用于表面声波器件的复合基板及其制造方法与流程

本发明涉及用于表面声波器件的复合基板，在该复合基板中，将压电单晶基板与支撑基板结合，还涉及用于制造该复合基板的方法以及使用该复合基板的表面声波器件。

背景技术：

近年来，在以智能手机为代表的移动通信市场中，数据通信量迅速增加。为了应对该问题，必须增加通信频带的数量，并且使各个部件(表面声波器件)小型化以实现部件的高性能是必不可少的。

压电材料(例如钽酸锂(lt)和铌酸锂(ln))被广泛用作表面声波(saw)器件(例如表面声波滤波器)的材料。尽管这些材料具有大的机电耦合系数并且可以扩大器件的带宽，但是存在以下问题：材料的温度稳定性低，因此适用频率随温度变化而偏移。这是因为钽酸锂或铌酸锂具有非常高的热膨胀系数。

为了解决该问题，已经提出了一种复合基板，该复合基板是通过将热膨胀系数小的材料结合到钽酸锂或铌酸锂上并将压电材料侧减薄至数μm至数十μm的厚度而获得的。在该复合基板中，通过结合热膨胀系数小的材料(蓝宝石或硅)抑制了压电材料的热膨胀，从而改善了温度特性(非专利文献1、2)。此外，专利文献1公开了一种具有压电膜的声波器件。该声波器件包括：支撑基板；形成在支撑基板上并且具有比通过压电膜传播的声速更高的体声速的高声速膜；以及层叠在高声速膜上并且具有比通过压电膜传播的体声速更低的体声速的低声速膜，层叠在低声速膜上的压电膜以及在压电膜的一个表面上形成的idt电极。

此外，专利文献2公开了一种声波器件，其包括：支撑基板；层叠在支撑基板上的介质层；层叠在用于传播体波的介质层上的压电体；以及形成在压电体的一个表面上的idt电极。在该器件中，介质层包括低速介质和高速介质，作为声波的主要成分的体波在该低速介质中的传播速度比在压电体中传播的声波的声速慢，作为声波主要成分的体波在该高速介质中的传播速度要快于在压电体内传播的声波的声速。介质层的形成使得具有该介质层的声波器件中的主振动模式的声速为vl<主振动模式的声速<vh，其中当介质层由高速介质形成时，主振动模式的声速是vh，当介质层由低速介质形成时，主振动模式的声速是vl，以及当idt的周期为λ时，介质层的厚度为1λ或更大。

此外，专利文献3公开了一种用于表面声波器件的复合基板，其包括压电单晶基板和支撑基板。在该器件中，在压电单晶基板和支撑基板之间的结合界面处，压电单晶基板和支撑基板中的至少一者具有不平坦结构，并且当用作表面声波器件时，不平坦结构的截面曲线中的元件的平均长度rsm与表面声波的波长λ的比率为0.2以上且7.0以下。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利号5713025

专利文献2：日本专利号5861789

专利文献3：日本专利号6250856

非专利文献

非专利文献1：智能手机射频前端的声表面波双工器温度补偿技术，登巴新闻高科技，2012年11月8日(temperaturecompensationtechnologyforsaw-duplexerusedinrffrontendofsmartphone,dempashimbunhightechnology,nov.8,2012)

非专利文献2：用于表面声波滤波器的温度补偿混合基板的研究，ieee国际超声研讨会论文集，第637-640页(astudyontemperature-compensatedhybridsubstratesforsurfaceacousticwavefilters,2010ieeeinternationalultrasonicsymposiumproceedings,page637-640).

技术实现要素：

本发明待解决的问题

然而，作为发明人的深入研究的结果，已经发现，当使用上述复合基板制造表面声波滤波器时，存在以下问题：支撑基板与压电基板之间的中间层膨胀并且表面声波滤波器的特性可随时间变化。此外，当使用上述复合基板时，存在以下问题：在m表面声波滤波器的通带内或以较高的频率发生称结合界面处的反射以及弹性波在压电晶体膜与支撑基板之间的中间层中的捕获而发生的。该噪声不是优选的，因为它使表面声波滤波器的频率特性变差并且导致损耗增加。

解决问题的手段

为了解决上述问题，根据本发明的用于表面声波器件的复合基板被配置为包括压电单晶基板和支撑基板。在压电单晶基板与支撑基板之间设置有中间层，该中间层中的化学吸附水的量为1×10²⁰个分子/cm³以下。

