技术总结
本实用新型适用于半导体集成电路设计领域，提供了一种压控环形振荡器、锁相环和通信设备。压控环形振荡器包括奇数个级联的反相器延迟单元、第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和电阻分压器；第一PMOS晶体管的源极接电源电压，第一PMOS晶体管的门极接输入控制电压，第一PMOS晶体管的漏极接第一NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的源极接地，第一NMOS晶体管的门极接电阻分压器；每个反相器延迟单元均包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，第二PMOS晶体管的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极。本实用新型大大提高了压控环形振荡器的电源抑制比。
技术研发人员：郭逸夫;刘敬波;胡江鸣;刘俊秀;石岭
受保护的技术使用者：深圳开阳电子股份有限公司
技术研发日：2018.11.16
技术公布日：2019.06.14