本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为18-32GHz宽带低噪声放大器。
背景技术：
传统的低噪声毫米波放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供18-32GHz宽带低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述18-32GHz宽带低噪声放大器具有本器件具有低电流、低噪声的优点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
18-32GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过级间匹配电路连接第二级三极管栅极，第一级、第二级三极管源极均接去耦电容，在去耦电容上均接直流反馈电阻，第二级三极管栅极连接的级间匹配电路通过大电阻接偏置电压。
优选的，级间匹配电路包括电容以及串接的电感。
优选的，第一级、第二级三极管栅宽相同为100um。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
采用增强型工艺设计，通过在源级加入反馈电阻稳定工作电流。电路包含两级放大器；合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路。本器件具有低电流、低噪声的优点。器件采用单电源供电。
本放大器电路与传统的低噪声放大器相比，明显降低了噪声系数。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；
图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；
图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；
图6为本实用新型电路的输出1dB压缩点测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供技术方案：
18-32GHz宽带低噪声放大器，采用两级放大器，每级放大器均包含一个三极管，为方便叙述，第一级三极管为Q1、第二级三极管Q2，每级放大器三极管的源级都加入了直流反馈电阻，如R5、R6所示，当工艺出现波动，三极管的电流发生变化时，会在反馈电阻上产生一个反馈电压，从而抵消电流的变化。射频信号经输入匹配电路RFin输入、Q1放大、级间匹配电路即电容C7以及其串接的电感L4、Q2放大、输出匹配电路后RFout输出。
Q1漏级通过电容C7以及其串接的电感L4连接Q2栅极，Q1、Q2源极对应接去耦电容C3、C4，在C3均接直流反馈电阻R5，在C4均接直流反馈电阻R6，Q2栅极连接的电感L4输入端连接电阻R3、R4接偏置电压，电阻R3接地。
以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：
1、放大器的输入匹配主要对噪声匹配，兼顾驻波。
2、C1-C6为隔直、去耦电容，L1-L3为扼流电感，通过平面螺旋电感实现，其他电容电感为匹配器件。R1-R7分压提供偏置电压。
3、为了获得好的电流稳定效果，R5、R6上的压降应足够大，即应比工艺漂移大数倍。
5、兼顾噪声、带宽、增益和功率等指标，选取Q1栅宽100um，Q2栅宽100um。
根据图1的电路结构，选择适当匹配后，设计的18-32G宽带低噪声放大器的实际测试结果参见图2-6。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。