一种施密特触发器的制作方法

文档序号:16159298发布日期:2018-12-05 19:17阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种施密特触发器,其特征在于,包括:

输入端;

低转换点电压电路,连接于所述输入端;

高转换点电压电路,连接于所述输入端;

转换点电压切换电路,分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路;以及

输出端,分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。

2.根据权利要求1所述的施密特触发器,其特征在于,所述高转换点电压电路包括:

第一MOS管,所述第一MOS管的G极连接于所述输入端;

第二MOS管,所述第二MOS管的G极连接于所述输入端,所述第二MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极,所述第二MOS管的D极连接于所述输出端;以及

第三MOS管,所述第三MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极及所述第二MOS管的S极之间,所述第三MOS管的G极连接于所述输出端。

3.根据权利要求2所述的施密特触发器,其特征在于,所述低转换点电压电路包括:

第四MOS管,所述第四MOS管的D极连接于所述输出端,所述第四MOS管的G极连接于所述输入端;

第五MOS管,所述第五MOS管的D级连接于所述第四MOS管的S极,所述第五MOS管的G极连接于所述输入端;以及

第六MOS管,所述第六MOS管的S极连接于所述第五MOS管的D极及所述第四MOS管的S极之间,所述第六MOS管的G极连接于所述输出端。

4.根据权利要求3所述的施密特触发器,其特征在于,所述转换点电压切换电路包括:

第七MOS管,所述第七MOS管的D极连接于所述第六MOS管的D极;

第八MOS管,所述第八MOS管的D极连接于所述第三MOS管的D极;

低转换点电压控制端,连接于所述第七MOS管的D极;以及

高转换点电压控制端,连接于所述第八MOS管的D极。

5.根据权利要求4所述的施密特触发器,其特征在于,所述第一MOS管、第MOS管、第三MOS管及第七MOS管为NMOS管,所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管及第八MOS管为PMOS管。

6.根据权利要求2所述的施密特触发器,其特征在于,所述第一MOS管的S极连接于VSS端。

7.根据权利要求3所述的施密特触发器,其特征在于,所述第五MOS管的S极连接于VDD端。

8.根据权利要求4所述的施密特触发器,其特征在于,所述第七MOS管的S极连接于VSS端,所述第八MOS管的S极连接于VDD端。

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