技术特征：
技术总结
本发明提供一种CMOS电容中和有源混频器，属于混频器领域。本发明有源混频器包括跨导输入级、开关混频级和输出负载级，接收的射频电压信号经过本混频器转变为中频电压信号输出。本发明改进地在跨导输入级使用两个电容交叉耦合电路单元，产生低的噪声指数，并且两个电容交叉耦合电路单元之间通过NMOS/PMOS堆叠式结构进行连接，有效地节省了电路的功耗；通过设计无源匹配网络有效地增强了带宽；电容中和技术用于补偿跨导输入级的源极‑漏极寄生效应和增强跨导级的环路增益，从而改善混频器的隔离度和线性度。
技术研发人员：郭本青;王雪冰;陈鸿鹏;龚静
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2019.04.16
技术公布日：2019.10.15