含有接地结构的胶粘晶体基座及其胶粘晶体谐振器的制作方法

文档序号:15661062发布日期:2018-10-13 00:46阅读:130来源:国知局

本实用新型涉及晶体谐振器技术领域,特别是涉及一种含有接地结构的胶粘晶体基座及其胶粘晶体谐振器。



背景技术:

目前市场上胶粘晶体谐振器的基座带有凹腔结构,与平板的外壳上盖配合胶粘封装石英晶体完成晶体谐振器。并且现有的常见的带凹腔结构的基座是由双层陶瓷板经过特殊工艺处理连接在一起,成本较高。为了完成接地,现有技术中的基座本体上一般在第二通孔和第四通孔之间设置环形的金属化镀层,外壳上盖一般为平板结构,通过焊接的方式在基座上连接凹腔结构,而得以与外壳上盖配合封装完成晶体谐振器,然后通过胶粘凹腔结构和外壳上盖,从而完成封装,而焊接工艺复杂,生产成本高。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种接地方式可靠的、可大大降低制作成本的含有接地结构的胶粘晶体基座及其胶粘晶体谐振器。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

本实用新型提供一种含有接地结构的胶粘晶体基座,用于与带凹腔结构的金属外壳上盖胶粘封装晶片制备晶体谐振器,包括基座本体,所述基座本体为不带凹腔结构的平板结构;

所述基座本体的背面设有四个电极,包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,所述基座本体上开通有金属化的通孔,所述金属化的通孔包括与所述第一电极、第三电极分别对应连接的第一通孔、第三通孔,所述第一通孔、第三通孔用于与晶体连接,

在所述基座本体的正面设置有金属化镀层,所述金属化镀层分别与所述第二电极和第四电极导通连接,所述金属化镀层的部分区域在所述外壳上盖的覆盖范围之外为接地区,所述接地区用于与外壳上盖导通连接。

进一步地,所述金属化镀层为环状的金属化镀层;

或者,所述金属化镀层为分别与第二电极、第四电极导通连接的两个独立的金属化镀层。

进一步地,所述金属化的通孔还包括与所述第二电极导通连接的第二通孔和/或与第四电极导通连接的第四通孔,所述第二通孔和/或第四通孔与所述金属化镀层连接。

优选地,所述金属化镀层为分别与第二电极、第四电极导通连接的两个独立的金属化镀层,所述两个独立的金属化镀层分别通过第二通孔、第四通孔与第二电极、第四电极连接。

进一步地,所述第二通孔和第四通孔对角设置,所述第二通孔和第四通孔靠近所述基座本体的外侧,所述第一通孔和第三通孔设置在靠近中心的内侧对角位置。

进一步地,所述基座本体采用陶瓷板。

进一步地,所述接地区与外壳上盖导通连接的方式为导电胶、激光焊或锡焊连接。

进一步地,所述基座本体的正面设有两个用于点胶的点胶平台,所述点胶平台包括设置在所述基座本体的正面的内侧靠左的第一点胶平台和第二点胶平台,所述第一点胶平台和第二点胶平台分别通过第一通孔和第三通孔灌注的导电材料与对角设置的所述第一电极和第三电极导通连接,所述第二点胶平台通过金属连线连接至第三通孔;

所述基座本体的正面的内侧靠右设置有用于支撑晶体的支撑平台;

所述基座本体为矩形,所述矩形的四角设置有弧形缺角,所述弧形缺角能使呈矩阵排列的四个相邻的基座的交汇点处形成圆形贯通孔。

另一方面,提供一种胶粘晶体谐振器,包括所述的含有接地结构的胶粘晶体基座,还包括石英晶片和与所述基座密封配合的金属外壳上盖,所述石英晶片位于基座与外壳上盖形成的密封空腔内;

所述外壳上盖的中间部分向上凸起形成用于与所述基座配合密封的凹腔结构,所述外壳上盖的边沿用于与所述基座胶粘,所述的金属化镀层的局部边缘部分在所述边沿覆盖范围之外为接地区,所述接地区与所述外壳上盖导通连接。

进一步地,所述石英晶体为SMD石英晶体,所述基座本体为单层的陶瓷板。

进一步地,所述接地区与外壳上盖导通连接的方式为导电胶、激光焊或锡焊连接。

由于采用上述技术方案,本实用新型至少具有以下优点:

(1)本实用新型通过在基座本体上设置的金属化镀层在与其配合的带凹腔结构的外壳上盖粘结后,仅覆盖金属化镀层部分区域,未覆盖的外周边缘作为接地区与外壳结构导通连接,可以用导电胶、金属线、焊接等,就可以形成可靠的接地方式;因接地结构的设置,凹腔结构不必设置在基座上,可以将凹腔结构设置在外壳上盖上,外壳上盖为单纯的物理结构,加工工艺更加简单,制备成本更低。