在本发明中，在压电单晶基板和支撑基板之间的结合界面处，压电单晶基板和支撑基板中的至少一者可以具有不平坦结构。优选的，当用作表面声波器件时，不平坦结构的截面曲线中的元件的平均长度rsm与表面声波的波长λ的比率为0.2以上且7.0以下。

在本发明中，中间层的慢横波的声速可以比压电基板的慢横波的声速快。

在本发明中，中间层可以包括siox(x＝2±0.5)。替代地，中间层可以包括氮氧化硅膜，sin，非晶硅，多晶硅，非晶sic，al2o3，或zro。

在本发明中，中间层的厚度优选为0.2λ以上且1λ以下，其中λ为表面声波的波长。

在本发明中，压电单晶基板的厚度优选为1λ以上且6λ以下，其中λ为表面声波的波长。

在本发明中，支撑基板可以是硅、玻璃、石英玻璃、氧化铝、蓝宝石、碳化硅、氮化硅和结晶石英中的任何一种。如果支撑基板是具有不平坦结构的硅基板，则不平坦结构可以是棱锥形。

在本发明中，压电单晶基板可以是钽酸锂单晶基板或铌酸锂单晶基板。压电单晶基板优选是旋转y切钽酸锂单晶基板，其晶体取向旋转36°y至49°y或旋转216°y至229°y。压电单晶基板可以是掺杂有浓度为25ppm至150ppm的fe的钽酸锂单晶基板。

在本发明中，当压电单晶基板是钽酸锂单晶基板时，优选的是，作为钽酸锂单晶基板的基材的钽酸锂单晶的尾侧的x轴的晶格常数在23℃下为至

此外，根据本发明的制造用于表面声波器件的复合基板的方法至少包括以下步骤：在压电单晶基板和/或支撑基板的表面上设置不平坦结构；以及在不平坦结构上设置中间层。该制造方法还包括以下任一步骤：将设置在压电单晶基板上的中间层和支撑基板结合；将设置在支撑基板的中间层和压电单晶基板结合；和将设置在压电单晶基板上的中间层和设置在支撑基板上的中间层结合。中间层中化学吸附水的量可以为1×10²⁰个分子/cm³以下。

在本发明中，该制造方法可以包括对中间层的表面进行镜面精加工的步骤。另外，可以在400℃以下热处理中间层。

附图说明

图1示出了根据本实施方式的复合基板的横截面结构。

图2示出了用于制造根据本实施方式的复合基板的方法的过程。

图3示出了表面声波滤波器中的声速与lt的厚度之间的关系。

图4示出了46°旋转y切lt的慢度面。

图5示出了当将46°旋转y切lt用作压电单晶基板并且将sio1.74n0.26用作中间层时的慢度面的示例。

图6示出了在实施例1中获得的滤波器的频率特性。

图7示出了安装在包装上的芯片的示例。

图8示出了密封后的陶瓷包装的外观。

图9示出了在200℃下热处理的具有sio1.74n0.26的lt基板的sio1.74n0.26膜的显微图像。

图10示出了在400℃以上热处理的具有sio1.74n0.26的lt基板的sio1.74n0.26膜的显微图像。

图11示出了实施例1中获得的滤波器的频率特性与实施例2中获得的滤波器的频率特性的比较。

具体实施方式

在下文中，将详细描述本发明的实施方式，但是本发明不限于此。本发明涉及一种用于表面声波器件的复合基板1及其制造方法，该复合基板1配置为包括压电单晶基板2和支撑基板3。如图1所示，在复合基板1中，在压电单晶基板2与支撑基板3之间设置有中间层4。

在本实施方式的复合基板1中，压电单晶基板2和支撑基板3中的至少一者在压电单晶基板2和支撑基板3之间的结合界面处具有不平坦结构。不平坦结构的形成使得rsm/λ为0.2以上且7.0以下，rsm/λ是当用作表面声波器件时，不平坦结构的截面曲线中的元件的平均长度rsm与表面声波的波长λ的比率。以此方式，可以有效地减少主要在通带之外的杂波。

顺便提及，当用作表面声波器件时表面声波的波长λ由输入到复合基板(表面声波器件)的电信号的频率和表面波(漏波)的速度来确定。表面波的速度根据材料而变化，并且对于litao3为约4000m/s。因此，当由使用litao3作为压电单晶基板的复合基板制造2-ghz表面声波器件时，表面声波的波长λ为约2μm。此外，当由相同的复合基板制造800mhz的表面声波器件时，表面声波的波长λ为约5μm。

