本实用新型涉及低通滤波器技术领域，具体为DC-2GHz低通滤波器。
背景技术：
传统的低通滤波器电路，采用薄膜工艺制作基片，采用分立器件进行制作滤波器模块，工艺误差大，分立器件的寄生参数复杂，增加了设计及和应用的复杂性。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供DC-2GHz低通滤波器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述DC-2GHz低通滤波器具有低损耗、高带外抑制度等优点的频率选择电路特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
DC-2GHz低通滤波器，包括有9阶谐振单元，采取巴特沃斯最平坦响应和椭圆滤波器最窄过渡带相互结合，其中的5阶谐振单元为5阶的巴特沃斯滤波器，其余4阶谐振单元作为输入输出匹配。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型电路结构简单，与传统的低通滤波器相比明显降低了设计风险，具有设计成功率高，一致性好。滤波器带外抑制度高等优点。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的插损及插损平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的输入输出反射系数测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供技术方案：
DC-2GHz低通滤波器，包括有9阶谐振单元，采取巴特沃斯最平坦响应和椭圆滤波器最窄过渡带相互结合，设计所述的各阶谐振单元中，频率范围覆盖DC～2GHz，带内插入损耗小于1.9dB，带内驻波小于1.4，带外抑制度大于20dB@3.1GHz，大于40dB@5.2GHz，具有低损耗、高带外抑制度等优点的频率选择电路。
采用GaAs工艺设计的单片滤波器，器件体积小，工艺精度高，电感电容控制精确，可以精确控制滤波器波形，并且工艺一致性好，成品率高，一次性设计成功率高。
参见图1，采用巴特沃斯和椭圆滤波器相结合的结构，每一个谐振单元，进行仔细设计，L2、C1以及L5、C4进行输入输出匹配，C2、C3、L1、L3、L4为5阶的巴特沃斯滤波器，控制带内的插损及其插损波动，L2、C1以及L5、C4同时进行了带外抑制度的控制，具有过渡带陡峭，矩形系数好等优点。
加入零点以控制带外衰减，采用了椭圆滤波器的方式，但并非传统的椭圆滤波器传输函数，根据指标要求借鉴椭圆滤波器函数零点加入的方式进行的综合设计。
以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：
1、低通滤波器中间部分两组电感电容串联，L2、C1以及L5、C4对过渡带及带外抑制度的控制起到了重要作用。
2、输入输出匹配结合采用了L2、C1以及L5、C4。
3、为了获得好的带内平坦度，采取了巴特沃斯滤波器结构，5阶谐振单元控制了插入损耗以及带内的平坦度。
根据图1的电路结构，选择适当调整各个谐振单元的参数匹配后，设计的DC-2G低噪声放大器的实际测试结果参见图2、图3。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。