极和所述第三pmos管的漏极和所述第六nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，源极接所述第四npn管的集电极；所述第四npn管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一pnp管的基极和所述第一npn管的基极和集电极和所述第二npn管的基极和所述第三npn管的基极，集电极接所述第五nmos管的源极，发射极接地；所述第六nmos管的栅极接所述第三pmos管的漏极和所述第五nmos管的漏极和所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第四pmos管的栅极接所述第六nmos管的栅极和所述第五nmos管的漏极和所述第三pmos管的漏极和所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极，漏极作为振荡器的输出端oscout，源极接电源电压vcc；所述第七nmos管的栅极接所述第六nmos管的栅极和所述第五nmos管的漏极和所述第三pmos管的漏极和所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极，漏极作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一pnp管和所述第一npn管构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一npn管镜像给所述第二npn管、所述第三npn管和所述第四npn管；所述第二nmos管、所述第四nmos管和所述第六nmos管这三个nmos管接成nmos管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第二nmos管形成的电容充电电流由所述第一pmos管导通时漏极流出的电流决定，对所述第二nmos管形成的电容放电电流由所述第二npn管发射极流出的电流决定；对所述第四nmos管形成的电容充电电流由所述第二pmos管导通时漏极流出的电流决定，对所述第四nmos管形成的电容放电电流由所述第三npn管发射极流出的电流决定；对所述第六nmos管形成的电容充电电流由所述第三pmos管导通时漏极流出的电流决定，对所述第六nmos管形成的电容放电电流由所述第四npn管发射极流出的电流决定；当电源电压升高时，所述第一pnp管的发射极电流增加，这样就有增加的电流使得所述第一电阻上的电压降增加，增加的电流会通过所述第一pnp管的发射极流到地，流过所述第二电阻上的电流不会增加，这样就使得流过所述第一npn管发射极电流不会增加。

附图说明

图1为本发明的振荡电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

一种振荡电路，如图1所示，包括第一电阻101、第二电阻102、第一pnp管103、第一npn管104、第一pmos管201、第一nmos管202、第二npn管203、第二nmos管204、第二pmos管205、第三nmos管206、第三npn管207、第四nmos管208、第三pmos管209、第五nmos管210、第四npn管211、第六nmos管212、第四pmos管301和第七nmos管302：