对不平坦结构的截面曲线中的算术平均粗糙度ra没有特别限制，但如果ra过小，则认为不能充分获得减少杂波的效果。因此，ra优选为100nm以上。另外，如果ra太大，则会花费时间和成本来提供中间层4，并且难以均匀地抛光表面，这从制造的观点来看不是优选的。因此，ra优选为1000nm以下。

压电单晶基板2可以使用任何类型的压电材料，只要它是用于有杂波问题的表面声波器件的复合基板即可。压电单晶基板2的厚度可以为1λ以上且6λ以下，其中λ是表面声波的波长。

作为压电单晶基板2的材料，例如，可以使用机电耦合系数大的钽酸锂单晶基板或铌酸锂单晶基板。特别地，当将钽酸锂单晶基板用作压电单晶基板2时，优选使用晶体取向旋转36°y至49°y的旋转y切钽酸锂单晶基板。替代地，可以使用具有对称晶体结构的、晶体取向旋转216°y至229°y的旋转y切钽酸锂单晶基板。此外，作为压电单晶基板，可以使用掺杂有浓度为25ppm至150ppm的fe的钽酸锂单晶基板。

作为钽酸锂单晶基板或铌酸锂单晶基板，优选使用在其厚度方向上具有基本均匀的li浓度的基板。li浓度可以是大致上一致的组成或伪化学计量组成。具有大致上一致组成的压电单晶基板是优选的，因为它可以通过已知方法(例如柴氏拉晶法)较容易地制造。同时，具有伪化学计量组成(其中li与ta或nb的比率为li:ta＝50-α:50+α或li:nb＝50-α:50+α，且α的范围为-1.0＜α＜2.5)的压电单晶基板是优选的，因为它表现出高的机械耦合系数和优异的温度特性。

当将钽酸锂单晶基板用作压电单晶基板2时，优选的是，钽酸锂单晶基板是基于尾侧的x轴的晶格常数在23℃下为至的钽酸锂单晶。具有这种晶格常数的钽酸锂单晶从晶种到尾部都表现出非常小的声速波动，并且在平面中也表现出非常小的声速波动。因此，包括这种钽酸锂基板和支撑基板的用于表面声波器件的复合基板在晶圆表面内具有稳定的声速、耦合系数和温度特性。使用该复合基板的表面声波器件在平面中显示出稳定的特性。

支撑基板可以是硅、玻璃、石英玻璃、氧化铝、蓝宝石、碳化硅、氮化硅和结晶石英中的任何一种。支撑基板可以是具有不平坦结构的硅基板。在这种情况下，不平坦结构可以是棱锥形。

如上所述，在压电单晶基板2和支撑基板3之间设置有中间层4。中间层4的厚度可以为0.2λ以上且1λ以下，其中，λ为表面声波的波长。中间层4可以由具有阻气性的材料形成。中间层4可以包括例如氧氮化硅膜、sin、非晶硅、多晶硅、非晶sic、al2o3、或zro。另外，中间层可以包括siox(x＝2±0.5)或氮氧化物膜。

中间层4中的化学吸附水的量可以为1×10²⁰个分子/cm³以下。这样，可以防止表面声波滤波器的特性随时间变化。另外，在中间层4含有大量的杂质(例如氢、水等)时，产生称为“出气”的挥发性成分，并且可靠性降低。为了防止这种情况，优选以尽可能高的纯度形成中间层4。

接着，将参照图2描述制造根据本实施方式的复合基板1的方法。

首先，对于压电单晶基板2和支撑基板3中的每一个，进行结合之前的工序。开始时，制备压电单晶基板2和支撑基板3(图2中的s01和s11)，并且使它们的表面粗糙化以形成不平坦结构(图2中的s02和s12)。随后，将无机材料的中间层4沉积在不平坦结构上(图2中的s03和s13)，然后对其表面进行抛光和镜面精加工(图2中的s04和s14)。

在压电单晶基板2和/或支撑基板3的表面上形成不平坦结构的方法没有特别限定。可以通过选择磨粒或磨石使表面进行抛光，以具有所需的表面粗糙度，或者可以使用干法蚀刻/湿法蚀刻。

作为沉积作为中间层4的无机材料(例如sio2)的方法，例如，可以使用以溅射法为代表的pe-cvd法(等离子体增强化学气相沉积)或pvd(物理气相沉积)方法。另外，可以将硅烷(例如硅烷醇盐)、硅氮烷(例如六甲基二硅氮烷)、聚硅氮烷(例如全氢聚硅氮烷)、有机硅低聚物(例如硅油)、或其溶液施加到晶圆上，并通过热处理使其固化以沉积中间层4。

