技术特征：
技术总结
本发明公开了一种等离子体火炬点阴极结构及其制备方法，该点阴极结构包括阴极铜基体、阴极银基体，阴极铜基体内设有通孔，通孔的下部设有冷却腔，阴极银基体穿过通孔，且其底端位于所述冷却腔内，阴极银基体的顶部中心设有至少1个小孔，小孔内焊接有颗粒。其制备方法包括以下步骤：1）制作阴极铜基体和阴极银基体；2）将阴极银基体安装于阴极铜基体的通孔内；3）制备点阴极粗胚；4）将点阴极粗胚竖直放置于真空气氛炉内，采用真空泵抽真空加热后冷却至室温，即得等离子体火炬点阴极结构。本发明的点阴极结构具有较好的导电性能，其制备方法工艺简单、加工成本低、适于工业化生产，降低了点阴极的灼烧速度，延长了点阴极的寿命。
技术研发人员：徐智;熊新;张浩;郑宇
受保护的技术使用者：武汉天和技术股份有限公司
技术研发日：2019.01.30
技术公布日：2019.05.24