(2)本实用新型可以提高胶粘晶体的抗电磁干扰能力,使其扩大应用范围。

(3)本实用新型的基座主要适用于胶粘晶体谐振器,外壳上盖的边沿与基座之间可以胶粘粘结,而为了解决接地问题,通过调整边沿外周小于基座本体的外周,仅覆盖部分的金属化镀层的区域,未覆盖的金属化镀层的边缘区域可与外壳上盖导通连接(导电胶或金属性等),可以解决现

有技术中在基座上设置凹腔结构时需要焊接的问题,本实用新型的接地方式简单可靠,降低生产成本。

(4)本实用新型可采用单层陶瓷板,大大降低成本。

附图说明

上述仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,以下结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

图1是本实用新型的含有接地结构的胶粘晶体基座的一个实施例的背面结构示意图;

图2是本实用新型的含有接地结构的胶粘晶体基座的一个实施例的正面结构示意图;

图3是本实用新型的含有接地结构的胶粘晶体基座的的一个实施例的立体结构示意图;

图4是本实用新型的与基座配合的外壳上盖的的一个实施例的立体结构示意图;

图5是本实用新型的与基座配合的外壳上盖的的一个实施例的剖面结构示意图;

图6是本实用新型的外壳上盖与基座封装后的的一个实施例的结构示意图;

图7是本实用新型的含有接地结构的胶粘晶体基座的另一个实施例的背面结构示意图;

图8是本实用新型的外壳上盖与基座封装后的的另一个实施例的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种含有接地结构的胶粘晶体基座的一个实施例,如图1至图8所示,用于与带凹腔结构的金属外壳上盖配合封装石英晶片制备晶体谐振器,包括基座本体,基座本体为不带凹腔结构的平板结构,基座本体的背面设有四个电极,包括第一电极1、第二电极2、第三电极3和第四电极4,基座本体上开通有金属化的通孔,金属化的通孔包括与第一电极、第三电极分别对应连接的第一通孔10、第三通孔30,第一通孔10、第三通孔30用于与晶体连接;在基座本体的正面设置有金属化镀层6(或 6’),金属化镀层6(或6’)分别与第二电极2和第四电极4导通连接,金属化镀层6(或6’)的部分区域在外壳上盖的覆盖范围之外为接地区,接地区用于与外壳上盖导通连接。例如在接地区点导电胶,就可以实现接地区和外壳上盖的导通连接,用于接地。

本实用新型在使用时,在胶粘封装过程中,外壳上盖的边沿与基座之间可以胶粘粘结,而为了解决接地问题,通过调整边沿外周小于基座本体的外周,仅覆盖金属化镀层的部分区域,未覆盖的金属化镀层的边缘区域作为接地区可与外壳上盖导通连接(导电胶或金属性等)。

本实用新型通过在基座本体上设置的金属化镀层在与其配合的带凹腔结构的外壳上盖粘结后,仅覆盖金属化镀层部分区域,未覆盖的外周边缘作为接地区与外壳结构导通连接,可以用导电胶、金属线、焊接等,就可以形成可靠的接地方式;因接地结构的设置,凹腔结构不必设置在基座上,可以将凹腔结构设置在外壳上盖上,外壳上盖为单纯的物理结构,加工工艺更加简单,制备成本更低。

现有技术中的基座本体上一般在第二通孔和第四通孔之间设置环形的金属化镀层,外壳上盖一般为平板结构,而需要使用焊接的方式在基座上连接凹腔结构,而得以与外壳上盖配合封装完成晶体谐振器,然后通过胶粘凹腔结构和外壳上盖,从而完成封装,而焊接工艺复杂,生产成本高,并且现有的常见的带凹腔结构的基座是由双层陶瓷板经过特殊工艺处理连接在一起,成本较高。

进一步地,金属化镀层为环状的金属化镀层6’,如图7所示;或者,金属化镀层为分别与第二电极、第四电极导通连接的两个独立的金属化镀层6,如图2所示,优选为金属化镀层为两个独立的金属化镀层6。

为了完成接地,金属化的通孔还包括与所述第二电极2导通连接的第二通孔20和/或与第四电极4导通连接的第四通孔40,第二通孔20和/或第四通孔40与金属化镀层连接。第二电极和第四电极的至少一个接地即可,所以可以同时开设第二通孔和第四通孔,也可以只开设其中的一个。

优选地,金属化镀层为分别与第二电极2、第四电极4导通连接的两个独立的金属化镀层6,两个独立的金属化镀层分6别通过第二通孔20、第四通孔40与第二电极2、第四电极4连接。通过设置两个独立的金属化镀层可以完成两个电极(第二电极2、第四电极4)的接地。

通过基座上设置两点(独立的金属化镀层)与外壳上盖可以通过工艺更简单的胶粘,而通过导电胶或导电线完成基座本体和外壳上盖的接地结构简单实用,成本低,利于推广,在SMD晶体领域有广阔的市场前景。

独立的金属化镀层可以降低金属区域分布,而外壳上盖的边沿不完全覆盖基座本体的金属化镀层,通过导电胶或导电线与外壳上盖导通连接,从而很好的完成接地。

为了更方便的与外壳上盖配合实现接地,第二通孔20和第四通孔40 对角设置,第二通孔20和第四通孔40靠近基座本体的外侧,第一通孔10 和第三通孔30设置在靠近中心的内侧对角位置。