所述第一电阻101的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一pnp管103的发射极和所述第二电阻102的一端；所述第二电阻102的一端接所述第一电阻101的一端和所述第一pnp管103的发射极，另一端接所述第一pnp管103的基极和所述第一npn管104的基极和集电极和所述第二npn管203的基极和所述第三npn管207的基极和所述第四npn管211的基极；所述第一pnp管103的基极接所述第二电阻102的一端和所述第一npn管104的基极和集电极和所述第二npn管203的基极和所述第三npn管207的基极和所述第四npn管211的基极，集电极接地，发射极接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端；所述第一npn管104的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻102的一端和所述第一pnp管103的基极和所述第二npn管203的基极和所述第三npn管207的基极和所述第四npn管211的基极，发射极接地；所述第一pmos管201的栅极接所述第一nmos管202的栅极和所述第三pmos管209的漏极和所述第五nmos管210的漏极和所述第六nmos管212的栅极和所述第四pmos管301的栅极和所述第七nmos管302的栅极，漏极接所述第一nmos管202的漏极和所述第二nmos管204的栅极和所述第二pmos管205的栅极和所述第三nmos管206的栅极，源极接电源电压vcc；所述第一nmos管202的栅极接所述第一pmos管201的栅极和所述第三pmos管209的漏极和所述第五nmos管210的漏极和所述第六nmos管212的栅极和所述第四pmos管301的栅极和所述第七nmos管302的栅极，漏极接所述第一pmos管201的漏极和所述第二nmos管204的栅极和所述第二pmos管205的栅极和所述第三nmos管206的栅极，源极接所述第二npn管203的集电极；所述第二npn管203的基极接所述第二电阻102的一端和所述第一pnp管103的基极和所述第一npn管104的基极和集电极和所述第三npn管207的基极和所述第四npn管211的基极，集电极接所述第一nmos管202的源极，发射极接地；所述第二nmos管204的栅极接所述第一pmos管201的漏极和所述第一nmos管202的漏极和所述第二pmos管205的栅极和所述第三nmos管206的栅极，漏极接地，源极接地；所述第二pmos管205的栅极接所述第一pmos管201的漏极和所述第一nmos管202的漏极和所述第二nmos管204的栅极和所述第三nmos管206的栅极，漏极接所述第三nmos管206的漏极和所述第四nmos管208的栅极和所述第三pmos管209的栅极和所述第五nmos管210的栅极，源极接电源电压vcc；所述第三nmos管206的栅极接所述第二pmos管205的栅极和所述第一pmos管201的漏极和所述第一nmos管202的漏极和所述第二nmos管204的栅极，漏极接所述第二nmos管205的漏极和所述第四nmos管208的栅极和所述第三pmos管209的栅极和所述第五nmos管210的栅极，源极接所述第三npn管207的集电极；所述第三npn管207的基极接所述第二电阻102的一端和所述第一pnp管103的基极和所述第一npn管104的基极和集电极和所述第二npn管203的基极和所述第四npn管211的基极，集电极接所述第三nmos管206的源极，发射极接地；所述第四nmos管208的栅极接所述第二pmos管205的漏极和所述第三nmos管206的漏极和所述第三pmos管209的栅极和所述第五nmos管210的栅极，漏极接地，源极接地；所述第三pmos管209的栅极接所述第四nmos管208的栅极和所述第二pmos管205的漏极和所述第三nmos管206的漏极和所述第五nmos管210的栅极，漏极接所述第一pmos管201的栅极和所述第一nmos管202的栅极和所述第五nmos管210的漏极和所述第六nmos管212的栅极和所述第四pmos管301的栅极和所述第七nmos管302的栅极，源极接电源电压vcc；所述第五nmos管210的栅极接所述第三pmos管209的栅极和所述第四nmos管208的栅极和所述第二pmos管205的漏极和所述第三nmos管206的漏极，漏极接所述第一pmos管201的栅极和所述第一nmos管202的栅极和所述第三pmos管209的漏极和所述第六nmos管212的栅极和所述第四pmos管301的栅极和所述第七nmos管302的栅极，源极接所述第四npn管211的集电极；所述第四npn管211的基极接所述第二电阻102的一端和所述第一pnp管103的基极和所述第一npn管104的基极和集电极和所述第二npn管203的基极和所述第三npn管207的基极，集电极接所述第五nmos管210的源极，发射极接地；所述第六nmos管212的栅极接所述第三pmos管209的漏极和所述第五nmos管210的漏极和所述第一pmos管201的栅极和所述第一nmos管202的栅极和所述第四pmos管301的栅极和所述第七nmos管302的栅极，漏极接地，源极接地；所述第四pmos管301的栅极接所述第六nmos管212的栅极和所述第五nmos管210的漏极和所述第三pmos管209的漏极和所述第一pmos管201的栅极和所述第一nmos管202的栅极和所述第七nmos管302的栅极，漏极作为振荡器的输出端oscout，源极接电源电压vcc；所述第七nmos管302的栅极接所述第六nmos管212的栅极和所述第五nmos管210的漏极和所述第三pmos管209的漏极和所述第一pmos管201的栅极和所述第一nmos管202的栅极和所述第四pmos管301的栅极，漏极作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

所述第一电阻101、所述第二电阻102、所述第一pnp管103和所述第一npn管104构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一npn管104镜像给所述第二npn管203、所述第三npn管207和所述第四npn管211；所述第二nmos管204、所述第四nmos管208和所述第六nmos管212这三个nmos管接成nmos管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第二nmos管204形成的电容充电电流由所述第一pmos管201导通时漏极流出的电流决定，对所述第二nmos管204形成的电容放电电流由所述第二npn管203发射极流出的电流决定；对所述第四nmos管208形成的电容充电电流由所述第二pmos管205导通时漏极流出的电流决定，对所述第四nmos管208形成的电容放电电流由所述第三npn管207发射极流出的电流决定；对所述第六nmos管212形成的电容充电电流由所述第三pmos管209导通时漏极流出的电流决定，对所述第六nmos管212形成的电容放电电流由所述第四npn管211发射极流出的电流决定；当电源电压升高时，所述第一pnp管103的发射极电流增加，这样就有增加的电流使得所述第一电阻101上的电压降增加，增加的电流会通过所述第一pnp管103的发射极流到地，流过所述第二电阻102上的电流不会增加，这样就使得流过所述第一npn管104发射极电流不会增加。