1.一种电声谐振器，用于具有增加的带宽的带通滤波器，所述谐振器包括：
-压电材料，
-在所述压电材料上的电极结构，
-横向声波导，所述横向声波导具有中心激励区域、位于所述中心激励区域侧面的陷阱条和位于所述陷阱条侧面的屏障条，
其中
-在所述中心激励区域中的波速是vcea，
-在所述陷阱条中的波速是vtp，
-在所述屏障条中的波速是vb，
并且对于期望的带宽δf，0.5≤δv/(δf*λ)≤1.5，
并且δv＝abs(vb-vcea)。
2.根据前一项权利要求所述的谐振器，其中
0.9≤δv/(δf*λ)≤1.1，或者
δv/(δf*λ)＝1。
3.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中
-在凸慢度的情况下：vb＞vcea，以及
-在凹慢度的情况下：vb＜vcea。
4.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中ηcea是所述中心激励区域中的金属化比，ηtp是所述陷阱条中的金属化比和/或ηb是所述屏障条中的金属化比，
以及
-所选择的ηcea、ηtp和/或ηb的不同值的数量是1、2或3。
5.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中ηcea是所述中心激励区域中的金属化比，ηtp是所述陷阱条中的金属化比，并且ηtp≠ηcea。
6.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，进一步包括电介质材料，所述电介质材料沉积在所述中心激励区域中、所述陷阱条的区域中和/或所述屏障条的区域中。
7.根据前一项权利要求所述的谐振器，其中所述电介质材料包括：氮化硅，诸如si3n4；氧化硅，诸如二氧化硅、诸如sio2；和/或氧化铝，例如al2o3；氧化铪，例如hfo2；或其掺杂形式。
8.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中
-所述电极结构的高度在所述中心激励区域中是hcea、在所述陷阱条的区域中是htp、并且在所述屏障条的区域中是hb，以及
-选自hcea、htp和hb的不同值的数量是1、2或3。
9.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中所述电极结构的高度在所述中心激励区域中是hcea、在所述陷阱条的区域中是htp、并且在所述屏障条的区域中是hb，
其中hcea≠htp、hcea≠hb和/或htp≠hb。
10.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，所述谐振器能够以活塞模式工作。
11.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中所述压电材料包括litao3、linbo3、石英或硅酸镧镓。
12.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中所述压电材料选自压电衬底、压电单晶衬底、薄膜。
13.一种rf滤波器，包括一个或多个根据前述权利要求中的一项所述的谐振器。
14.一种用于制造电声谐振器的方法，包括以下步骤：
-定义横向模式抑制的带宽δf，
-提供压电材料，
-在所述压电材料上沉积电极结构，并且在所述压电材料的表面上形成用于表面声波的横向声波导，所述波导具有中心激励区域，其中
-所述波导在所述中心激励区域中提供波速vcea，
-所述波导在所述中心激励区域的侧面的陷阱条中提供波速vtp，
-所述波导在所述陷阱条的侧面的屏障条中提供波速vb，
其中
-对于横向模式抑制的给定的频率带宽δf，选择vb和vces，使得
0.5≤δv/(δf*λ)≤1.5，
并且δv＝abs(vb-vcea)，并且
λ是所述谐振器的波长。