一种SMD石英晶体振动芯片的制作方法

本实用新型涉及芯片技术领域，尤其涉及一种SMD石英晶体振动芯片。

背景技术：

由于电子产品要求不断提高,市场需要更精细,更精准的石英,传统石英芯片制造工艺,用机械方法,芯片的参数散差较大,芯片与底座的连接质素会影响体表现,所以需要发展更精准的芯片并提升整体生产的稳定性。

如图5所示，传统倒边晶体6包括矩形的中心部7，在中心部7的两侧设有倒边部8，倒边部8呈曲线斜台状，电极5通过倒边部8两侧的固定位9与芯片连接，当电流流通时,芯片振动,即使有倒边部8,但中心部7和倒边部8不够分明,固定位9会影响其振动模样及其电阻等电参数，精准性不佳。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在精准性不佳的缺点，而提出的一种SMD石英晶体振动芯片。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种SMD石英晶体振动芯片，包括晶体中心，所述晶体中心的厚度均匀，所述晶体中心的边缘环绕设有台阶部，所述台阶部的厚度均匀且小于晶体中心的厚度。

优选的，所述晶体中心的边缘形状为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形。

优选的，所述台阶部与晶体中心一体成型，在垂直于晶体中心外侧壁的方向上台阶部各处的宽度相等。

优选的，晶体中心的一侧的台阶部连接有芯片连接部，所述芯片连接部的两侧设有用于与电极连接的固定位，两个所述固定位之间的连接部上开设有穿孔部。

优选的，所述芯片连接部的边缘形状为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形，所述芯片连接部厚度均匀。

优选的，所述穿孔部包括至少一个截面为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形的通孔或槽。

本实用新型提出的一种SMD石英晶体振动芯片，有益效果在于：

1、本实用新型设置了环绕晶体中心设置的台阶部，能够达到传统芯片中倒边的效果，减低芯片的电阻；

2、由于设有台阶部,令芯片的振动更集中在晶体中心,令固定位与晶体中心的振动完全分隔,使得晶体更加稳定；

3、新的芯片设计采用的是厚度均匀的台阶部，在工艺上只需要控制台阶部的加工深度即可，相较于传统芯片中需要导出比较复杂的倒边曲线斜台，加工工艺更加简单，能够保证生产过程的稳定性，这类新型芯片具有更精准、一致性更好的电性能参数。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种SMD石英晶体振动芯片的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种SMD石英晶体振动芯片与电极组合后的结构示意图；

图3为本实用新型提出的一种SMD石英晶体振动芯片的俯视图；

图4为沿图3中A-A的截面结构示意图；

图5为传统倒边晶体的结构示意图。

图中：芯片连接部1、穿孔部2、台阶部3、晶体中心4、电极5、传统倒边晶体6、中心部7、倒边部8、固定位9。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

如图5所示，传统倒边晶体6包括矩形的中心部7，在中心部7的两侧设有倒边部8，倒边部8呈曲线斜台状，电极5通过倒边部8两侧的固定位9与芯片连接，当电流流通时芯片振动即使有倒边部8但中心部7和倒边部8不够分明固定位9会影响其振动模样及其电阻等电参数，稳定性不佳。发明人针对传统倒边晶体6的以上不足进行改进，设计了具有更精准,一致性更好的电性能参数的新型芯片，其技术方案如下：

实施例1

参照图1-4，一种SMD石英晶体振动芯片，包括晶体中心4，晶体中心4的厚度均匀，晶体中心4的边缘环绕设有台阶部3，台阶部3的厚度均匀且小于晶体中心4的厚度。该技术方案中设置了环绕晶体中心设置的台阶部3，能够达到传统倒边晶体6中倒边部8的效果，减低芯片的电阻；由于设有台阶部3,令芯片的振动更集中在晶体中心4,令固定位9与晶体中心4的振动完全分隔,使得晶体更加稳定；新的芯片设计采用的是厚度均匀的台阶部3，芯片的振动频率由晶体中心4的厚度决定，在工艺上只需要控制台阶部3的加工深度即可，相较于传统芯片中需要倒出比较复杂的倒边曲线斜台，加工工艺更加简单，能够保证生产过程的稳定性，这类新型芯片具有更精准、一致性更好的电性能参数。

实施例2

参照图1-4，一种SMD石英晶体振动芯片，包括晶体中心4，晶体中心4的厚度均匀，晶体中心4的边缘环绕设有台阶部3，台阶部3的厚度均匀且小于晶体中心4的厚度。

晶体中心4的一侧的台阶部3连接有芯片连接部1，芯片连接部1的两侧设有用于与电极5连接的固定位9，两个固定位9之间的连接部1上开设有穿孔部2。本实施例中进一步添加了穿孔部3，穿孔部3能够用于分隔固定位9对芯片的振动，从而进一步提高芯片的精准度和一致性。

实施例3

参照图1-4，一种SMD石英晶体振动芯片，包括晶体中心4，晶体中心4的厚度均匀，晶体中心4的边缘环绕设有台阶部3，台阶部3的厚度均匀且小于晶体中心4的厚度。晶体中心4的边缘形状为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形。圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形均为现有技术中的常见图形，晶体中心4当然还可以选择其他未列出的图形，晶体中心4的边缘形状不影响其性能。

台阶部3与晶体中心4一体成型，在垂直于晶体中心4外侧壁的方向上台阶部3各处的宽度相等。其加工过程可以为先加工形成晶体中心4，再在晶体中心4的边缘切削出环绕其边缘的槽形成台阶部3。

晶体中心4的一侧的台阶部3连接有芯片连接部1，芯片连接部1的两侧设有用于与电极5连接的固定位9，两个固定位9之间的连接部1上开设有穿孔部2。

芯片连接部1的边缘形状为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形，芯片连接部1厚度均匀。同样的，芯片连接部1的边缘形状不影响其性能。

穿孔部2包括至少一个截面为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形的通孔或槽。当穿孔部2包括两个通孔或槽时，两个通孔或槽间隔设置并且均位于两个固定位9之间，起到相互配合以分隔固定位9对芯片的振动的作用。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。