当在高温下沉积无机材料(例如sio2)时，可能有回到室温时发生翘曲或破裂的问题。因此，优选在接近室温的温度下形成中间层4。如果将工艺温度设定为70℃以下，则能够将基板的翘曲抑制在能够通过真空夹盘吸附基板的程度。具体地，可以使用室温cvd方法或磁控溅射等在接近室温的温度下形成中间层4。

另外，在中间层4含有大量杂质(例如氢、水)时，产生称为“出气”的挥发性成分，并且可靠性降低。为了防止这种情况，中间层4必须以尽可能高的纯度形成。例如，可以通过在结合之前对中间层进行热处理、等离子体处理或uv光照射处理来限制中间层中化学吸附水的量。

将结合面(沉积的中间层4的表面)镜面精加工的压电单晶基板2和支撑基板3结合在一起(图2中的s21)。然后，将压电单晶基板2抛光并减薄至预定厚度(图2中的s22)，以获得复合基板1。由此制造的复合基板1的结构中，压电单晶基板2和支撑基板3均具有不平坦结构。

如上所述，被配置为包括压电单晶基板2、支撑基板3和中间层4的复合基板1优选地被配置为使得中间层4的慢横波的声速快于压电单晶基板2的慢横波的声速。可以防止由于弹性波在中间层4中的捕获和通带特性的变差(即损耗增加)而主要发生在表面声波滤波器的通带中的波纹。下文将描述获得这种效果的机理。

非专利文献2示出了通过在结合钽酸锂(lt)和si而获得的复合基板上形成周期性电极结构而获得的表面声波滤波器中的声速(共振/反共振)与由电极周期λ(图3)归一化的lt的厚度之间的关系。根据这一点，关于由电极周期λ归一化的lt的厚度，存在分散关系，即，声速与其他模式组合并且在某些不连续的lt厚度处发散。当使用具有这种特定lt厚度的复合基板而形成滤波器时，可以预料在通带中发生波纹，这引起特性变差，即损耗增加。

在本实施方式的复合基板1中，尽管在压电单晶基板2(lt)和支撑基板3之间设置有中间层4，但是如果中间层4的体波(慢横波)的速度比lt的体波(慢横波)慢，则弹性波很容易被捕获在中间层中。特别地，在声速与其他模式耦合的图3所示的lt厚度处，弹性波很容易被捕获在中间层中。因此，如果复合基板1中的中间层4的慢横波的声速比压电单晶基板2的慢横波的声速快，则可以改善使用这样的复合基板1获得的表面声波滤波器的通带中的损耗。在下文，将描述细节。

在通过在复合基板上形成周期性电极结构而获得的表面声波滤波器中，例如，在该复合基板中，其中46°旋转y切lt和si结合并且lt厚度为1个波长以上并且是除分散曲线的奇异点之外的lt厚度，如图3所示，表面声波的主模式的声速在电极是电开路时为4060m/s(作为声速的倒数的慢度为2.46×10^-3s/m)，在电极为电短路时为3910m/s(作为声速的倒数的慢度为2.56×10^-3s/m)。

从电极沿着lt表面传播的表面声波(或漏波或sh波)可以与能够在lt基板内部传播的lt中的特定体波耦合。即，如图4所示的46°旋转y切lt的慢度面(计算值)中所示，其中上述的46°旋转y切lt和硅如上所述结合的复合基板结构的主模式可以与能够从x轴在深度方向上相位匹配传播约22度的体波(慢横波)耦合。

图5示出了当将46°旋转y切lt用作压电单晶基板并且将sio1.74n0.26用作中间层时的慢度表面的实施例。当将sio1.74n0.26用作中间层时，可以使中间层的慢横波的声速比压电单晶基板的慢横波的声速快。

如图5所示，在中间层的慢横波的声速比压电单晶基板的慢横波的声速快的情形下，从46°旋转y切lt的x轴在约22°在方向上发射的慢横波即使到达中间层也会完全被中间层反射。因此，从电极沿lt表面传播的表面声波(或漏波或sh波)的向内泄漏的体波被中间层完全反射，而不能停留在中间层中。

在分散曲线相对于图3所示的lt厚度发散的奇异点处，可能传播的声速范围扩大到3800至4200m/s。如果用慢度表示，则慢度为约2.4×10^-3至2.6×10^-3(s/m)。因此，从电极沿着lt表面传播的表面声波(或漏波或sh波)的向内泄漏的体波可以与慢横波或快横波耦合。但是，在图5所示的情形下，中间层的慢横波(＝快横波)的慢度为2.3×10^-3(s/m)，以及由于来自lt的主模式引起的体波在本申请的中间层中完全反射。

