技术特征：
技术总结
本公开涉及包括形成电容耦合并电连接到接地的导电构件的电子设备。所述电子设备包括：导电支持构件；第一电路板，其通过第一电容器连接到所述导电支持构件；第二电路板，其通过第二电容器连接到所述导电支持构件；第一导电连接构件，其电连接所述第一电路板和所述第二电路板；以及第一接地结构，所述第一接地结构的至少一部分插入在所述第一导电连接构件与所述导电支持构件之间。所述第一接地结构包括：与所述导电支持构件物理接触的非导电层；以及电连接到所述第一导电连接构件以与所述导电支持构件形成电容耦合的导电层。
技术研发人员：孙旺翼;金民浩;金盛显;金应元;郑灿钒
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.02.21
技术公布日：2019.08.27