1.一种scalnsaw谐振器的制备方法，saw谐振器从下至上依次包括金刚石衬底、zno缓冲层、scaln压电层和al电极层，其制备方法包括如下步骤：
步骤1：提供金刚石衬底，并对其用标准的清洗工艺进行清洗；
步骤2：在所述金刚石衬底上采用磁控溅射、化学气相沉积(cvd)或脉冲激光沉积(pld)方法生长zno缓冲层；
步骤3：在所述zno缓冲层上采用磁控溅射、化学气相沉积(cvd)或脉冲激光沉积(pld)方法生长scaln压电层；
步骤4：在所述scaln压电层上采用电子束蒸发生长al电极层；
步骤5：采用电子束曝光技术在所述al电极层表面形成图形化光刻胶掩膜；
步骤6：采用刻蚀技术在所述al电极层表面形成叉指换能器(idts)；
步骤7：将刻蚀后的样品进行剥离，构建saw谐振器，用于测试与应用。
2.根据权利要求1所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤2中，zno缓冲层的晶向为(002)晶向，其厚度为10-200nm，其中zno缓冲层的厚度≤scaln压电层厚度的1/5。
3.根据权利要求1或2所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤2中，制备zno缓冲层的方法优先选用射频(rf)磁控溅射。
4.根据权利要求1所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤3中，scaln压电层的晶向为(002)晶向，其厚度为0.4-1μm。
5.根据权利要求1或4所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤3中，制备scaln压电层的方法优先选用直流(dc)磁控溅射。
6.根据权利要求1所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤4中，al电极层的厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤6中，叉指换能器(idts)结构的制备使用干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1或7所述的scalnsaw谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤6中如采用反应离子刻蚀技术，其刻蚀参数范围如下，cf4与ar的气流量比为1:1，射频功率范围为100-200w，工作压强范围为10-40mtorr。