此外，当压电单晶基板在与中间层的边界处具有不平坦结构时，由于来自lt的主模式而在大约22°方向上的体波被不平坦结构散射，并且返回到电极的成分可以大幅减少。

因此，使用具有这样的结构(在该结构中，中间层的慢横波的声速比压电基板的慢横波的声速快)的复合基板的表面声波器件(滤波器)可靠性高，且很少发生根据lt厚度而保留在中间层中的杂波。因此，可以防止滤波器的通带的特性(例如波纹和损耗)的变差。

实施例

实施例1

在实施例1中，制备了具有不平坦结构的46°旋转y切lt基板，其中，算术平均粗糙度ra为1500nm±30％，不平坦结构的横截面曲线中的元件的平均长度rsm为3μm±10％，以及最大高度rz为2.0μm±10％。这里，lt基板的不平坦结构通过使用游离磨粒进行抛光来形成。

接着，通过等离子体增强cvd在35℃下将sio2沉积在具有不平坦结构的lt基板的表面上约8μm，然后将具有sio2的lt基板在200℃至600℃下加热48小时。热处理后，将具有sio2的lt基板的其上沉积有sio2的表面抛光以进行镜面精加工，使得sio2的平均厚度为约2μm。然后，对sio2的镜面和用作支撑基板的硅基板的镜面均进行等离子体活化，并且将lt基板和支撑基板结合。此外，将lt基板抛光并减薄至18μm，从而制造了6英寸的复合基板。

此外，为了确认热处理的效果，制备了没有进行热处理的具有sio2的lt基板。将具有sio2的lt基板的其上沉积有sio2的表面抛光以进行镜面精加工，使得sio2的平均厚度为约3μm。然后，对sio2的镜面和用作支撑基板的硅基板的镜面均进行等离子体活化，并且将lt基板和支撑基板结合。此外，将lt基板抛光并减薄至18μm，从而制造了6英寸的复合基板。

在上述实施例1中，通过质谱仪确定了具有sio2的lt基板的sio2膜中的化学吸附水的量。分别通过纳米压痕法和x射线反射率(xrr)法测量每个样品的杨氏模量和密度。表1示出了由实施例1的结果获得的sio2膜的慢横波的计算声速以及上述杨氏模量和密度。

表1

接着，在所制造的6英寸复合基板的lt基板(在具有sio2的lt基板上进行热处理和未进行热处理的那些)的表面上，al膜通过气相沉积具有0.4μm的厚度，然后通过光刻法形成电极，以形成约5μm波长的四级梯形滤波器，其包括两级并联谐振器和五级串联谐振器。此时，将g线步进机用于光刻曝光，并且将cl2、bcl3、n2和cf4的混合气体用于al蚀刻。

接着，当利用rf探针测量形成在通过热处理制备的复合基板上的滤波器部分的频率特性时，获得图6中实线所示的频率特性。如图6所示，在滤波器通带之外没有明显的杂波响应。

当用rf探针测量形成在未经过热处理而制备的复合基板上的滤波器部分的频率特性时，获得与使用经过热处理的复合基板的滤波器相同的频率特性。

在本实施例中，由于表面声波的波长λ为5μm并且rsm为3μm，所以rsm/λ的值为0.6。

接着，从安装在陶瓷包装上的6英寸复合基板(在具有sio2的lt基板上进行热处理和未进行热处理的那些)上切出大量的带有滤波电路的1.5mm方形芯片，并通过引线接合进行布线。图7示出了安装在包装上的芯片的实施例。包装覆盖有盖子并被气密密封。图8示出了密封后的陶瓷包装的外观。

当评价气密密封过滤器的特性时，对于使用经过热处理的复合基板的那些和未经过热处理的复合基板的那些，均获得与图6中的实线所示的那些相同的频率特性。

接着，使气密密封的表面声波滤波器在265℃下通过回流炉六次，然后进行-40℃至125℃的热循环1000次，并在2个大气压下在125℃和85％的湿度的环境中留置1000小时。

此后，评价气密密封的表面声波滤波器的特性。对于使用经过热处理的复合基板的那些，即使经过热循环之后，也获得了与图6中的实线所示相同的频率特性。评价结果示于表1中。在每种条件下评价的过滤器的数量为11。