进一步地,基座本体采用陶瓷板,优选为单层陶瓷板。单层陶瓷板相对于多层烧结陶瓷基板,进一步降低了材料成本和加工成本。

优选地,接地区与外壳上盖导通连接的方式为导电胶、激光焊或锡焊连接,优选为导电胶连接。导电胶为带有导电成分(如金属粉)的胶液,粘结性相对较差,但用于接地区和外壳上盖的导通连接,方便快捷容易实现。

为了实现导电连通,金属化过孔为灌注导电材料的通孔。

进一步地,基座本体的正面设有两个用于点胶的点胶平台,点胶平台包括设置在基座本体的正面的内侧靠左的第一点胶平台5和第二点胶平台 7,第一点胶平台5和第二点胶平台7分别通过第一通孔10和第三通孔30 灌注的导电材料与对角设置的第一通孔10和第三通孔30导通连接,第二点胶平台7通过金属连线连接至第三通孔30。基座本体的正面的内侧靠右设置有用于支撑晶体的支撑平台9。第一点胶平台5和第二点胶平台7。

进一步地,基座本体为矩形,矩形的四角设置有弧形缺角,弧形缺角能使呈矩阵排列的四个相邻的基座的交汇点处形成圆形贯通孔。

本实用新型中的布线连接方式为,如图1、图2所示:

基座背面的第一电极1通过第一通孔10与基座正面的第一点胶平台5 连通;

基座背面的第二电极2通过第二通孔20与金属化镀层连通;

基座背面的第三电极3通过第三通孔30与第二点胶平台7连通;

基座背面的第四电极4通过第四通孔40与金属化镀层连通;

基座背面的第二电极2可以通过金属连线和第四电极4导通,从而使两个独立的金属化镀层连通,其接地区与外壳上盖通过点导电胶胶导通连接,从而实现了金属外壳上盖的接地。

另一方面,如图4-图8所示,提供一种胶粘晶体谐振器,包括上述的含有接地结构的胶粘晶体基座11,还包括石英晶片和与基座密封配合的金属外壳上盖21,石英晶片位于基座11与外壳上盖21形成的密封空腔内,外壳上盖21的中间部分向上凸起形成用于与基座11配合密封的凹腔结构,外壳上盖21的边沿用于与基座11粘结,外壳上盖边沿覆盖金属化镀层6 (或6’)的一部分,未被边沿覆盖的金属化镀层6(或6’)的外周部分与外壳上盖导通连接,从而完成接地。

本实用新型通过在基座本体上设置的金属化镀层在与其配合的带凹腔结构的外壳上盖粘结后,仅覆盖金属化镀层部分区域,未覆盖的外周边缘作为接地区与外壳结构导通连接,可以用导电胶、金属线、焊接等,就可以形成可靠的接地方式;因接地结构的设置,凹腔结构不必设置在基座上,可以将凹腔结构设置在外壳上盖上,外壳上盖为单纯的物理结构,加工工艺更加简单,制备成本更低。

进一步地,石英晶体为SMD石英晶体,基座本体为单层的陶瓷板。现有的常见的带凹腔结构的基座是由双层陶瓷板经过特殊工艺处理连接在一起,成本较高。

作为一种改进,接地区与外壳上盖21导通连接的方式为导电胶、激光焊或锡焊连接。

本实用新型晶体谐振器的点胶封装流程如下:

将外壳上盖倒置,在边沿覆上一层胶,将带有SMD晶片的基座倒置,并准确的扣于外壳上盖的凸缘上,基座上作为接地结构的金属化镀层与外壳上盖的边沿粘结,部分金属化镀层不被外壳上盖的边沿覆盖,裸露在外壳上盖的外侧,用导电胶连通外壳上盖和裸露在外侧的金属化镀层连接,胶液粘结住基座和外壳上盖,对装配好的晶体谐振器进行常温放置或加热处理,使胶固化,从而获得具有可靠接地的晶体谐振器。

因导电胶为包含金属粉的胶液,若为了完成接地,使用外壳上盖和金属化镀层粘结,则会影响粘结性能,使之粘结不牢。故本实用新型的外壳上盖和金属化镀层之间为胶粘。

本实用新型通过在基座本体上可以优先设置为两个独立的金属化镀层,可以节省很多的金属区域,降低成本,与与其配合的带凹腔结构的外壳上盖粘结后,仅覆盖部分金属化镀层区域,未覆盖的外周边缘区域与外壳结构导通连接,就可以形成可靠的接地方式;凹腔结构不必设置在基座上,可以将凹腔结构设置在外壳上盖上,外壳上盖为单纯的物理结构,加工工艺更加简单,制备成本更低。本实用新型的基座的接地区通过导电胶与外壳上盖相连有效完成接地。本实用新型可采用单层陶瓷板,大大降低成本。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰,均落在本实用新型的保护范围内。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1