一种片式石英晶体谐振器的制作方法

文档序号:17921959发布日期:2019-06-15 00:10阅读:373来源:国知局

本发明涉及谐振器技术领域,特别涉及一种片式石英晶体谐振器。



背景技术:

石英晶体谐振器又称为石英晶体,俗称晶振,是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件,其与半导体器件和阻容元件一起使用,便可构成石英晶体振荡器。石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。在集成电路板上经常会用到片式(smd)石英晶体谐振器(surfacemounteddevices表面贴装器件),这类片式石英晶体谐振器一般包括基座,上盖以及石英晶体。片式石英晶体谐振器根据封装材料和方式不同可分为金属上盖、陶瓷上盖。但是金属上盖需要电镀和表面抗氧化处理,陶瓷上盖要达到上上千度的高温烧结周期长耗能高,生产效率低。



技术实现要素:

本发明提供了一种片式石英晶体谐振器,解决现有的金属上盖和陶瓷上盖制造费用昂贵、生产效率和产品优良率低的问题。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:

本发明提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板通过环氧树脂、硅胶或低温玻璃粘接固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取耐高温塑料,放入烘干机中烘干;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

其中,优选地,所述耐高温塑料材质为pps、peek、lcp、pbi、pai、pei、pvdf、ptff。

其中,优选地,所述步骤(1)中的烘干温度为50-200℃,烘干时间为2-10小时。

其中,优选地,所述步骤(1)中耐高温塑料的粒径为1-10mm。

其中,优选地,所述步骤(2)双螺杆挤出机的转速为20-100r/min。

本发明的有益效果:

本发明打破了晶体行业金属与陶瓷封的局限,采用耐高温塑料作为盖板,在制作成本上低于目前金属与陶瓷封产品,且不需要电镀、表面抗氧化处理和高温烧结,生产效率高,生产成本低,成品优良率高,更加环保,给片式晶体谐振器带来更多的选择。

具体实施方式

下面将结合本发明具体实施例,对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为5mm的pps塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为50-100℃,烘干时间为6小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为50r/min,再由模头挤出,挤出温度控制在275-380℃,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例2

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为1mm的peek塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为150-200℃,烘干时间为2小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为20r/min,再由模头挤出,挤出温度控制在340-380℃,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例3

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为10mm的lcp塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为140-150℃,烘干时间为8小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为100r/min,再由模头挤出,挤出温度控制在380-440℃,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例4

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为3-5mm的pbi塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为100-150℃,烘干时间为10小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为60r/min,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例5

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为2-4mm的pai塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为50-100℃,烘干时间为6小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为40r/min,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例6

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为3-6mm的pei塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为50-100℃,烘干时间为6小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为80r/min,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例7

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为4-6mm的pvdf塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为50-100℃,烘干时间为8小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为70r/min,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

实施例8

本实施例提供一种片式石英晶体谐振器,包括基座和盖板,所述基座设有用于安装固定石英晶体片的凹槽,所述盖板为塑料的片状盖板,所述盖板固定在所述基座上,所述盖板的制备方法包括下述步骤:

(1)取粒径为3-5mm的ptff塑料,放入烘干机中烘干,烘干温度为50-100℃,烘干时间为7小时;

(2)将烘干后的原料加入双螺杆挤出机进行混炼,双螺杆挤出机的转速为60r/min,再由模头挤出,得到熔融状态的物料;

(3)将熔融状态的混合料推送至挤出模具中;

(4)脱模处理,得扁平状连续片材;

(5)使片材采用三辊成型装置进行成型;

(6)采用裁切刀装置裁切为所需要的准确宽度;

(7)片材进行收卷后,由冲压模具进行冲压裁切,裁切制得所需要长宽厚及r角的石英晶体谐振器盖板。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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