另一方面，对于使用未经过热处理而制备的复合基板的那些，获得了与图6中的虚线所示相同的频率特性。最初安装后，频率特性与使用经过热处理制造的复合基板的滤波器的频率特性相同，但是在热循环之后，插入损耗变差了约2db，即，精确地说，插入损耗的绝对值增大了约2db。

实施例2

在实施例2中，制备了具有不平坦结构的46°旋转y切lt基板，其中，算术平均粗糙度ra为1500nm±30％，不平坦结构的横截面曲线中的元件的平均长度rsm为3μm±10％，以及最大高度rz为2.0μm±10％。这里，lt基板的不平坦结构通过使用游离磨粒进行抛光来形成。

接着，通过等离子体增强cvd在35℃下将sio1.74n0.26沉积在具有不平坦结构的lt基板的表面上约8μm。然后将具有sio1.74n0.26的lt基板在室温至600℃的温度下加热48小时。图9示出了在200℃下热处理的具有sio1.74n0.26的lt基板的sio1.74n0.26膜的显微图像。图10示出了在400℃以上的温度下热处理的具有sio1.74n0.26的lt基板的sio1.74n0.26膜的显微图像。可以看出，通过在400℃以上的温度下的热处理发生了破裂。

对于没有因加热处理而破裂的样品，将具有sio1.74n0.26的lt基板的沉积有sio1.74n0.26膜的表面进行抛光以进行镜面精加工，使得sio1.74n0.26膜的平均厚度为约3μm。然后，对sio1.74n0.26膜的镜面和用作支撑基板的硅基板的镜面均进行等离子体表面活化，并且将lt基板和支撑基板结合。然后，对lt基板进行抛光以使lt的厚度从6μm至18μm以1μm的步长减小，从而制造了多个6英寸的复合基板。

通过质谱仪确定具有sio1.74n0.26的lt基板的sio1.74n0.26膜中的化学吸附水的量。分别通过纳米压痕法和x射线反射率(xrr)法测量每个样品的杨氏模量和密度。表2示出了由实施例2的结果获得的sio1.74n0.26膜的慢横波的计算声速以及上述杨氏模量和密度。

[表2]

接着，在所制造的6英寸复合基板的lt基板的表面上，通过气相沉积形成0.4μm厚度的al膜，然后通过光刻法形成电极，以形成约5μm波长的四级阶梯滤波器，其包括两级并联谐振器和五级串联谐振器。此时，将g线步进机用于光刻曝光，并且将cl2、bcl3、n2和cf4的混合气体用于al蚀刻。

接着，当利用rf探针测量通过图案化形成的晶圆的滤波器部分的特性时，对于晶圆的每个lt厚度，获得图11中实线所示的频率特性。

为了确认热处理的效果，阶梯滤波器的电极图案也形成在未经过热处理而制造的6-18μm的lt厚度的6英寸复合基板的lt基板的表面上。当用rf探针测量由此获得的滤波器的频率特性时，获得了与使用经过热处理的复合基板的滤波器相同的频率特性。

在实施例2中，由于表面声波的波长λ是5μm并且rsm是3μm，所以rsm/λ的值是0.6。

如图11所示，可以看出在滤波器的通带之外没有明显的杂波响应。另外，可以看出，与图11的虚线所示的实施例1的滤波器相比，插入损耗得到改善，即，更精确地说，插入损耗的绝对值减小了。

接着，从6英寸复合基板(经过热处理和未经过热处理的基板)上切出大量带有滤波电路的1.5mm方形芯片，安装在陶瓷包装上，并通过引线接合进行布线。安装在包装上的芯片与图7所示的芯片相同。该包装用盖子覆盖并气密密封。密封后的陶瓷包装外观与图8相同。

评价了由本申请的复合基板制成的气密密封表面声波滤波器的特性。在所有情况下，频率特性都与图11中实线所示的相似。但是，对于在400℃以上加热的样品，由于无法结合基板而无法制造6英寸的复合基板，因此没有评价器件的特性。

接着，使气密密封的表面声波滤波器在265℃下通过回流炉六次，然后进行-40℃至125℃的热循环1000次，并在2个大气压下在125℃和85％的湿度的环境中留置1000小时。

之后，评价表面声波滤波器的特性。即使经过热循环之后，也获得了与图11中的实线所示相同的频率特性。评价结果示于表2中。在每种条件下评价的滤波器的数量为11。

如上所述，通过使用本发明的用于表面声波器件的复合基板，可以获得具有较好特性的表面声波器件。